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公开(公告)号：CN108500842A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810088187.3
申请日：2018-01-30
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B24B49/12 , B24B37/005 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及能够更适当且容易地对被加工物的磨削痕进行检测的被加工物的检査方法、被加工物的检査装置和加工装置。本发明的被加工物的检査方法具备下述步骤：加工步骤，利用磨削磨具或研磨垫对被加工物进行加工；投影步骤，将来自光源的光照射到该被加工物的被加工面，使由该被加工面反射的该光到达屏幕，从而将反映了在该加工步骤中形成在被加工面上的凹凸的状态的投影像映在该屏幕上；拍摄步骤，对该屏幕的该投影像进行拍摄而形成拍摄图像；以及判定步骤，基于该拍摄图像掌握该被加工物的该凹凸的状态，对被加工物的好坏进行判定。
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公开(公告)号：CN109216159B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201810658962.4
申请日：2018-06-25
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/02 , H01L21/677
Abstract: 提供晶片生成装置，能够从单晶SiC锭自动地生成SiC晶片。该晶片生成装置从单晶SiC锭生成SiC晶片，其中，该晶片生成装置包含：锭磨削组件；激光照射组件，其将对于单晶SiC锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC锭的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度而对单晶SiC锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离组件，其将SiC晶片从单晶SiC锭的剥离层剥离；以及搬送组件，其在锭磨削组件、激光照射组件以及晶片剥离组件之间对单晶SiC锭进行搬送。
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公开(公告)号：CN102189485B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201110034317.3
申请日：2011-02-01
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供一种蓝宝石基板的加工方法，能高效地精加工至使表面粗糙度在0.01μm以下。该方法包括：第一磨削工序，将蓝宝石基板的一个面侧保持于磨削装置的卡盘工作台，并对蓝宝石基板的另一个面进行磨削，以除去蓝宝石基板的另一个面的起伏；第二磨削工序，将实施过第一磨削工序的蓝宝石基板的另一个面侧保持于磨削装置的卡盘工作台，并对蓝宝石基板的一个面进行磨削，以除去蓝宝石基板的一个面的起伏；和表面研磨工序，将实施过第二磨削工序的蓝宝石基板的一个面或另一个面作为背面保持于研磨装置的卡盘工作台，利用通过橡胶材料将二氧化硅颗粒固定而构成的研磨垫对蓝宝石基板的表面进行干式研磨，精加工成使表面粗糙度在0.01μm以下。
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公开(公告)号：CN109216159A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810658962.4
申请日：2018-06-25
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/02 , H01L21/677
Abstract: 提供晶片生成装置，能够从单晶SiC锭自动地生成SiC晶片。该晶片生成装置从单晶SiC锭生成SiC晶片，其中，该晶片生成装置包含：锭磨削组件；激光照射组件，其将对于单晶SiC锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC锭的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度而对单晶SiC锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离组件，其将SiC晶片从单晶SiC锭的剥离层剥离；以及搬送组件，其在锭磨削组件、激光照射组件以及晶片剥离组件之间对单晶SiC锭进行搬送。
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公开(公告)号：CN102189485A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110034317.3
申请日：2011-02-01
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供一种蓝宝石基板的加工方法，能高效地精加工至使表面粗糙度在0.01μm以下。该方法包括：第一磨削工序，将蓝宝石基板的一个面侧保持于磨削装置的卡盘工作台，并对蓝宝石基板的另一个面进行磨削，以除去蓝宝石基板的另一个面的起伏；第二磨削工序，将实施过第一磨削工序的蓝宝石基板的另一个面侧保持于磨削装置的卡盘工作台，并对蓝宝石基板的一个面进行磨削，以除去蓝宝石基板的一个面的起伏；和表面研磨工序，将实施过第二磨削工序的蓝宝石基板的一个面或另一个面作为背面保持于研磨装置的卡盘工作台，利用通过橡胶材料将二氧化硅颗粒固定而构成的研磨垫对蓝宝石基板的表面进行干式研磨，精加工成使表面粗糙度在0.01μm以下。
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