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公开(公告)号：CN102189485A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110034317.3
申请日：2011-02-01
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供一种蓝宝石基板的加工方法，能高效地精加工至使表面粗糙度在0.01μm以下。该方法包括：第一磨削工序，将蓝宝石基板的一个面侧保持于磨削装置的卡盘工作台，并对蓝宝石基板的另一个面进行磨削，以除去蓝宝石基板的另一个面的起伏；第二磨削工序，将实施过第一磨削工序的蓝宝石基板的另一个面侧保持于磨削装置的卡盘工作台，并对蓝宝石基板的一个面进行磨削，以除去蓝宝石基板的一个面的起伏；和表面研磨工序，将实施过第二磨削工序的蓝宝石基板的一个面或另一个面作为背面保持于研磨装置的卡盘工作台，利用通过橡胶材料将二氧化硅颗粒固定而构成的研磨垫对蓝宝石基板的表面进行干式研磨，精加工成使表面粗糙度在0.01μm以下。
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公开(公告)号：CN116197802A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211479896.7
申请日：2022-11-24
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供带基台的刀具的制造方法，能够省略或削减用于使基台与切削刀具一体化的粘接剂。该带基台的刀具的制造方法在具有环状的凸部的基台上固定具有圆形的开口的切削刀具而制造带基台的刀具，其中，该带基台的刀具的制造方法包含如下的工序：第1工序，准备基台和切削刀具，该基台具有外径比切削刀具的开口的直径大的凸部；第2工序，通过使基台的温度降低而使基台收缩以便使凸部的外径小于切削刀具的开口的直径；第3工序，将凸部插入至切削刀具的开口中；以及第4工序，通过使基台的温度上升而使基台膨胀以便在基台上固定切削刀具。
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公开(公告)号：CN106505012A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610795577.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/304 , H01L21/463
Abstract: 提供磨削磨轮以及被加工物的磨削方法，能够将被加工物磨削得更为平坦。该磨削磨轮(1)用于对板状的被加工物(11)进行磨削，其具有：圆盘状的磨轮基台(3)，其具有磨削时与被加工物相对的第1面(3a)；以及多个磨削磨具(5)，它们呈环状地排列在磨轮基台的第1面上，在磨轮基台的周向上相邻的两个磨削磨具在磨轮基台的径向上配置在不同的位置上。
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公开(公告)号：CN107403738B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201710332524.4
申请日：2017-05-12
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/66
Abstract: 提供一种去疵性的评价方法，对于可成为实际的产品的器件晶片，能够简便地对去疵性进行评价。一种晶片的去疵性评价方法，包含如下的工序：去疵层形成工序，使用研磨磨轮对半导体晶片的与正面相反的一侧的背面进行研磨并在背面形成研磨痕，并且在作为半导体晶片的内部的研磨痕的下部形成去疵层；拍摄工序，通过拍摄单元(31)对形成有研磨痕的背面的至少单位区域进行拍摄；计数工序，对在所拍摄的单位区域中具有10nm～500nm的宽度的研磨痕的个数进行计数；以及比较工序，对通过计数工序计数得到的研磨痕的个数是否为规定的值以上进行比较。
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公开(公告)号：CN106505012B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201610795577.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/304 , H01L21/463
Abstract: 提供磨削磨轮以及被加工物的磨削方法，能够将被加工物磨削得更为平坦。该磨削磨轮(1)用于对板状的被加工物(11)进行磨削，其具有：圆盘状的磨轮基台(3)，其具有磨削时与被加工物相对的第1面(3a)；以及多个磨削磨具(5)，它们呈环状地排列在磨轮基台的第1面上，在磨轮基台的周向上相邻的两个磨削磨具在磨轮基台的径向上配置在不同的位置上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105609414B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201510783173.X
申请日：2015-11-16
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供被加工物的磨削方法，能够使多个被加工物的整体平坦。同时对多个被加工物进行磨削加工的被加工物的磨削方法具有：被加工物粘贴工序，将多个被加工物粘贴在保持部件上；保持工序，通过卡盘工作台对粘贴在保持部件上的多个被加工物进行保持；以及磨削工序，使磨轮与多个被加工物接触，同时对多个被加工物进行磨削加工，磨轮具有圆盘状的轮基座、呈环状排列在轮基座的第一面上的多个第一磨削磨具、以及在多个第一磨削磨具的半径方向内侧与多个第一磨削磨具成同心圆状排列的多个第二磨削磨具，多个第一磨削磨具和多个第二磨削磨具在半径方向上的间隔比相邻的被加工物的最小间隔大。
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公开(公告)号：CN102189485B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201110034317.3
申请日：2011-02-01
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供一种蓝宝石基板的加工方法，能高效地精加工至使表面粗糙度在0.01μm以下。该方法包括：第一磨削工序，将蓝宝石基板的一个面侧保持于磨削装置的卡盘工作台，并对蓝宝石基板的另一个面进行磨削，以除去蓝宝石基板的另一个面的起伏；第二磨削工序，将实施过第一磨削工序的蓝宝石基板的另一个面侧保持于磨削装置的卡盘工作台，并对蓝宝石基板的一个面进行磨削，以除去蓝宝石基板的一个面的起伏；和表面研磨工序，将实施过第二磨削工序的蓝宝石基板的一个面或另一个面作为背面保持于研磨装置的卡盘工作台，利用通过橡胶材料将二氧化硅颗粒固定而构成的研磨垫对蓝宝石基板的表面进行干式研磨，精加工成使表面粗糙度在0.01μm以下。
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公开(公告)号：CN116141109A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211396539.4
申请日：2022-11-09
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B24B7/22 , B24B37/10 , B24B37/30 , B24B47/20 , B24B37/005 , B24B41/06 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供被加工物的加工方法，能够减少被加工物的研磨后附着于被加工物的被研磨面的加工屑。被加工物的加工方法具有如下的步骤：加工步骤，一边使作为进行磨削或研磨的加工工具的研磨垫(26)与保持工作台所保持的被加工物(100)接触并按压一边进行加工；以及退避步骤，在加工工具的研磨垫(26)与被加工物(100)接触的状态下，使加工工具的研磨垫(26)与被加工物(100)以规定的速度在水平方向上相对地远离，使加工工具的研磨垫(26)与被加工物(100)接触的接触区域逐渐减少。
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公开(公告)号：CN115533736A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210632913.X
申请日：2022-06-07
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供研磨工具，其能够可靠地去除由于晶片的研磨而产生的静电。该研磨工具对晶片进行研磨，其中，该研磨工具包含：基台；以及研磨层，其固定于基台，在研磨层中分散有导电性材料，该导电性材料用于去除研磨层与晶片接触时产生的静电。优选导电性材料是碳纤维，碳纤维的含有率为3wt％以上且15wt％以下。
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