公开(公告)号：CN117096056A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310539860.1

申请日：2023-05-12

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 天野薰 ,  斋藤良信

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供扩展装置和扩展方法，提出了用于通过对有无冷却不足的区域进行检测而防止产生被加工物的分割不良的技术。该扩展装置对粘贴有被加工物的片进行扩展，其中，该扩展装置包含：扩展机构，其对该片进行扩展；冷却单元，其对粘贴于该片的被加工物进行冷却；以及温度分布检测单元，其在利用该扩展机构对该片进行扩展之前对利用该冷却单元进行了冷却的被加工物的温度分布进行检测。

公开(公告)号：CN116631932A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310113582.3

申请日：2023-02-14

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 椙浦一辉 ,  森俊 ,  柿沼良典 ,  细野哲也 ,  天野薰

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供晶片转移方法和晶片转移装置，在不切断粘接带的情况下进行换贴而安全地转移晶片。该晶片转移方法将包含第1环状框架、第1粘接带和晶片的第1工件单元的该晶片转移至第2粘接带而形成第2工件单元，其中，该晶片转移方法具有如下的步骤：环状框架配设步骤，利用该第1环状框架和第2环状框架夹持爪体，由此使该第2环状框架按照不接触该第1环状框架的方式与该第1环状框架重叠；粘贴步骤，在该晶片的未粘贴于该第1粘接带的面上粘贴该第2粘接带，利用该第2环状框架借助该第2粘接带而保持该晶片；以及剥离步骤，从该晶片剥离该第1粘接带，并且从该第1环状框架剥离该第1粘接带。