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公开(公告)号：CN111106032B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910991284.8
申请日：2019-10-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , B23K26/53
Abstract: 提供晶片生成装置，能够从锭自动地生成晶片。该晶片生成装置包含：锭磨削单元，其对锭的上表面进行磨削而平坦化；激光照射单元，其将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离单元，其将晶片从锭剥离；以及托盘，其具有对所剥离的晶片进行支承的支承部。晶片生成装置还包含：传送带单元，其对托盘所支承的锭进行搬送；锭存放装置，其对托盘所支承的锭进行收纳；以及锭交接单元，其将托盘所支承的锭从锭存放装置交接至传送带单元。
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公开(公告)号：CN101714498A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910175727.2
申请日：2009-09-29
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/00 , H01L21/68 , H01L21/304 , B23K26/00 , B23K26/42
Abstract: 本发明提供一种加工装置，即使在对加工单元与摄像对象物之间存在不透光层的工件进行拍摄的情况下，也能够对摄像对象物进行拍摄。该加工装置具有：保持单元，其具有对工件进行保持的、由透明体形成的保持部；加工单元，其对由该保持单元保持的所述工件进行加工；加工进给单元，其使保持单元和加工单元在与保持部的表面平行的X轴方向以及与该X轴方向垂直的Y轴方向上相对地进给；以及摄像单元，其透过保持部对由保持单元保持的工件进行拍摄，该摄像单元包括：对工件进行拍摄的摄像机构；以及摄像机构进给单元，其使该摄像机构相对于保持部，在X轴方向和Y轴方向上进行相对的进给，通过加工进给单元使该摄像单元与该保持单元一体地进给。
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公开(公告)号：CN101556910A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910133133.5
申请日：2009-04-09
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/78 , B28D5/00
Abstract: 本发明提供一种加工装置，其能够确保装置内的空间，使装置内机构简化。加工装置(1)具有：保持构件，其对经粘接带支承在环状框架(8)的开口部上的工件(7)进行保持；加工构件，其对保持于该保持构件的工件(7)进行加工；和搬出构件(11)，其将环状框架(8)从载置于盒工作台的盒(6)搬出至框架临时放置区域(3)，在加工装置(1)中设有定位装置(10)，该定位装置(10)包括：框架导轨(12a、12b)，它们载置被搬出构件(11)搬出的环状框架；和导轨驱动构件(14)，其使该框架导轨(12a、12b)位于使环状框架(8)开放的位置和使环状框架(8)被定位的夹持位置，并且将环状框架从框架临时放置区域(3)移送至下一工序区域(5)。
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公开(公告)号：CN111106032A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201910991284.8
申请日：2019-10-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , B23K26/53
Abstract: 提供晶片生成装置，能够从锭自动地生成晶片。该晶片生成装置包含：锭磨削单元，其对锭的上表面进行磨削而平坦化；激光照射单元，其将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离单元，其将晶片从锭剥离；以及托盘，其具有对所剥离的晶片进行支承的支承部。晶片生成装置还包含：传送带单元，其对托盘所支承的锭进行搬送；锭存放装置，其对托盘所支承的锭进行收纳；以及锭交接单元，其将托盘所支承的锭从锭存放装置交接至传送带单元。
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公开(公告)号：CN109216159A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810658962.4
申请日：2018-06-25
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/02 , H01L21/677
Abstract: 提供晶片生成装置，能够从单晶SiC锭自动地生成SiC晶片。该晶片生成装置从单晶SiC锭生成SiC晶片，其中，该晶片生成装置包含：锭磨削组件；激光照射组件，其将对于单晶SiC锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC锭的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度而对单晶SiC锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离组件，其将SiC晶片从单晶SiC锭的剥离层剥离；以及搬送组件，其在锭磨削组件、激光照射组件以及晶片剥离组件之间对单晶SiC锭进行搬送。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109037027A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810507100.1
申请日：2018-05-24
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B23K26/53 , B23K26/0006 , B23K2103/56 , H01L21/02002 , H01L29/1608 , H01L21/02008 , H01L21/02041
Abstract: 本发明提供一种晶片生成装置，其能够由单晶SiC晶锭自动地生成SiC晶片。晶片生成装置(2)包含：保持单元(4)，其对单晶SiC晶锭(150)进行保持；平坦化单元(6)，其对保持单元(4)所保持的单晶SiC晶锭(150)的上表面进行磨削以将其平坦化；激光照射单元(8)，其将具有对于单晶SiC晶锭(150)来说为透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离保持单元(4)所保持的单晶SiC晶锭(150)的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭(150)照射激光光线LB，形成剥离层(170)；晶片剥离单元(10)，其对单晶SiC晶锭(150)的上表面进行保持，将SiC晶片(172)从剥离层(170)剥离；以及晶片收纳单元(12)，其收纳剥离得到的SiC晶片(172)。
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公开(公告)号：CN101714498B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200910175727.2
申请日：2009-09-29
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/00 , H01L21/68 , H01L21/304 , B23K26/00 , B23K26/42
Abstract: 本发明提供一种加工装置，即使在对加工单元与摄像对象物之间存在不透光层的工件进行拍摄的情况下，也能够对摄像对象物进行拍摄。该加工装置具有：保持单元，其具有对工件进行保持的、由透明体形成的保持部；加工单元，其对由该保持单元保持的所述工件进行加工；加工进给单元，其使保持单元和加工单元在与保持部的表面平行的X轴方向以及与该X轴方向垂直的Y轴方向上相对地进给；以及摄像单元，其透过保持部对由保持单元保持的工件进行拍摄，该摄像单元包括：对工件进行拍摄的摄像机构；以及摄像机构进给单元，其使该摄像机构相对于保持部，在X轴方向和Y轴方向上进行相对的进给，通过加工进给单元使该摄像单元与该保持单元一体地进给。
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公开(公告)号：CN101556910B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910133133.5
申请日：2009-04-09
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/78 , B28D5/00
Abstract: 本发明提供一种加工装置，其能够确保装置内的空间，使装置内机构简化。加工装置(1)具有：保持构件，其对经粘接带支承在环状框架(8)的开口部上的工件(7)进行保持；加工构件，其对保持于该保持构件的工件(7)进行加工；和搬出构件(11)，其将环状框架(8)从载置于盒工作台的盒(6)搬出至框架临时放置区域(3)，在加工装置(1)中设有定位装置(10)，该定位装置(10)包括：框架导轨(12a、12b)，它们载置被搬出构件(11)搬出的环状框架；和导轨驱动构件(14)，其使该框架导轨(12a、12b)位于使环状框架(8)开放的位置和使环状框架(8)被定位的夹持位置，并且将环状框架从框架临时放置区域(3)移送至下一工序区域(5)。
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公开(公告)号：CN1420529A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN02152868.3
申请日：2002-11-21
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 大宫直树
IPC: H01L21/304 , B28D5/00
Abstract: 在切削机的壳体的前面部配设有单侧门部、中央门部及其它侧门部。单侧门部安装成在覆盖清洗区域的前面部的关闭位置与朝壳体的单侧方向改变位置来开放清洗区域的前面部的开启位置之间移动自如。中央门部安装成在覆盖吸附区域的前面部的关闭位置与朝单侧方向改变位置而至少大部分位于单侧门部的后方或前方的开放吸附区域的前面部的开启位置之间移动自如。其它侧门部安装成在覆盖晶圆匣盒区域的前面部与开放晶圆匣盒区域的前面部的开启位置之间移动自如。配设有被加工物输送装置。该被加工物输送装置构成配设有可将被加工物保持于共通可动支承框体的第一保持装置与第二保持装置。
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公开(公告)号：CN109216159B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201810658962.4
申请日：2018-06-25
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/02 , H01L21/677
Abstract: 提供晶片生成装置，能够从单晶SiC锭自动地生成SiC晶片。该晶片生成装置从单晶SiC锭生成SiC晶片，其中，该晶片生成装置包含：锭磨削组件；激光照射组件，其将对于单晶SiC锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC锭的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度而对单晶SiC锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离组件，其将SiC晶片从单晶SiC锭的剥离层剥离；以及搬送组件，其在锭磨削组件、激光照射组件以及晶片剥离组件之间对单晶SiC锭进行搬送。
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