一种具有优良高温强度的低钽含量钨合金制备方法

    公开(公告)号:CN115305374B

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202210788527.X

    申请日:2022-07-06

    Abstract: 本发明属于金属材料制备及加工领域,涉及一种具有优良高温强度的低钽含量钨合金制备方法。本方法通过热压烧结制备出钨钽合金圆柱;将烧结坯在氢气气氛下整体加热至1500~1600℃,并通过高能率锻造方法进行热塑性加工,经一道次或二道次锻造加工后使钨材料的变形量超过70%;锻造完成后,将钨坯进行退火处理以消除残余应力,退火温度为1100℃。本发明通过烧结方法及热塑性加工工艺的控制,使得制备好的钨钽合金的高温力学强度得到明显提高(相对纯钨),且制备工艺相对简单。通过本发明所述工艺能得到近全致密的钨钽合金,并且材料具有优良的热导率和高温力学性能,室温热导率大于150W/mK,在500℃温度下拉伸强度仍高于1GPa。

    一种可用于ODS-W合金的氧化物-非晶复合粉体及其制备方法

    公开(公告)号:CN114985749B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202210631326.9

    申请日:2022-06-06

    Abstract: 一种可用于ODS‑W合金的氧化物‑非晶复合粉体及其制备方法,属于粉末制备工程领域。该粉体材料的组织特征是非晶合金基体上弥散分布着不同数目密度的纳米尺度球状氧化物粒子,氧化物‑非晶复合粉体的化学组成为G+(3~40wt%)Y2O3,其中G=YaX100‑a,Y是稀土金属钇,X是Fe、Co或Ni。本发明首先需通过感应熔炼,得到纳米氧化物颗粒均匀分布其中的合金熔体,通过熔体雾化技术获取不同粒径的氧化物‑非晶复合粉体材料。本发明成功实施氧化物‑非晶复合粉体的公斤级制造,实现规模化制备;通过调控非晶基体与纳米氧化物的含量配比,可获得不同氧化物含量的粉体材料,成功制备超高氧化物含量的氧化物‑非晶复合粉体;拓宽粉体非晶基体的合金体系与成分范围,制备效率高。

    一种纳米氧化物颗粒弥散强化铜及其制备方法

    公开(公告)号:CN114921673B

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202210631205.4

    申请日:2022-06-06

    Abstract: 一种纳米氧化物颗粒弥散强化铜及其制备方法,属于金属基复合材料制备领域。首先,采用感应熔炼与熔体雾化技术制备与基体合金熔体润湿性好、比重接近的Zr4Cu2O氧化物粉体,氧化物粉体大小可控制在5~100μm。然后,根据目标ODS‑Cu的性能与组织设计需要,选择特定颗粒尺寸和重量分数的Zr4Cu2O氧化物粉体,将其与基体铜组元金属一起作为原料,配置目标合金。最后,采用感应熔炼技术熔铸制备公斤级ODS‑Cu材料。本发明制备过程中能够避免熔炼时氧化物粉末的漂浮与偏聚,基于此能够成功实现组织均匀性良好的公斤级ODS‑Cu的熔铸法制备。制备条件不苛刻、原料与制备成本低、重复性好,且氧化物颗粒增强体的大小与含量可有效调控;全部工艺流程简单、高效、可控,易实现规模化生产。

    一种托卡马克鼎偏滤器磁场位形构建方法

    公开(公告)号:CN108269620B

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN201611254936.2

    申请日:2016-12-30

    Abstract: 本发明属于磁约束聚变技术领域,具体涉及一种托卡马克鼎偏滤器磁场位形构建方法。本发明的方法,设置的第一极向场线圈、第二极向场线圈、第三极向场线圈和第四极向场线圈的几何中心位置与第一X点的距离分别为1~1.5a、1.5~3a、1.5~3a和1.5~2.0a,其中a为等离子体小半径。本发明解决了现有的托卡马克磁约束等离子体实验装置的常规偏滤器靶板受热面积较小,在高加热运行条件下,偏滤器靶板冷却面临重大技术挑战的技术问题。构建的鼎偏滤器磁场位形结构,不仅能缓解靶板热负载,改善偏滤器运行与芯部高加热等离子体运行的兼容性,更好发挥其排灰和屏蔽杂质的特性,也降低实现先进偏滤器位形对线圈电流强度和线圈布置复杂程度的要求。

    一种用于托卡马克装置的碳基钨涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN103352222B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201310252774.9

    申请日:2013-06-24

    Abstract: 本发明提供一种用于托卡马克装置的碳基钨涂层的制备方法,其包括如下步骤:(a)对碳材料工件表面预处理;(b)将表面预处理后的碳材料工件放入镀膜设备中,加热后进行等离子体清洗,再利用磁控溅射制备过渡层;(c)将沉积了过渡层的碳材料工件置入化学气相沉积设备中沉积钨涂层。本发明采用碳材料-过渡层-钨涂层结构,过渡层可以解决钨和碳之间在高温下由于扩散而生成脆性碳化钨的缺点;并且快速沉积的厚钨涂层与基体结合良好,可以承受5s脉冲、1-5MW/m2的热负荷。用本发明的碳基钨涂层具有非常优良的抗热冲击性能以及耐热疲劳性能。本发明提出的碳基钨涂层适用于托卡马克装置第一壁和偏滤器位置。

    一种真空钎焊用夹具
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111347120B

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN201811578817.1

    申请日:2018-12-24

    Abstract: 本发明涉及钎焊技术领域,具体涉及一种真空钎焊用夹具。一种真空钎焊夹具,用于偏滤器面壁单元与热沉材料的连接定位,包括底板、螺栓、上固定块、下固定块,弹片及定位块;通过上下固定块及上下弹片的设计将螺母施加的作用力转变为沿螺栓柱的均衡作用力,并通过底板及螺栓柱的配合使得该作用力通过定位块实现不同模块间的准确定位。

    一种增强碳基材料与铜合金钎焊连接的方法

    公开(公告)号:CN112620847B

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202011449318.X

    申请日:2020-12-09

    Abstract: 本发明属于异质材料连接技术领域,具体涉及一种增强碳基材料与铜合金钎焊连接的方法,包括:将碳基材料基体放入有机溶剂中进行超声波清洗、加热烘烤除气并抽真空;利用Ar气等离子体对碳基材料表面进行溅射清洗,同时对碳基材料进行预加热;在碳基材料基体表面上制备金属碳化物冶金层;在金属碳化物冶金层的表面沉积金属化涂层;关闭金属靶材电源,停止工作气体Ar气的充入,关闭加热,真空腔室中的真空度恢复为本底真空度,待碳基材料基体冷却后取出。本发明方法有效解决碳基材料与铜合金连接存在热膨胀系数差异大和润湿性差的问题,实现碳基材料与铜合金热沉材料之间的冶金结合。

    一种具有室温韧性块体钨材料的制备方法

    公开(公告)号:CN113913637A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202010650187.5

    申请日:2020-07-08

    Abstract: 本发明属于制备方法,具体涉及一种具有室温韧性块体钨材料的制备方法。一种具有室温韧性块体钨材料的制备方法,包括:步骤1:制备粉末及烧结;制备钨材料粉末,并将粉末烧结到指定尺寸,形成颗粒弥散强化钨合金棒;步骤2:加热;将烧结后产物加热并锻打加工;步骤3:退火;对锻打完成的产品进行退火。本发明的显著效果是:本发明能有效的降低钨材料中的氧含量,同时使钨材料塑性和强度得到显著提高。通过该工艺制备得到的钨块体材料具备明显的纤维织构,可以使钨材料的韧‑脆转变温度降低到室温,即在室温下就能发生明显的塑性变形。该工艺路线是在传统钨材料的制备方法上通过改良提到,适合进行规模化制备。

    一种低活化钢和钨全固溶体接头的制备方法

    公开(公告)号:CN113909801A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202010650438.X

    申请日:2020-07-08

    Abstract: 本发明属于连接方法,具体涉及一种低活化钢和钨全固溶体接头的制备方法。它包括:步骤一:确定过渡层材料;根据母材和过渡层材料性质,确定过渡层材料,焊接结构位;步骤二:打磨和清洗;将过渡层材料和母材进行打磨和超声清洗,对母材表面进行金属沉积;步骤三:清洗和装配;母材钨合金进行打磨和超声清洗并风干,采用工装把钒箔带和磁控溅射后的低活化钢样品,以及钨合金按照钨合金/钒箔带/铬涂层/低活化钢的顺序自上而下组装样品,并置于真空热压炉中;步骤四:真空热压烧结;对步骤三的产品进行真空热压烧结。本发明的显著效果是:解决钨和低活化钢之间热膨胀系数差异;避免在钨和低活化钢之间生成金属间化合物。

Patent Agency Ranking