公开(公告)号：CN100347827C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN03800709.6

申请日：2003-02-20

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  花王株式会社

Inventor： 和田雄高 ,  赤朝彦 ,  佐佐木达也 ,  萩原敏也

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B7/228 ,  B24B37/04 ,  B24B37/044 ,  B24B49/12 ,  B24B53/02 ,  C09G1/00 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及利用固定磨粒研磨半导体晶片等研磨对象物的抛光方法及研磨液。本发明的抛光方法，将研磨对象物压紧到固定磨粒上，边使之滑动边进行研磨，其特征在于，边供应含有阴离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物，上述研磨液的pH为4至6.5，上述研磨液中的阴离子系界面活性剂的浓度为0.001重量%至0.15重量%。

公开(公告)号：CN1533595A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN03800709.6

申请日：2003-02-20

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  花王株式会社

Inventor： 和田雄高 ,  赤朝彦 ,  佐佐木达也 ,  萩原敏也

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B7/228 ,  B24B37/04 ,  B24B37/044 ,  B24B49/12 ,  B24B53/02 ,  C09G1/00 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及利用固定磨粒研磨半导体晶片等研磨对象物的抛光方法及研磨液。本发明的抛光方法，将研磨对象物压紧到固定磨粒上，边使之滑动边进行研磨，其特征在于，边供应含有阴离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物。

公开(公告)号：CN104552008A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410566888.5

申请日：2014-10-22

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 渡边博光 ,  山口都章 ,  小畠严贵 ,  和田雄高

IPC: B24B57/02 ,  B01D35/02

CPC classification number: B24B57/00 ,  B24B37/04 ,  B24B37/34

Abstract: 一种研磨方法以及研磨装置。在该研磨方法中一边将通过过滤器(14)的研磨液供给到研磨垫(1)上、一边使基板(W)与研磨垫(1)滑动接触而对该基板(W)进行研磨，一边增加作为研磨液的物理量的研磨液的流量及压力中的某一方直至所述物理量达到规定的设定值、一边使研磨液通过过滤器(14)，一边将通过过滤器(14)的研磨液供给到研磨垫(1)上、一边在研磨垫(1)上对基板(W)进行研磨。采用本发明，可防止粗大粒子被排出到研磨垫上的现象，同时可对基板进行研磨。

公开(公告)号：CN100369210C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN03800729.0

申请日：2003-02-20

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 和田雄高 ,  赤塚朝彦 ,  佐佐木达也

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B7/228 ,  B24B37/04 ,  B24B37/044 ,  B24B49/12 ,  B24B53/02 ,  C09G1/00 ,  H01L21/31053

Abstract: 在本发明的将研磨对象物压紧到固定磨粒上，边使之滑动边进行研磨的抛光方法，其特征在于具备：第一工序，边供应含有阴离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物；以及第二工序，边供应含有阳离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物。

公开(公告)号：CN1791490B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200480013400.0

申请日：2004-05-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 广川一人 ,  中井俊辅 ,  大田真朗 ,  和田雄高 ,  小林洋一

IPC: B24B49/12 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/205 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  H01L21/30625

Abstract: 一种衬底抛光设备，其将诸如半导体晶片的衬底表面抛光至平坦镜面光洁度。根据本发明的衬底抛光设备包括：可旋转工作台(12)，其具有用于抛光半导体衬底(18)的抛光垫；光发射和接收装置(80，82)，其用于发射测量光，以使之穿过设置在抛光垫(16)上的通孔到达半导体衬底(18)，并且接收来自半导体衬底(18)的反射光，以便测量该半导体衬底(18)上的薄膜；以及供给通道(44)，其用于向测量光的通道供应流体。该供给通道(44)具有设置在通孔(84)中的出口部分。

公开(公告)号：CN104552008B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201410566888.5

申请日：2014-10-22

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 渡边博光 ,  山口都章 ,  小畠严贵 ,  和田雄高

IPC: B24B57/02 ,  B01D35/02

CPC classification number: B24B57/00 ,  B24B37/04 ,  B24B37/34

Abstract: 一种研磨方法以及研磨装置。在该研磨方法中一边将通过过滤器(14)的研磨液供给到研磨垫(1)上、一边使基板(W)与研磨垫(1)滑动接触而对该基板(W)进行研磨，一边增加作为研磨液的物理量的研磨液的流量及压力中的某一方直至所述物理量达到规定的设定值、一边使研磨液通过过滤器(14)，一边将通过过滤器(14)的研磨液供给到研磨垫(1)上、一边在研磨垫(1)上对基板(W)进行研磨。采用本发明，可防止粗大粒子被排出到研磨垫上的现象，同时可对基板进行研磨。

公开(公告)号：CN1791490A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200480013400.0

申请日：2004-05-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 广川一人 ,  中井俊辅 ,  大田真朗 ,  和田雄高 ,  小林洋一

IPC: B24B49/12 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/205 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  H01L21/30625

Abstract: 一种衬底抛光设备，其将诸如半导体晶片的衬底表面抛光至平坦镜面光洁度。根据本发明的衬底抛光设备包括：可旋转工作台(12)，其具有用于抛光半导体衬底(18)的抛光垫；光发射和接收装置(80，82)，其用于发射测量光，以使之穿过设置在抛光垫(16)上的通孔到达半导体衬底(18)，并且接收来自半导体衬底(18)的反射光，以便测量该半导体衬底(18)上的薄膜；以及供给通道(44)，其用于向测量光的通道供应流体。该供给通道(44)具有设置在通孔(84)中的出口部分。

公开(公告)号：CN1537324A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN03800729.0

申请日：2003-02-20

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 和田雄高 ,  赤塚朝彦 ,  佐佐木达也

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B7/228 ,  B24B37/04 ,  B24B37/044 ,  B24B49/12 ,  B24B53/02 ,  C09G1/00 ,  H01L21/31053

Abstract: 在本发明的将研磨对象物压紧到固定磨粒上，边使之滑动边进行研磨的抛光方法，其特征在于具备：第一工序，边供应含有阴离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物；以及第二工序，边供应含有阳离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物。