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公开(公告)号：CN106458849A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024971.2
申请日：2015-04-08
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C07C215/08 , C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F1/08
CPC classification number: C07F1/08 , C07C215/08 , C09D1/00 , C09D5/24 , C23C16/06 , C23C16/18 , C23C16/45525 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明的铜化合物由下述通式(I)表示。通式(I)中，R1～R3各自独立地表示碳数1～5的直链或支链烷基，其中，R1和R2为甲基时，R3表示碳数2～5的直链或支链烷基；R1为甲基、R2为乙基时，R3表示甲基或碳数3～5的直链或支链烷基。另外，本发明的薄膜形成用原料含有上述通式(I)表示的铜化合物。根据本发明，可提供熔点低、可在液体状态下输送、而且蒸气压大、容易气化的铜化合物及使用其的薄膜形成用原料。
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公开(公告)号：CN112004959A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980027076.4
申请日：2019-04-08
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C23C16/40 , C07F3/02 , C23C16/455 , H01L21/316
Abstract: 本发明使用含有下述通式(1)所示的镁化合物的原子层沉积法用薄膜形成用原料，在基体的表面生产率良好地制造含有镁原子的薄膜。(式中，R1表示异丙基、仲丁基或叔丁基。)
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公开(公告)号：CN107428677A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680013777.9
申请日：2016-02-12
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C07C251/08 , C23C16/18 , C07F15/06
CPC classification number: C07C251/08 , C07F15/06 , C07F15/065 , C23C16/18 , C23C16/45553
Abstract: 由下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物。(式中，R1和R2各自独立地表示碳数1～6的直链或支化状的烷基，R3表示氢原子或碳数1～6的直链或支化状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示由M表示的金属原子或硅原子的价数。)
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公开(公告)号：CN118223007A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410330494.3
申请日：2021-03-18
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明提供在基体的表面制造含有铟原子或镓原子的薄膜的方法，其包括：使将含有下述通式(1)表示的化合物的原子层沉积法用薄膜形成用原料气化而得到的原料气体中的所述化合物吸附于所述基体的表面来形成前体薄膜的工序；和使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有铟原子或镓原子的薄膜的工序，#imgabs0#式中，R1及R2各自独立地表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，L表示由下述通式(L‑2)表示的基团，M表示铟原子或镓原子，在烷基中，氢原子的一部分或全部可以被氟原子取代，#imgabs1#式中，R21～R23各自独立地表示氢原子、氟原子或碳原子数1～5的烷基，*表示与通式(1)中的M的键合位置，R21与R22为不同的基团，在烷基中，氢原子的一部分或全部可以被氟原子取代。
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公开(公告)号：CN115362282B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202180025691.9
申请日：2021-03-18
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供原子层沉积法用薄膜形成用原料，其含有由下述式(1)表示的化合物。#imgabs0#(式中，R1及R2各自独立地表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，L表示下述式(L‑1)或者(L‑2)表示的基团，M表示铟原子或镓原子。)#imgabs1#(式中，R11～R12各自独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数1～5的烷基或碳原子数1～5的烷氧基，*表示与式(1)中的M的键合位置。)#imgabs2#(式中，R21～R23各自独立地表示氢原子、氟原子或碳原子数1～5的烷基，*表示与式(1)中的M的键合位置。但是，R21与R22为不同的基团)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106660946B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201580040201.7
申请日：2015-07-16
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C07C251/08 , C23C16/18 , H01L21/285 , C07F1/08 , C07F15/06
Abstract: 本发明的醇盐化合物的特征在于由下述通式(I)表示。
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公开(公告)号：CN109715601A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780053070.5
申请日：2017-07-05
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C07C251/08 , C23C16/18 , C07F15/04
Abstract: 本发明涉及下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物。在通式(I)中，R1表示碳数1～6的直链或支链烷基，M表示镍原子或锰原子。特别地，在通式(I)中，R1为甲基的化合物由于蒸气压高，热分解开始温度高，因而适合用作利用CVD法或ALD法的薄膜形成用原料。
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公开(公告)号：CN106458849B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201580024971.2
申请日：2015-04-08
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C07C215/08 , C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F1/08
CPC classification number: C07F1/08 , C07C215/08 , C09D1/00 , C09D5/24 , C23C16/06 , C23C16/18 , C23C16/45525 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明的铜化合物由下述通式(I)表示。通式(I)中，R1～R3各自独立地表示碳数1～5的直链或支链烷基，其中，R1和R2为甲基时，R3表示碳数2～5的直链或支链烷基；R1为甲基、R2为乙基时，R3表示甲基或碳数3～5的直链或支链烷基。另外，本发明的薄膜形成用原料含有上述通式(I)表示的铜化合物。根据本发明，可提供熔点低、可在液体状态下输送、而且蒸气压大、容易气化的铜化合物及使用其的薄膜形成用原料。
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公开(公告)号：CN115362282A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180025691.9
申请日：2021-03-18
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供原子层沉积法用薄膜形成用原料，其含有由下述式(1)表示的化合物。(式中，R1及R2各自独立地表示氢原子或碳原子数1～5的烷基，L表示下述式(L‑1)或者(L‑2)表示的基团，M表示铟原子或镓原子。)(式中，R11～R12各自独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数1～5的烷基或碳原子数1～5的烷氧基，*表示与式(1)中的M的键合位置。)(式中，R21～R23各自独立地表示氢原子、氟原子或碳原子数1～5的烷基，*表示与式(1)中的M的键合位置。但是，R21与R22为不同的基团)。
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公开(公告)号：CN112969812A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980073135.1
申请日：2019-10-28
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C23C16/18 , C23C16/455 , H01L21/285
Abstract: 本发明的在基体上通过原子层沉积法制造金属钌薄膜的方法的特征在于，包括以下工序：(A)将包含特定钌化合物的原料气体导入处理气氛中，使该钌化合物沉积在所述基体上的工序；(B)将包含特定化合物的反应性气体导入处理气氛中，使其与沉积在所述基体上的特定钌化合物反应的工序。
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