公开(公告)号：CN100549824C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200510056507.X

申请日：2005-03-18

Applicant: 东曹株式会社 ,  大日本屏幕制造株式会社

Inventor： 原靖 ,  高桥史治 ,  林博明

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/00 ,  C09K13/08

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/67086

Abstract: 本发明涉及的蚀刻用组合物是用于把含有铪化合物的绝缘膜进行蚀刻的蚀刻用组合物，其特征在于，包括氟化物及氯化物。另外，本发明涉及的基本蚀刻处理方法，是把基板上形成的铪化合物被膜，采用蚀刻用组合物进行蚀刻的基板蚀刻处理方法，作为上述蚀刻用组合物是含有氟化物及氯化物的组合物。

公开(公告)号：CN1383191A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02119819.5

申请日：2002-04-17

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  大日本屏幕制造株式会社

Inventor： 山形昌弘 ,  大柴久典 ,  坂下由彦 ,  井上阳一 ,  村冈祐介 ,  齐藤公続 ,  沟端一国雄 ,  北门龙治

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  B08B3/00

CPC classification number: B08B7/0021 ,  B08B3/02 ,  Y10S134/902

Abstract: 提供一种在净室内可设置一部分的小型结构的装置,可稳定进行高压处理的高压处理装置。一种在加压下使被处理体接触高压流体和高压流体以外的药液,去除被处理体上的无用物质的高压处理装置,具有多个高压处理室、对各高压处理室提供高压流体的公共高压流体提供单元、对各高压处理室提供药液的公共药液提供单元、从处理完上述被处理体后上述高压处理室排出的高压流体和药液的混合物中分离气体成分的分离单元。

公开(公告)号：CN1260782C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN02119819.5

申请日：2002-04-17

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  大日本屏幕制造株式会社

Inventor： 山形昌弘 ,  大柴久典 ,  坂下由彦 ,  井上阳一 ,  村冈祐介 ,  齐藤公 ,  沟端一国雄 ,  北门龙治

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  B08B3/00

CPC classification number: B08B7/0021 ,  B08B3/02 ,  Y10S134/902

Abstract: 提供一种在净室内可设置一部分的小型结构的装置，可稳定进行高压处理的高压处理装置。一种在加压下使被处理体接触高压流体和高压流体以外的药液，去除被处理体上的无用物质的高压处理装置，具有多个高压处理室、对各高压处理室提供高压流体的公共高压流体提供单元、对各高压处理室提供药液的公共药液提供单元、从处理完上述被处理体后上述高压处理室排出的高压流体和药液的混合物中分离气体成分的分离单元。

公开(公告)号：CN1206708C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN02118478.X

申请日：2002-04-27

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  大日本屏幕制造株式会社

Inventor： 井上阳一 ,  坂下由彦 ,  渡邉克充 ,  川上信之 ,  石井孝彦 ,  村冈祐介 ,  齐藤公続 ,  岩田智巳 ,  沟端一国雄 ,  三宅孝志 ,  北门龙治

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/00 ,  B08B3/04

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67028

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，其特征为，它包括以下工序：在湿式处理装置中向基板供应处理液，进行湿式处理的湿式处理工序，把前述湿式处理后的基板在保持未干燥的状态下运送到与前述基板处理装置分开设置的干燥处理装置中的运送工序，以及在前述干燥处理装置中对前述基板进行采用超临界流体进行超临界干燥处理的干燥处理工序。本发明还提供一种基板处理设备，其特征为，它配备有：向基板供应处理液进行湿式处理的湿式处理装置，与该湿式处理装置分别设置、对基板进行采用超临界流体的超临界干燥处理的干燥处理装置，以及将前述湿式处理后的基板从前述湿式处理装置中取出、在保持其未干燥的状态下运送到前述干燥处理装置中的运送机构。

公开(公告)号：CN1673862A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510056507.X

申请日：2005-03-18

Applicant: 东曹株式会社 ,  大日本屏幕制造株式会社

Inventor： 原靖 ,  高桥史治 ,  林博明

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/00 ,  C09K13/08

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/67086

Abstract: 本发明涉及的蚀刻用组合物是用于把含有铪化合物的绝缘膜进行蚀刻的蚀刻用组合物，其特征在于，包括氟化物及氯化物。另外，本发明涉及的基本蚀刻处理方法，是把基板上形成的铪化合物被膜，采用蚀刻用组合物进行蚀刻的基板蚀刻处理方法，作为上述蚀刻用组合物是含有氟化物及氯化物的组合物。

公开(公告)号：CN1385882A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN02118478.X

申请日：2002-04-27

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  大日本屏幕制造株式会社

Inventor： 井上阳一 ,  坂下由彦 ,  渡邉克充 ,  川上信之 ,  石井孝彦 ,  村冈祐介 ,  齐藤公続 ,  岩田智巳 ,  沟端一国雄 ,  三宅孝志 ,  北门龙治

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/00 ,  B08B3/04

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67028

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法及基板处理设备,可以对晶片等基板进行从湿式处理直到超临界干燥处理的一系列处理、而且安全、通用性强,达到更高的生产效率。在湿式处理装置(1)中,对晶片(9)进行规定的湿式处理,将利用纯水漂洗处理后的晶片(9)在未干燥的状态下利用晶片运送装置(3)运送到与湿式处理装置(1)分开设置的干燥处理装置(2)中,在该处对晶片(9)进行超临界干燥处理。

公开(公告)号：CN85108635A

公开(公告)日：1986-06-10

申请号：CN85108635

申请日：1985-09-28

Applicant: 大日本屏幕制造株式会社

Inventor： 井上俊文 ,  山田光彦 ,  三木茂

IPC: G06F15/62

CPC classification number: G06T1/20

Abstract: 本发明可减少图象数据的处理时间。其方法是将一要被处理的图象分隔成多个子图象，并把这些子图象在一有限的存贮空间进行图象处理，特别是当在多个缓冲存贮器里进行高速拟合转换时，通过最有效地使用多个缓冲存贮器的存贮空间来减少对原图象分隔为子图象的个数。