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公开(公告)号:CN1510687A
公开(公告)日:2004-07-07
申请号:CN03153055.9
申请日:2003-08-05
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: G11C11/40 , G11C11/412 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/412 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/10814 , H01L27/10894 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/1116
Abstract: 半导体装置(100)中设有:电容器(32a)和(32b);有掺杂区(11a)的、且掺杂区(11a)中的一方跟电容器(32a)与(32b)在电气上连接并控制在电容器(32a)与(32b)上储存的电荷的出入的存取晶体管T6;位于硅衬底(1)上的、将电容器的存储结点(30)的电位加以保持的闩锁电路(130);以及连接在存取晶体管(T6)的掺杂区(11b)中的另一方的位线(19b)。闩锁电路(130)至少有一部分设置在位线(19b)的上方。