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公开(公告)号：CN120044578A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510250196.8
申请日：2025-03-04
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种中性束源束流参数测量装置及方法，该装置包括中性束源、偏转磁场、离子接收极和中性粒子接收极，所述偏转磁场位于所述中性束源的粒子出射方向下游，所述离子接收极包括多个按一定间距分布的钨块，所有的钨块内有水冷通道，所述中性粒子接收极位于所述离子接收极的下游，并且与所述中性束源正对，所述中性粒子接收极包括中性粒子测量探头，所述中性粒子测量探头内有水冷通道。本发明能够同时实现中性束能量和束流强度精确测量，具有省时高效，结构简单、实时在线检测，不仅可显示系统状态变化引起的能量瞬间变化，而且分辨率高、工作寿命长等特点。
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公开(公告)号：CN104419905A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310366767.1
申请日：2013-08-21
Applicant: 核工业西南物理研究院
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/025 , C23C14/185
Abstract: 本发明属于材料表面涂层技术，具体涉及一种碳基多层复合涂层制备方法，采用碳基材料作为基体，在其上通过物理气相沉积制备含有中间层/钨涂层的多层复合涂层。碳基材料包含高纯石墨和碳/碳复合材料；多层复合涂层包括了1-3层中间层/钨涂层复合层。中间层包括铬层、钛层或钼层等。形成的碳基体表面全部钨涂层覆盖厚度均匀，涂层连续、致密，不会出现裂纹。钨涂层与基体之间的结合良好，界面平整；当涂层厚度达到20微米时，涂层与基体之间没有出现剥落情况。
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公开(公告)号：CN117542718A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311487217.5
申请日：2023-11-09
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于等离子刻蚀的中性粒子束产生装置，包括放电仓和中性粒子束产生机构，放电仓外设有射频天线，射频天线连有脉冲射频电源，以使放电仓内形成等离子体；中性粒子束产生机构包括气路电极、引出产生栅极及偏压电源组，气路电极和引出产生栅极通过偏压电源组连接，并分别设于放电仓相对的两侧，以对等离子体中的负离子加速，使负离子通过引出产生栅极射出形成中性粒子束；引出产生栅极能够对负离子进行减速及中性化处理。其能够解决等离子刻蚀时会使基片表面产生损伤或缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN114302546B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111489702.7
申请日：2021-12-08
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明属于等离子体源技术领域，具体涉及一种高效率低污染等离子体源，包括同轴放置的阴极、水冷阳极和磁轭底座，以及设于磁轭底座中心处的内磁钢、套装在内磁钢外的内屏蔽、磁轭底座的外沿上方固定安装的外磁钢和外屏蔽；所述的磁轭底座位于阴极内；所述的水冷阳极与阴极绝缘连接；所述的内磁钢和外磁钢磁力方向相反；所述的阴极、水冷阳极之间连接放电电源A。等离子体源的内、外磁极处于悬浮电位或相对于工件或真空室地分别施加不同偏压的方式，通过设计放电通道，使其电势分布，因此可以降低和控制放电等离子体对壁自溅射，从而达到提高放电电流利用率和引出离子能量目的。
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公开(公告)号：CN114346767B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202111496449.8
申请日：2021-12-09
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: B24B1/00 , H01J37/305 , H01J37/08
Abstract: 本发明属于离子束加工技术领域，具体涉及一种高效率低损伤缺陷表面的离子束抛光设备和方法。设备包括离子束抛光设备腔室、离子源系统，工件安装在离子束抛光设备腔室；离子源系统与射频电源、偏压电源和引出电源连接；方法选用熔石英作为工件固定后，工件被加工面法向与离子束入射方向平行，封闭设备腔室并抽真空，通入工作气体，并将其激发电离，产生高密度等离子体，同时启动偏压电源和引出电压，利用交替引出的正、负离子构成的多组分离子束轰击工件表面。利用线性射频离子源，通过多维运动工件架使工件相对于离子源做扫描运动，实现大尺寸元件均匀一致抛光，提高离子束抛光控制精度，提升加工速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114302546A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111489702.7
申请日：2021-12-08
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明属于等离子体源技术领域，具体涉及一种高效率低污染等离子体源，包括同轴放置的阴极、水冷阳极和磁轭底座，以及设于磁轭底座中心处的内磁钢、套装在内磁钢外的内屏蔽、磁轭底座的外沿上方固定安装的外磁钢和外屏蔽；所述的磁轭底座位于阴极内；所述的水冷阳极与阴极绝缘连接；所述的内磁钢和外磁钢磁力方向相反；所述的阴极、水冷阳极之间连接放电电源A。等离子体源的内、外磁极处于悬浮电位或相对于工件或真空室地分别施加不同偏压的方式，通过设计放电通道，使其电势分布，因此可以降低和控制放电等离子体对壁自溅射，从而达到提高放电电流利用率和引出离子能量目的。
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公开(公告)号：CN108611590A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611145210.5
申请日：2016-12-13
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面新技术工程中心
Abstract: 本发明属于低温等离子体材料表面处理技术领域，具体涉及一种Ti合金工件防咬死的方法。本方法包括九个步骤，本方法实现Ti合金工件烘烤除气、离子束溅射清洗和原位离子束辅助磁控溅射沉积Ti-TiN周期复合涂层的制备工艺，以得到均匀致密、结合性能良好的Ti-TiN周期复合涂层。提高工件耐磨、抗疲劳和微动磨损等性能，达到防咬死和耐磨的要求。在Ti合金紧固件内螺纹表面制备的Ti-TiN周期复合涂层，纯度高、膜基结合性能好、膜层均匀致密、界面处无孔隙，处理后的Ti合金紧固件达到耐磨、防咬死、抗微动磨损等要求，防咬死性能较未处理工件至少提高了2倍，满足某型号装备使用要求，大大降低了成本，提高了装备的整体使用稳定性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN116403881A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211673998.2
申请日：2022-12-26
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明涉及低温等离子体技术和薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种脉冲调制射频气体离子源，包括：安装法兰、引出电极、栅极绝缘环、等离子体放电腔、放电腔管、底端法兰、下端密封橡胶圈、底部端盖、气路、支撑杆、支撑杆绝缘套和引出电源；本发明提出了一种适用于离子束刻蚀和离子束镀膜的宽工作气压范围的射频离子源，通过利用脉冲调节射频感应放电和单栅极引出产生低能离子束，具有结构简单、拆装方便、易维护等特点。
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公开(公告)号：CN114346767A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111496449.8
申请日：2021-12-09
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: B24B1/00 , H01J37/305 , H01J37/08
Abstract: 本发明属于离子束加工技术领域，具体涉及一种高效率低损伤缺陷表面的离子束抛光设备和方法。设备包括离子束抛光设备腔室、离子源系统，工件安装在离子束抛光设备腔室；离子源系统与射频电源、偏压电源和引出电源连接；方法选用熔石英作为工件固定后，工件被加工面法向与离子束入射方向平行，封闭设备腔室并抽真空，通入工作气体，并将其激发电离，产生高密度等离子体，同时启动偏压电源和引出电压，利用交替引出的正、负离子构成的多组分离子束轰击工件表面。利用线性射频离子源，通过多维运动工件架使工件相对于离子源做扫描运动，实现大尺寸元件均匀一致抛光，提高离子束抛光控制精度，提升加工速率。
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公开(公告)号：CN109972089A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711452179.4
申请日：2017-12-28
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面科技有限公司
Abstract: 本发明属于低温等离子体材料表面处理技术，具体为一种超厚含氢类金刚石涂层的制备方法，工件表面清洗除气之后，再进行等离子体清洗，依次沉积金属中间层、金属碳化物中间层和类金刚石涂层，类金刚石涂层分18层依次沉积，沉积方式为磁控溅射，金属磁控靶材为钛、铬、钨和钼金属靶材，通过本方法制备的类金刚石涂层致密、摩擦系数低、耐腐蚀性能优异、膜基结合强度高，厚度大于100μm，适合高精度抛光等光学元件部件。
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