公开(公告)号：CN108074800A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201611021916.0

申请日：2016-11-16

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  高云斌 ,  陈喜明 ,  史晶晶 ,  吴佳 ,  王弋宇 ,  杨鑫著 ,  刘国友

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体基材沟槽栅蚀刻方法。该方法包括以下步骤：步骤一：在半导体基材的表面上设置第一掩膜，并且在第一掩膜上形成暴露半导体基材的窗口区；步骤二：通过窗口区对半导体基材进行第一次蚀刻并形成第一沟槽，第一沟槽的底壁通过弧面与侧壁相连，弧面与所述底壁和侧壁相切并且背向底壁延伸；步骤三：除去半导体基材上的第一掩膜，并且在第一沟槽的底壁上形成第二掩膜，相邻的第一沟槽之间为半导体基材的暴露部分；步骤四：在第二掩膜的保护下，进行第二次蚀刻以蚀刻半导体基材的暴露部分并形成第二沟槽，第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度，并且第一沟槽的弧面形成为第二沟槽的侧壁的顶部边缘。

公开(公告)号：CN106941114A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201610003233.6

申请日：2016-01-05

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘国友 ,  朱利恒 ,  黄建伟 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  杨鑫著 ,  肖强 ,  文高

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明提供一种沟槽栅IGBT，包括：半导体衬底和第一结构，所述第一结构包括位于所述半导体衬底表面内的第一沟槽栅结构及第二沟槽栅结构；其中，第二沟槽栅结构位于两个第一沟槽栅结构之间，第一沟槽栅结构为真栅，第二沟槽栅结构为假栅；发射极金属与第二沟槽栅结构相接触。由于现有技术中的发射极金属接触区设置在沟槽之间，而本发明中的发射极金属接触区不限于沟槽之间，即发射极金属接触区包含了与假栅接触部分，增大了发射极金属接触区，使用此种结构并没有使沟槽间距增大，相反，还可以将第一沟槽栅结构与第二沟槽栅结构之间的距离适当缩小，使真栅与假栅之间的间距不再受发射极最小接触面积的影响，显著降低沟槽栅IGBT的导通压降。

公开(公告)号：CN108074800B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201611021916.0

申请日：2016-11-16

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  高云斌 ,  陈喜明 ,  史晶晶 ,  吴佳 ,  王弋宇 ,  杨鑫著 ,  刘国友

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体基材沟槽栅蚀刻方法。该方法包括以下步骤：步骤一：在半导体基材的表面上设置第一掩膜，并且在第一掩膜上形成暴露半导体基材的窗口区；步骤二：通过窗口区对半导体基材进行第一次蚀刻并形成第一沟槽，第一沟槽的的底壁通过弧面与侧壁相连，弧面与所述底壁和侧壁相切并且背向底壁延伸；步骤三：除去半导体基材上的第一掩膜，并且在第一沟槽的底壁上形成第二掩膜，相邻的第一沟槽之间为半导体基材的暴露部分；步骤四：在第二掩膜的保护下，进行第二次蚀刻以蚀刻半导体基材的暴露部分并形成第二沟槽，第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度，并且第一沟槽的弧面形成为第二沟槽的侧壁的顶部边缘。

公开(公告)号：CN106783568A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611226698.4

申请日：2016-12-27

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 姚尧 ,  杨鑫著 ,  文高 ,  蒋明明 ,  谭真华 ,  刘武平 ,  李超伟

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种功率器件栅极侧墙制备方法，包括：步骤1，在完成功率器件主体的多晶硅栅极刻蚀后，在所述功率器件主体的表面以及多晶硅栅极侧壁设置预定厚度的绝缘层；步骤2，在所述绝缘层上沉积绝缘保护层；步骤3，整面干法刻蚀所述绝缘保护层，将所述多晶硅栅极上方以及所述多晶硅栅极之间的所述绝缘保护层刻蚀干净；步骤4，整面干法刻蚀所述多晶硅栅极之间的所述绝缘层。通过在功率器件主体的栅极绝缘侧墙外侧沉积一层绝缘保护层，在干法刻蚀过程中，保护功率器件主体的多晶硅栅极的绝缘侧墙免受损失，使其保留较厚的厚度，从而改善器件的漏电特性，提高产品可靠性。