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公开(公告)号：CN110499533B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN201910399256.7
申请日：2019-05-14
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明涉及氮化物晶体基板以及氮化物晶体基板的制造方法，提供一种能够使氮化物晶体基板中的载流子浓度和迁移率中的至少任一者大致均匀地分布的技术。一种氮化物晶体基板，其具有主面，由III族氮化物的晶体形成，将基于利用反射型傅立叶变换红外光谱法测定的主面的反射率而求出的氮化物晶体基板的主面侧的载流子浓度设为NIR、将基于氮化物晶体基板的电阻率和利用涡流法测定的氮化物晶体基板的迁移率而求出的氮化物晶体基板中的载流子浓度设为NElec时，主面中央的载流子浓度NIR相对于载流子浓度NElec的比率NIR/NElec满足式(1)(0.5≤NIR/NElec≤1.5)。
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公开(公告)号：CN102465344B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110375181.2
申请日：2011-11-17
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 木村健
CPC classification number: C30B29/42 , C30B15/22 , C30B27/02 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的课题在于提供即使大口径化也可抑制滑移不良的发生的GaAs晶片及其制造方法。本发明的解决课题的方法为GaAs晶片的制造方法，其具有以下工序：通过LEC法生长GaAs单晶的生长工序、和将生长工序中得到的GaAs单晶进行切片来制作GaAs晶片的晶片制作工序；在生长工序中，GaAs单晶与原料熔液之间的固液界面的形状在上述原料熔液侧成为凸状，由原料熔液与液体密封材之间的界面到原料熔液中的GaAs单晶的顶端部的长度T1、与GaAs单晶的外径T2之比T1/T2为0.25≤T1/T2≤0.45，在晶片制作工序中得到的GaAs晶片的通用硬度在晶片面内一样为4000N/mm2以上4850N/mm2以下。
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公开(公告)号：CN110499533A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910399256.7
申请日：2019-05-14
Abstract: 本发明涉及氮化物晶体基板以及氮化物晶体基板的制造方法，提供一种能够使氮化物晶体基板中的载流子浓度和迁移率中的至少任一者大致均匀地分布的技术。一种氮化物晶体基板，其具有主面，由III族氮化物的晶体形成，将基于利用反射型傅立叶变换红外光谱法测定的主面的反射率而求出的氮化物晶体基板的主面侧的载流子浓度设为NIR、将基于氮化物晶体基板的电阻率和利用涡流法测定的氮化物晶体基板的迁移率而求出的氮化物晶体基板中的载流子浓度设为NElec时，主面中央的载流子浓度NIR相对于载流子浓度NElec的比率NIR/NElec满足式(1)(0.5≤NIR/NElec≤1.5)。
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