公开(公告)号：CN101533829A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910007501.1

申请日：2009-02-11

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 加藤隆彦 ,  中野广 ,  赤星晴夫 ,  高田裕二 ,  须藤敬己 ,  藤原彻男 ,  菅野至 ,  庄野友陵 ,  广濑幸范

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体制造检查装置和检查装置，该半导体装置具有Cu布线，该Cu布线具有不受布线宽度的变化影响的、能够把表面缺陷降低到比能实用的级别还低的基本晶体结构。在该半导体装置中，通过确定阻挡膜和籽膜，且使晶界∑值27以下的对应(CSL)晶界占该Cu布线的全部晶界的比例(频度)为60％以上，能够把表面缺陷降低到能实用的现状级别的1/10以下。或者，在该半导体装置中，通过确定该阻挡膜和籽膜，且使晶界∑值3的对应(CSL)晶界占该Cu布线的全部晶界的比例(频度)为40％以上，能够得到同样的降低表面缺陷的效果。