公开(公告)号：CN103597619A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201380001542.4

申请日：2013-02-18

Applicant: 株式会社爱发科 ,  丸文株式会社 ,  东芝机械株式会社

Inventor： 上村隆一郎 ,  长田大和 ,  鹿岛行雄 ,  西原浩巳 ,  田代贵晴 ,  大川贵史

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L33/22 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/32139 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L2933/0083

Abstract: 一种制造具有凹凸结构的装置的方法，该方法包括以下步骤：在其中形成细微凹凸结构(AS)的n型半导体层(13)上形成有机抗蚀剂膜(20)；在有机抗蚀剂膜上形成含硅抗蚀剂膜；利用纳米压印技术使含硅抗蚀剂膜图案化；用含氧等离子体氧化含硅抗蚀剂膜以形成氧化硅膜(30c)；使用氧化硅膜(30c)作为蚀刻掩膜，对有机抗蚀剂膜(20)实施干法蚀刻；使用氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)作为蚀刻掩膜，对n型半导体层(13)实施干法蚀刻；以及去除氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)。

公开(公告)号：CN103650176B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201280034634.8

申请日：2012-05-25

Applicant: 丸文株式会社 ,  东芝机械株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所 ,  株式会社爱发科

Inventor： 鹿岛行雄 ,  松浦惠里子 ,  西原浩巳 ,  田代贵晴 ,  大川贵史 ,  平山秀树 ,  藤川纱千惠 ,  尹成圆 ,  高木秀树 ,  上村隆一郎 ,  长田大和

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L22/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有由具有不同折射率的两个系统（结构体）构成的周期结构，即所述两个系统结构体）的界面满足布拉格散射的条件，且具有光子带隙的光子晶体周期结构。

公开(公告)号：CN103597619B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201380001542.4

申请日：2013-02-18

Applicant: 株式会社爱发科 ,  丸文株式会社 ,  东芝机械株式会社

Inventor： 上村隆一郎 ,  长田大和 ,  鹿岛行雄 ,  西原浩巳 ,  田代贵晴 ,  大川贵史

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L33/22 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/32139 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L2933/0083

Abstract: 一种制造具有凹凸结构的装置的方法，该方法包括以下步骤：在其中形成细微凹凸结构(AS)的n型半导体层(13)上形成有机抗蚀剂膜(20)；在有机抗蚀剂膜上形成含硅抗蚀剂膜；利用纳米压印技术使含硅抗蚀剂膜图案化；用含氧等离子体氧化含硅抗蚀剂膜以形成氧化硅膜(30c)；使用氧化硅膜(30c)作为蚀刻掩膜，对有机抗蚀剂膜(20)实施干法蚀刻；使用氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)作为蚀刻掩膜，对n型半导体层(13)实施干法蚀刻；以及去除氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)。

公开(公告)号：CN103650176A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280034634.8

申请日：2012-05-25

Applicant: 丸文株式会社 ,  东芝机械株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所 ,  株式会社爱发科

Inventor： 鹿岛行雄 ,  松浦惠里子 ,  西原浩巳 ,  田代贵晴 ,  大川贵史 ,  平山秀树 ,  藤川纱千惠 ,  尹成圆 ,  高木秀树 ,  上村隆一郎 ,  长田大和

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L22/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有由具有不同折射率的两个系统（结构体）构成的周期结构，即所述两个系统（结构体）的界面满足布拉格散射的条件，且具有光子带隙的光子晶体周期结构。