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公开(公告)号：CN116895522A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310350521.9
申请日：2023-04-04
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/28 , H01L21/428 , H01L21/44 , H01L21/463
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：在化合物半导体衬底(12)的第一表面(12a)中沿着多个器件区域(40)之间的界面形成排气凹部(14)，化合物半导体衬底包括与第一表面(12a)相邻的多个器件区域(40)；通过施加激光束(112)，在化合物半导体衬底内部形成改变层(16)以沿着第一表面在对应于排气凹部的深度范围的深度处延伸；在改变层处将化合物半导体衬底分割成包括第一表面(12a)的第一部分(61)和包括化合物半导体衬底的与第一表面(12a)相反的第二表面(12b)的第二部分(62)；以及形成金属膜(71、81、91)以覆盖第一部分的分割面(61a)，同时露出排气凹部。
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公开(公告)号：CN116344324A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211656107.2
申请日：2022-12-22
IPC: H01L21/02
Abstract: 碳化硅晶片，其包括：基础晶片(20)，其由碳化硅制成并掺杂有n型杂质；和外延层(30)，其布置在基础晶片(20)的主表面(20a)上，由碳化硅制成并掺杂有n型杂质。基础晶片(20)具有厚度t1和平均杂质浓度n1，外延层(30)具有厚度t2和平均杂质浓度n2。基础晶片(20)和外延层(30)被构造为满足数学公式1：[式1]‑0.0178
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公开(公告)号：CN117198871A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310654810.8
申请日：2023-06-05
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/78
Abstract: 半导体装置的制造方法，具备以下工序：对于具有多个元件区域的半导体基板的第1表面，沿着上述元件区域的边界推抵推压部件，从而在上述半导体基板的第1表面侧，形成沿着上述边界并且在上述半导体基板的厚度方向上延伸的裂纹的工序；在形成上述裂纹的上述工序之后，在上述第1表面形成跨上述多个元件区域的金属膜的工序；以及在形成上述金属膜的上述工序之后，从位于上述第1表面的背侧的第2表面侧沿着上述边界将分割部件推抵于上述半导体基板，从而沿着上述边界将上述半导体基板和上述金属膜分割的工序。
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公开(公告)号：CN117476740A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310922674.6
申请日：2023-07-26
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/304
Abstract: 提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备半导体衬底，该半导体衬底在从上方观察时是四边形，具有表面、位于表面的相反侧的背面、和将表面及背面连接的4个侧面。各侧面具有沿着半导体衬底的表面的周缘所延伸的方向交替地反复出现凸部和凹部的阶差部。
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公开(公告)号：CN118053810A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311493826.1
申请日：2023-11-10
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/304
Abstract: 半导体装置的制造方法，具备如下工序：在半导体晶圆的第一表面，以将多个元件构造排列成矩阵状的方式形成多个元件构造；沿相邻的元件构造的边界将按压部件向半导体晶圆的位于第一表面的背侧的第二表面进行推抵，从而在半导体晶圆中形成沿着边界并且沿半导体晶圆的厚度方向延伸的裂纹；以及从第一表面侧沿着边界将分割部件向半导体晶圆进行推抵，从而沿边界分割半导体晶圆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117947507A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311371635.8
申请日：2023-10-23
Abstract: 在碳化硅晶片的制造装置中，搭载部(50)构成为具备具有载置晶种基板(10)的背面(10b)侧的载置面(61a)的基座部(60)、以及以包围晶种基板的周围的状态配置于基座部的引导部(70)。在使外延层(11)生长时，使台阶流动生长方向的上游侧的晶种基板与引导部的第一间隔(L1)，比台阶流动生长方向的下游侧的晶种基板与引导部的第二间隔(L2)窄，引导部构成为在使外延层生长时，温度比晶种基板低。
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公开(公告)号：CN116504606A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310055335.2
申请日：2023-01-18
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
Abstract: 制造氮化镓衬底的方法包括制备氮化镓晶片、形成转换层和形成氮化镓衬底。氮化镓具有第一主表面和第二主表面，所述第二主表面在与所述第一主表面相对的一侧上。所述氮化镓晶片由六方晶体制成，并且所述第一主表面和所述第二主表面中的每一个都是所述六方晶体的{1‑100}m‑平面。通过将激光束发射到所述氮化镓晶片中，沿着所述氮化镓晶片的平面方向形成所述转换层。通过在所述转换层处分割所述氮化镓晶片来由所述氮化镓晶片形成所述氮化镓衬底。在所述转换层的形成中，发射所述激光束以形成用于形成所述转换层的照射标记。
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公开(公告)号：CN115966589A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211136290.3
申请日：2022-09-19
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
Abstract: 一种半导体芯片包括构成芯片的基板(110)，其具有一个表面(110a)、与所述一个表面相反的另一表面(110b)、以及连接所述一个表面和所述另一表面的两对相反侧表面(110c)。所述一个表面和所述另一表面沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的一个。两对相反侧表面中的一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另一个。两对相反侧表面中的另一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另外一个。所述侧表面包括在作为侧表面的法线方向的深度方向上的表面层部分中包含氧化镓和镓金属的改变层(120)。
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公开(公告)号：CN117476583A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310922683.5
申请日：2023-07-26
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L21/60 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备半导体基板和在半导体基板的表面设置的金属层。金属层具有第1金属层和将第1金属层的表面覆盖且与第1金属层相比焊料浸润性高的第2金属层。第2金属层在金属层的主表面露出。第1金属层在金属层的侧面露出。在金属层的主表面设有突起部。突起部以沿着主表面的外周缘绕一圈的方式延伸。
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公开(公告)号：CN115966515A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211225008.9
申请日：2022-10-09
IPC: H01L21/78
Abstract: 半导体器件的制造方法包括沟槽形成步骤、激光照射步骤和剥离步骤。在沟槽形成步骤中，沟槽形成于半导体衬底(1)的其上形成有器件结构的第一主表面(1a)上。在激光照射步骤中，激光从半导体衬底的第二主表面照射到平面表面(3)上，该平面表面在半导体衬底的预定深度处定位并延伸。在剥离步骤中，器件层(2)从半导体衬底沿激光照射的平面表面剥离。剥离步骤可以在沟槽未填充或填充有具有比半导体衬底更低的热膨胀系数的材料的状态下进行。
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