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公开(公告)号：CN1206708C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN02118478.X
申请日：2002-04-27
Applicant: 株式会社神户制钢所 , 大日本屏幕制造株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/00 , B08B3/04
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67028
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，其特征为，它包括以下工序：在湿式处理装置中向基板供应处理液，进行湿式处理的湿式处理工序，把前述湿式处理后的基板在保持未干燥的状态下运送到与前述基板处理装置分开设置的干燥处理装置中的运送工序，以及在前述干燥处理装置中对前述基板进行采用超临界流体进行超临界干燥处理的干燥处理工序。本发明还提供一种基板处理设备，其特征为，它配备有：向基板供应处理液进行湿式处理的湿式处理装置，与该湿式处理装置分别设置、对基板进行采用超临界流体的超临界干燥处理的干燥处理装置，以及将前述湿式处理后的基板从前述湿式处理装置中取出、在保持其未干燥的状态下运送到前述干燥处理装置中的运送机构。
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公开(公告)号：CN1385882A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN02118478.X
申请日：2002-04-27
Applicant: 株式会社神户制钢所 , 大日本屏幕制造株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/00 , B08B3/04
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67028
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法及基板处理设备,可以对晶片等基板进行从湿式处理直到超临界干燥处理的一系列处理、而且安全、通用性强,达到更高的生产效率。在湿式处理装置(1)中,对晶片(9)进行规定的湿式处理,将利用纯水漂洗处理后的晶片(9)在未干燥的状态下利用晶片运送装置(3)运送到与湿式处理装置(1)分开设置的干燥处理装置(2)中,在该处对晶片(9)进行超临界干燥处理。
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公开(公告)号：CN1464798A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02802472.9
申请日：2002-07-22
Applicant: 大日本网目版制造株式会社 , 株式会社神户制钢所
IPC: B01J3/00 , B01J3/02 , H01L21/304 , B08B3/02
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B5/02 , C23G5/00
Abstract: 本发明涉及高压处理装置和高压处理方法，不仅简单地从供给喷嘴(13、13)向基板(W)的表面供给处理流体，而且由各个供给喷嘴13供给的处理流体的流动方向(R1，R1)，在基板(W)表面内相互错开。因此，在基板(W)的表面上，形成处理流体的旋转流(TF)，处理流体与基板(W)的表面接触，进行规定的表面处理(洗净处理，第一次冲洗处理，第二次冲洗处理，干燥处理等)。
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公开(公告)号：CN100366332C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN02802472.9
申请日：2002-07-22
Applicant: 大日本网目版制造株式会社 , 株式会社神户制钢所
IPC: B01J3/00 , B01J3/02 , H01L21/304 , B08B3/02
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B5/02 , C23G5/00
Abstract: 本发明涉及高压处理装置和高压处理方法，不仅简单地从供给喷嘴(13、13)向基板(W)的表面供给处理流体，而且由各个供给喷嘴13供给的处理流体的流动方向(R1，R1)，在基板(W)表面内相互错开。因此，在基板(W)的表面上，形成处理流体的旋转流(TF)，处理流体与基板(W)的表面接触，进行规定的表面处理(洗净处理，第一次冲洗处理，第二次冲洗处理，干燥处理等)。
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