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公开(公告)号:CN116507896A
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN202180069780.3
申请日:2021-10-29
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01L9/00
Abstract: 多个振动区域(22)为,振动区域(22)彼此之间通过狭缝(41)分离,狭缝(41)以构成使宽度从振动区域(22)中的与支承体(10)侧相反的一侧的一面(22a)侧向与该一面(22a)相反的一侧的另一面(22b)侧而变窄的锥部(42)的状态形成。电极膜(60)在对一面(22a)而言的法线方向上配置于比狭缝(41)靠内侧的位置,振动区域(22)中的构成锥部(42)的侧面(22c)和与一面(22a)平行的面(22b、Sv)所成的角度(θ1)为39°~81°。
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公开(公告)号:CN100419430C
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200510129561.2
申请日:2005-12-06
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01P1/02
Abstract: 本发明公开了一种传感器装置,包括:在一个表面上具有可移动部分(20)的传感器芯片(100)、与传感器芯片的可移动部分相对而层叠在传感器芯片上的电路芯片(200)、位于传感器芯片和电路芯片之间的凸块(80)。在该传感器芯片中,传感器芯片和电路芯片通过凸块电连接,且传感器芯片的可移动部分通过凸块与电路芯片隔开一定间隙。因此,可以有效防止两个芯片之间的电连接部的寄生电容由于冲击而变化。例如,传感器芯片可用作角速度传感器装置,其具有作为可移动部分的振动器。
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公开(公告)号:CN117222301A
公开(公告)日:2023-12-12
申请号:CN202310646405.1
申请日:2023-06-02
IPC: H10N30/50 , H10N30/853 , H10N30/00 , H10N30/05
Abstract: 本发明提供一种压电膜层叠体,其具备SiN膜(14)和ScAlN膜(15)。SiN膜(14)具有衬底表面(14a)。ScAlN膜(15)与衬底表面(14a)相接地配置。衬底表面(14a)的表面粗糙度按算术平均粗糙度的值计为0.5nm以下。
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公开(公告)号:CN1786717A
公开(公告)日:2006-06-14
申请号:CN200510129561.2
申请日:2005-12-06
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01P1/02
Abstract: 本发明公开了一种传感器装置,包括:在一个表面上具有可移动部分(20)的传感器芯片(100)、与传感器芯片的可移动部分相对而层叠在传感器芯片上的电路芯片(200)、位于传感器芯片和电路芯片之间的凸块(80)。在该传感器芯片中,传感器芯片和电路芯片通过凸块电连接,且传感器芯片的可移动部分通过凸块与电路芯片隔开一定间隙。因此,可以有效防止两个芯片之间的电连接部的寄生电容由于冲击而变化。例如,传感器芯片可用作角速度传感器装置,其具有作为可移动部分的振动器。
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