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公开(公告)号：CN118525356A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202280088241.9
申请日：2022-12-15
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/304 , B23H5/08
Abstract: 本发明的半导体晶片(W)的表面加工方法包含以下的处理、步骤、或者工序：通过在存在电解液(S)的情况下以半导体晶片(W)为阳极使电流密度为20mA/cm2以上的脉冲电流流过，从而对上述半导体晶片的被加工面(W1)进行阳极氧化。在使具有磨石层(32)的表面加工垫(3)中的上述磨石层与上述被加工面对置配置的状态下，通过上述磨石层选择性地去除通过阳极氧化在上述被加工面上生成的氧化物。
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公开(公告)号：CN115945799A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211220832.5
申请日：2022-10-08
Applicant: 株式会社电装 , 国立大学法人埼玉大学
Abstract: 一种用于晶片的制造方法，包括：将激光束辐射到待切断该晶锭的计划切断表面上；以及利用该激光束的辐射，在该计划切断表面处形成多个改造部(31)，以从该改造部延伸裂纹，从而对晶片进行切割，其中，该激光束的能量密度超过改造阈值(Eth)。该能量密度满足以下条件中的至少一个：该能量密度的峰值(Ep)小于或等于44J/cm2；在与该能量密度达到该改造阈值Eth的最浅位置对应的部分处的该能量密度的上升率(α)大于或等于1000J/cm3；以及该能量密度超过该改造阈值的深度范围(W)小于或等于30μm。
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公开(公告)号：CN113458905B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202110338843.2
申请日：2021-03-30
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片的制造方法、半导体衬底的制造方法和碳化硅半导体装置的制造方法。提供了SiC晶片的制造方法，其可以增加可以由所制造的SiC单晶锭制备的SiC晶片的收率和半导体芯片的成品收率。在由SiC单晶锭80形成圆柱部时，圆柱部的直径逐渐改变。具体地，将被配置成具有截头圆锥形状的SiC单晶锭80制成其直径从SiC单晶锭80的上表面朝向下表面增加的圆柱部，而不是都具有相同直径的圆柱部。
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公开(公告)号：CN115763218A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211070800.1
申请日：2022-09-02
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种半导体晶片的制造方法包括：准备具有第一主表面和在第一主表面的背面的第二主表面的锭，剥离层沿着第一主表面形成在锭中；以及相对于沿第一主表面的表面方向从锭的外部向锭施加负荷，使得具有作为锭在表面方向上的第一端的支承点的力矩作用在锭上，从而从锭剥离晶片前体。此外，可以对锭施加动态力，使得沿着锭厚度方向的拉伸应力作用在锭沿表面方向的整个区域上，从而从锭剥离晶片前体。
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公开(公告)号：CN115464546A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210565266.5
申请日：2022-05-23
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 提供了用于SiC衬底的表面处理设备和表面处理方法。提供了使用阳极氧化的用于SiC衬底的表面处理设备和表面处理方法。用于SiC衬底(W)的表面处理设备(1)包括表面处理垫(3)和电源装置(5)。表面处理垫(32)包括磨轮层。磨轮层被布置成面向SiC衬底的工件表面(W1)。电源装置使周期大于0.01秒且小于或等于20秒的脉冲电流在存在电解液(S)的情况下通过作为阳极的SiC衬底来对要由磨轮层处理的工件表面进行阳极氧化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118591867A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202280089586.6
申请日：2022-09-02
Applicant: 株式会社电装 , 国立大学法人大阪大学
IPC: H01L21/304 , B23Q3/08 , B24B1/00 , B24B41/06 , H01L21/683
Abstract: 卡盘装置(2)被构成为在使用了阳极氧化的晶片(W)的平坦化时保持晶片。该卡盘装置具备卡盘盖(22)、吸附部(23)以及通电部(24)。吸附部(23)具有吸附晶片(W)的吸附面(20)。通电部(24)设置于吸附部(23)，以使得与吸附于吸附部(23)的晶片(W)接触通电。卡盘盖(22)使吸附面(20)露出并且绝缘性地覆盖吸附部(23)以及通电部(24)。
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公开(公告)号：CN118402044A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280081615.4
申请日：2022-11-08
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/304 , B23K26/53 , B24B7/22 , B28D5/04
Abstract: 本发明涉及晶圆制造方法。从c轴以将中心轴(L)向偏离角方向(Dθ)上倾斜超过0度的偏离角后的状态设置的锭(2)得到晶圆的晶圆制造方法包含以下的过程、工序、或处理。通过对锭的高度方向上的一端侧的表面(21)照射具有透过性的激光束，在从表面起与晶圆的厚度对应的深度形成剥离层(25)。通过在偏离角方向上的锭的一端(23)沿一个方向施加负载，从而将作为锭的表面与剥离层之间的部分的晶圆前躯体(26)在剥离层从锭剥离。通过使通过从锭剥离晶圆前躯体从而得到的板状的剥离体的主面平坦化，从而得到晶圆。
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公开(公告)号：CN118402043A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280081607.X
申请日：2022-11-08
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/304 , B23K26/36 , B23K26/082 , B23K26/70
Abstract: 通过对锭的高度方向上的一端侧的表面照射具有透过性的激光束(B)，在与晶圆的厚度对应的深度形成剥离层。在剥离层的形成中，在第二方向(Df)上改变位置的同时进行多次激光扫描，该激光扫描是在使激光束的照射位置(PR)在第一方向(Ds)上移动的同时照射激光束的激光扫描。通过一次的激光扫描，照射第一方向以及第二方向上的照射位置不同的多个激光束(B1、B2、B3)。
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公开(公告)号：CN118369747A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202280081488.8
申请日：2022-11-08
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/304 , B23K26/53
Abstract: 本发明涉及晶片制造方法。从锭(2)得到晶片的晶片制造方法包含以下的步骤、工序或者处理。通过对锭的高度方向上的一端侧的表面(21)照射具有透过性的激光束，从而在距离表面与晶片的厚度对应的深度形成剥离层(25)。此时，以小面区域(RF)的照射频率比非小面区域(RN)的照射频率高的方式照射激光束。在剥离层从锭剥离锭的表面与剥离层之间的部分亦即晶片前驱体(26)。以电化学和机械的方式将通过从锭剥离晶片前驱体得到的板状的剥离体的主面平坦化，得到晶片。
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公开(公告)号：CN115394631A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210565258.0
申请日：2022-05-23
Applicant: 株式会社电装 , 国立大学法人大阪大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/321 , H01L21/04
Abstract: 一种用于SiC衬底的表面处理方法，包括以下过程或步骤：在存在电解液(S)的情况下，通过使电流密度为15mA/cm2或更大的电流通过作为阳极的SiC衬底来对SiC衬底的工件表面(W1)进行阳极氧化；将表面处理垫(3)的磨轮层(32)布置成面向工件表面，并且利用磨轮层来选择性地去除通过阳极氧化而形成在工件表面上的氧化物；以及同时或顺序地执行工件表面的阳极氧化以及利用磨轮层对形成在工件表面上的氧化物的选择性去除。
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