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公开(公告)号：CN1519858A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200310101564.6
申请日：2003-10-07
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: G11C11/40 , G11C11/412
CPC classification number: G11C11/412 , H01L27/0207 , H01L27/108 , H01L27/10844 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/1112 , H01L28/84 , Y10S257/903
Abstract: 半导体存储装置设有：分别包括第一、第二驱动nMOS晶体管(3、4)和第一、第二TFT(7、8)的一对倒相器，包括第一、第二存取nMOS晶体管(1、2)的存储单元，与第一、第二存取nMOS晶体管(1、2)的漏极和第一、第二驱动nMOS晶体管(3、4)的漏极以及第一、第二TFT(7、8)的漏极电连接的第一、第二电容元件(5、6)。另外，第一、第二驱动nMOS晶体管(3、4)的栅极宽度至多为第一、第二存取nMOS晶体管的栅极宽度的1.2倍。
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公开(公告)号：CN1510687A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN03153055.9
申请日：2003-08-05
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: G11C11/40 , G11C11/412 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/412 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/10814 , H01L27/10894 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/1116
Abstract: 半导体装置(100)中设有：电容器(32a)和(32b)；有掺杂区(11a)的、且掺杂区(11a)中的一方跟电容器(32a)与(32b)在电气上连接并控制在电容器(32a)与(32b)上储存的电荷的出入的存取晶体管T6；位于硅衬底(1)上的、将电容器的存储结点(30)的电位加以保持的闩锁电路(130)；以及连接在存取晶体管(T6)的掺杂区(11b)中的另一方的位线(19b)。闩锁电路(130)至少有一部分设置在位线(19b)的上方。
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公开(公告)号：CN101656257A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910151046.2
申请日：2009-07-07
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/423 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/11546 , H01L29/42328 , H01L29/7881
Abstract: 为了提供一种由于抑制栅极绝缘膜的退化而具有提高的写入效率的半导体存储器器件，元件形成区域形成于半导体衬底的夹入于元件隔离区域之间的区域中。在元件隔离区域中，氧化硅膜填充于具有预定深度的沟槽中。擦除栅极电极形成于元件隔离区域中而掩埋于氧化硅膜中。浮栅电极经由栅极氧化物膜形成于元件形成区域之上，而控制栅极电极经由ONO膜形成于浮栅电极之上。两个相邻浮栅电极具有形成于其间以覆盖擦除栅极电极的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN100394509C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200310101564.6
申请日：2003-10-07
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: G11C11/40 , G11C11/412
CPC classification number: G11C11/412 , H01L27/0207 , H01L27/108 , H01L27/10844 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/1112 , H01L28/84 , Y10S257/903
Abstract: 半导体存储装置设有：分别包括第一、第二驱动nMOS晶体管(3、4)和第一、第二TFT(7、8)的一对倒相器，包括第一、第二存取nMOS晶体管(1、2)的存储单元，与第一、第二存取nMOS晶体管(1、2)的漏极和第一、第二驱动nMOS晶体管(3、4)的漏极以及第一、第二TFT(7、8)的漏极电连接的第一、第二电容元件(5、6)。另外，第一、第二驱动nMOS晶体管(3、4)的栅极宽度至多为第一、第二存取nMOS晶体管的栅极宽度的1.2倍。
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