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公开(公告)号：CN108292695B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201680051208.3
申请日：2016-09-02
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 国立研究开发法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED，其设计波长设为λ，其特征在于，从基板的相反侧起按顺序依次具有反射电极层、极薄膜金属层以及p型接触层，进一步，具有与所述p型接触层侧的所述基板的背面接合的、对于波长λ而透明的半球状透镜，所述半球状透镜的折射率为所述基板的折射率和空气的折射率的平均值以上、且处于所述基板的折射率以内，所述半球状透镜具有所述基板的内切圆的半径以上、且为外接圆的半径左右的半径。
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公开(公告)号：CN107210336A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580073117.5
申请日：2015-07-29
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 国立研究开发法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/52 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED，其设计波长设为λ，其特征在于，从基板的相反侧按顺序具有Al反射电极层、极薄膜金属层以及透明p型AlGaN接触层，在所述透明p型AlGaN接触层的厚度方向的范围内具有光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
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公开(公告)号：CN108292695A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680051208.3
申请日：2016-09-02
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 国立研究开发法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED，其设计波长设为λ，其特征在于，从基板的相反侧起按顺序依次具有反射电极层、极薄膜金属层以及p型接触层，进一步，具有与所述p型接触层侧的所述基板的背面接合的、对于波长λ而透明的半球状透镜，所述半球状透镜的折射率为所述基板的折射率和空气的折射率的平均值以上、且处于所述基板的折射率以内，所述半球状透镜具有所述基板的内切圆的半径以上、且为外接圆的半径左右的半径。
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公开(公告)号：CN103597619A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201380001542.4
申请日：2013-02-18
IPC: H01L33/22 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L33/22 , G03F7/0002 , H01L21/32139 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L2933/0083
Abstract: 一种制造具有凹凸结构的装置的方法，该方法包括以下步骤：在其中形成细微凹凸结构(AS)的n型半导体层(13)上形成有机抗蚀剂膜(20)；在有机抗蚀剂膜上形成含硅抗蚀剂膜；利用纳米压印技术使含硅抗蚀剂膜图案化；用含氧等离子体氧化含硅抗蚀剂膜以形成氧化硅膜(30c)；使用氧化硅膜(30c)作为蚀刻掩膜，对有机抗蚀剂膜(20)实施干法蚀刻；使用氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)作为蚀刻掩膜，对n型半导体层(13)实施干法蚀刻；以及去除氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)。
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公开(公告)号：CN107534072B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201680003179.3
申请日：2016-11-01
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 国立研究开发法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种能够提高光提取效率的深紫外LED。一种深紫外LED，其将设计波长设为λ，所述深紫外LED的特征在于，从基板的相反侧按顺序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、以及相对于波长λ透明的p型AlGaN层、多量子势垒层或者电子阻挡层、势垒层、量子阱层，所述p型AlGaN层的膜厚处于100nm以内，具有反射型光子晶体周期结构，该反射型光子晶体周期结构具有多个空孔，所述多个空孔至少包括所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层的界面，并设置于在所述基板方向上未超过所述p型AlGaN层的厚度方向的范围内，当从所述空孔的基板方向上的端面至量子阱层的距离为所述势垒层和所述多量子势垒层(或者所述电子阻挡层)的膜厚的合计值以上且处于80nm以内、以及其深度h处于所述p型AlGaN层和所述p型GaN接触层的膜厚的合计值以内时，能够获得光提取效率的极大值，并且，所述反射型光子晶体周期结构具有相对于TE偏振分量而形成的光子带隙，所述光子晶体周期结构的周期a相对于所述设计波长为λ的光满足布拉格条件，并且，当布拉格条件式中的次数m满足1≤m≤5、且所述空孔的半径设为R时，满足使得光子带隙最大的R/a。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107534072A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680003179.3
申请日：2016-11-01
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 国立研究开发法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/10 , H01L33/405
Abstract: 本发明涉及一种能够提高光提取效率的深紫外LED。一种深紫外LED，其将设计波长设为λ，所述深紫外LED的特征在于，从基板的相反侧按顺序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、以及相对于波长λ透明的p型AlGaN层、多量子势垒层或者电子阻挡层、势垒层、量子阱层，所述p型AlGaN层的膜厚处于100nm以内，具有反射型光子晶体周期结构，该反射型光子晶体周期结构具有多个空孔，所述多个空孔至少包括所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层的界面，并设置于在所述基板方向上未超过所述p型AlGaN层的厚度方向的范围内，当从所述空孔的基板方向上的端面至量子阱层的距离为所述势垒层和所述多量子势垒层(或者所述电子阻挡层)的膜厚的合计值以上且处于80nm以内、以及其深度h处于所述p型AlGaN层和所述p型GaN接触层的膜厚的合计值以内时，能够获得光提取效率的极大值，并且，所述反射型光子晶体周期结构具有相对于TE偏振分量而形成的光子带隙，所述光子晶体周期结构的周期a相对于所述设计波长为λ的光满足布拉格条件，并且，当布拉格条件式中的次数m满足1≤m≤5、且所述空孔的半径设为R时，满足使得光子带隙最大的R/a。
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公开(公告)号：CN103650176B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201280034634.8
申请日：2012-05-25
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 株式会社爱发科
CPC classification number: H01L33/32 , H01L22/12 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有由具有不同折射率的两个系统（结构体）构成的周期结构，即所述两个系统结构体）的界面满足布拉格散射的条件，且具有光子带隙的光子晶体周期结构。
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公开(公告)号：CN103597619B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201380001542.4
申请日：2013-02-18
IPC: H01L33/22 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L33/22 , G03F7/0002 , H01L21/32139 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L2933/0083
Abstract: 一种制造具有凹凸结构的装置的方法，该方法包括以下步骤：在其中形成细微凹凸结构(AS)的n型半导体层(13)上形成有机抗蚀剂膜(20)；在有机抗蚀剂膜上形成含硅抗蚀剂膜；利用纳米压印技术使含硅抗蚀剂膜图案化；用含氧等离子体氧化含硅抗蚀剂膜以形成氧化硅膜(30c)；使用氧化硅膜(30c)作为蚀刻掩膜，对有机抗蚀剂膜(20)实施干法蚀刻；使用氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)作为蚀刻掩膜，对n型半导体层(13)实施干法蚀刻；以及去除氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)。
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公开(公告)号：CN103650176A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034634.8
申请日：2012-05-25
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 株式会社爱发科
CPC classification number: H01L33/32 , H01L22/12 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有由具有不同折射率的两个系统（结构体）构成的周期结构，即所述两个系统（结构体）的界面满足布拉格散射的条件，且具有光子带隙的光子晶体周期结构。
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公开(公告)号：CN107210336B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580073117.5
申请日：2015-07-29
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 国立研究开发法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED，其设计波长设为λ，其特征在于，从基板的相反侧按顺序具有Al反射电极层、极薄膜金属层以及透明p型AlGaN接触层，在所述透明p型AlGaN接触层的厚度方向的范围内具有光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
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