公开(公告)号：CN113458905B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202110338843.2

申请日：2021-03-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 巴赫曼·苏丹尼 ,  笹山和俊 ,  日比靖

IPC: B24B9/06 ,  B28D5/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片的制造方法、半导体衬底的制造方法和碳化硅半导体装置的制造方法。提供了SiC晶片的制造方法，其可以增加可以由所制造的SiC单晶锭制备的SiC晶片的收率和半导体芯片的成品收率。在由SiC单晶锭80形成圆柱部时，圆柱部的直径逐渐改变。具体地，将被配置成具有截头圆锥形状的SiC单晶锭80制成其直径从SiC单晶锭80的上表面朝向下表面增加的圆柱部，而不是都具有相同直径的圆柱部。

公开(公告)号：CN113458905A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110338843.2

申请日：2021-03-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 巴赫曼·苏丹尼 ,  笹山和俊 ,  日比靖

IPC: B24B9/06 ,  B28D5/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片的制造方法、半导体衬底的制造方法和碳化硅半导体装置的制造方法。提供了SiC晶片的制造方法，其可以增加可以由所制造的SiC单晶锭制备的SiC晶片的收率和半导体芯片的成品收率。在由SiC单晶锭80形成圆柱部时，圆柱部的直径逐渐改变。具体地，将被配置成具有截头圆锥形状的SiC单晶锭80制成其直径从SiC单晶锭80的上表面朝向下表面增加的圆柱部，而不是都具有相同直径的圆柱部。