公开(公告)号：CN106783568A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611226698.4

申请日：2016-12-27

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 姚尧 ,  杨鑫著 ,  文高 ,  蒋明明 ,  谭真华 ,  刘武平 ,  李超伟

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种功率器件栅极侧墙制备方法，包括：步骤1，在完成功率器件主体的多晶硅栅极刻蚀后，在所述功率器件主体的表面以及多晶硅栅极侧壁设置预定厚度的绝缘层；步骤2，在所述绝缘层上沉积绝缘保护层；步骤3，整面干法刻蚀所述绝缘保护层，将所述多晶硅栅极上方以及所述多晶硅栅极之间的所述绝缘保护层刻蚀干净；步骤4，整面干法刻蚀所述多晶硅栅极之间的所述绝缘层。通过在功率器件主体的栅极绝缘侧墙外侧沉积一层绝缘保护层，在干法刻蚀过程中，保护功率器件主体的多晶硅栅极的绝缘侧墙免受损失，使其保留较厚的厚度，从而改善器件的漏电特性，提高产品可靠性。

公开(公告)号：CN106941114A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201610003233.6

申请日：2016-01-05

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘国友 ,  朱利恒 ,  黄建伟 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  杨鑫著 ,  肖强 ,  文高

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明提供一种沟槽栅IGBT，包括：半导体衬底和第一结构，所述第一结构包括位于所述半导体衬底表面内的第一沟槽栅结构及第二沟槽栅结构；其中，第二沟槽栅结构位于两个第一沟槽栅结构之间，第一沟槽栅结构为真栅，第二沟槽栅结构为假栅；发射极金属与第二沟槽栅结构相接触。由于现有技术中的发射极金属接触区设置在沟槽之间，而本发明中的发射极金属接触区不限于沟槽之间，即发射极金属接触区包含了与假栅接触部分，增大了发射极金属接触区，使用此种结构并没有使沟槽间距增大，相反，还可以将第一沟槽栅结构与第二沟槽栅结构之间的距离适当缩小，使真栅与假栅之间的间距不再受发射极最小接触面积的影响，显著降低沟槽栅IGBT的导通压降。