-
公开(公告)号：CN103597619A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201380001542.4
申请日：2013-02-18
IPC: H01L33/22 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L33/22 , G03F7/0002 , H01L21/32139 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L2933/0083
Abstract: 一种制造具有凹凸结构的装置的方法，该方法包括以下步骤：在其中形成细微凹凸结构(AS)的n型半导体层(13)上形成有机抗蚀剂膜(20)；在有机抗蚀剂膜上形成含硅抗蚀剂膜；利用纳米压印技术使含硅抗蚀剂膜图案化；用含氧等离子体氧化含硅抗蚀剂膜以形成氧化硅膜(30c)；使用氧化硅膜(30c)作为蚀刻掩膜，对有机抗蚀剂膜(20)实施干法蚀刻；使用氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)作为蚀刻掩膜，对n型半导体层(13)实施干法蚀刻；以及去除氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)。
-
公开(公告)号：CN107210336A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580073117.5
申请日：2015-07-29
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 国立研究开发法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/52 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED，其设计波长设为λ，其特征在于，从基板的相反侧按顺序具有Al反射电极层、极薄膜金属层以及透明p型AlGaN接触层，在所述透明p型AlGaN接触层的厚度方向的范围内具有光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
-
公开(公告)号：CN103650176B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201280034634.8
申请日：2012-05-25
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 株式会社爱发科
CPC classification number: H01L33/32 , H01L22/12 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有由具有不同折射率的两个系统（结构体）构成的周期结构，即所述两个系统结构体）的界面满足布拉格散射的条件，且具有光子带隙的光子晶体周期结构。
-
公开(公告)号：CN103597619B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201380001542.4
申请日：2013-02-18
IPC: H01L33/22 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L33/22 , G03F7/0002 , H01L21/32139 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L2933/0083
Abstract: 一种制造具有凹凸结构的装置的方法，该方法包括以下步骤：在其中形成细微凹凸结构(AS)的n型半导体层(13)上形成有机抗蚀剂膜(20)；在有机抗蚀剂膜上形成含硅抗蚀剂膜；利用纳米压印技术使含硅抗蚀剂膜图案化；用含氧等离子体氧化含硅抗蚀剂膜以形成氧化硅膜(30c)；使用氧化硅膜(30c)作为蚀刻掩膜，对有机抗蚀剂膜(20)实施干法蚀刻；使用氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)作为蚀刻掩膜，对n型半导体层(13)实施干法蚀刻；以及去除氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103650176A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034634.8
申请日：2012-05-25
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 株式会社爱发科
CPC classification number: H01L33/32 , H01L22/12 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有由具有不同折射率的两个系统（结构体）构成的周期结构，即所述两个系统（结构体）的界面满足布拉格散射的条件，且具有光子带隙的光子晶体周期结构。
-
公开(公告)号：CN107210336B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580073117.5
申请日：2015-07-29
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 国立研究开发法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED，其设计波长设为λ，其特征在于，从基板的相反侧按顺序具有Al反射电极层、极薄膜金属层以及透明p型AlGaN接触层，在所述透明p型AlGaN接触层的厚度方向的范围内具有光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
-
公开(公告)号：CN105934833B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201480002228.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种以设计波长为λ的深紫外LED，其特征在于，从与基板的相反侧起依序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、相对波长λ透明的p型AlGaN层，具有至少贯穿所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层而构成的光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
-
公开(公告)号：CN105934833A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201480002228.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种以设计波长为λ的深紫外LED，其特征在于，从与基板的相反侧起依序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、相对波长λ透明的p型AlGaN层，具有至少贯穿所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层而构成的光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
-
公开(公告)号：CN105283968A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480012061.8
申请日：2014-07-16
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 国立研究开发法人理化学研究所 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , G06F17/10 , G06F17/5009 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，是在构成以设计波长为λ的半导体发光元件的各层间的一个以上的界面上，具有由不同折射率的两个结构体构成的光子晶体周期结构的半导体发光元件，其特征在于，所述设计波长λ及作为所述一个以上的各周期结构的参数的周期a和半径R满足布拉格条件，所述周期a和半径R的比(R/a)为，以使TE光的预定的光子带隙(PBG)在每个该周期结构为最大的形式而决定的值，各周期结构参数为，通过采用FDTD法的模拟的解析结果，以使对于所述波长λ的半导体发光元件整体的光提取效率为最大的形式而决定的参数，该FDTD法是以根据所述布拉格条件的次数m决定的周期a和半径R、及0.5a以上的该周期结构的深度h作为变数而进行的。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.04 seconds)
