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公开(公告)号：CN115398029B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202180024562.8
申请日：2021-09-13
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的溅射装置具备：真空腔室、阴极、靶、基板保持部和摆动部。摆动部具有：沿摆动方向延伸的摆动轴；摆动驱动部，用于使所述基板保持部在所述摆动轴的轴线方向上摆动；以及旋转驱动部，设置于所述摆动轴且用于使所述摆动轴转动。旋转驱动部能够使所述基板保持部在水平载置位置和铅直处理位置之间进行旋转动作，所述水平载置位置是载置及取出位于大致水平方向位置的所述被处理基板的位置，所述铅直处理位置是以沿大致铅直方向的方式立起所述被处理基板的被处理面后的位置。所述摆动部具备配置在所述被处理基板的周围且与所述基板保持部同步摆动的防沉积板。
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公开(公告)号：CN111417741B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201980006240.3
申请日：2019-06-28
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供了能够在利用磁控管溅射进行成膜时抑制在溅射靶材的外周部中非腐蚀区域的发生的技术。本发明是在真空中利用磁控管溅射法对一个成膜对象物进行成膜的溅射成膜装置。在本发明中，具有：磁控管发生用的磁石装置10，相对于一个溅射靶材7配置在与溅射面7a相反侧，在放电时在沿着该溅射靶材7的溅射面7a的方向上移动；内侧屏蔽部21，接近配置在溅射靶材7的外周部的周围，被设为浮动电位；以及外侧屏蔽部22，设置在该内侧屏蔽部21的周围，被设为接地电位，由导电性材料构成。
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公开(公告)号：CN111492088A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201980007096.5
申请日：2019-06-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/00 , C23C14/34 , H01L21/677
Abstract: 除去真空处理装置中的真空氛围中的灰尘。在真空处理装置（2）的搬运室（10）设置储藏室（12），在储藏室（12）内配置伪基板装置（20），借助带电装置（18）使伪基板装置（20）的捕集体（28）带电，向真空处理室（13a~13d）的内部搬入。各真空处理室（13a~13d）的内部的灰尘由于静电力而被吸附于被搬入的伪基板装置（20）的捕集体（2）。灰尘被捕集的伪基板装置（20）向大气氛围中取出，拆下捕集体（28）来洗涤，使伪基板装置（20）再生。
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公开(公告)号：CN111492088B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201980007096.5
申请日：2019-06-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/00 , C23C14/34 , H01L21/677
Abstract: 除去真空处理装置中的真空氛围中的灰尘。在真空处理装置（2）的搬运室（10）设置储藏室（12），在储藏室（12）内配置伪基板装置（20），借助带电装置（18）使伪基板装置（20）的捕集体（28）带电，向真空处理室（13a~13d）的内部搬入。各真空处理室（13a~13d）的内部的灰尘由于静电力而被吸附于被搬入的伪基板装置（20）的捕集体（2）。灰尘被捕集的伪基板装置（20）向大气氛围中取出，拆下捕集体（28）来洗涤，使伪基板装置（20）再生。
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公开(公告)号：CN113056573A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202080006532.X
申请日：2020-03-24
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 均匀地对溅射靶（14）进行溅射。在阴极电极（21）的单面配置有溅射靶（14），在相反的一侧的面平行地配置有多个磁铁装置（301、311~314、302）。在磁铁装置（301、311~314、302）的两端配置有可变磁场（47），所述可变磁场（47）具有将基础磁力部（71）形成的磁场和电磁铁部（73）形成的磁场合成后的磁场，通过控制在电磁铁部（73）中流动的励磁电流的朝向和大小，从而控制在电磁铁部（73）形成的磁极的极性和磁场强度，使可变磁铁（47）形成的磁场强度由于进行了溅射的成膜对象物（13）的增加而变小，从而使溅射面（24）上的磁场强度固定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117044403A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202180090208.5
申请日：2021-09-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射装置(SM)用阴极单元(CU)及磁控溅射装置，其不会导致等离子体的局部消失等，可使与溅射的进行相伴的靶侵蚀区域大致均匀，可提高靶的利用效率。设置在真空室(1)内配置的靶(41～44)的背对溅射面一侧上的磁铁单元(51～54)改变靶侧极性地具备线状中央磁铁(52)和包围中央磁铁周围的周边磁铁(53)，所述周边磁铁具有直线部(53a，53b)和跨接两直线部的两自由端的跨接部(53c)，以通过磁场的垂直成分为零的位置的线沿中央磁铁的长边方向延伸并闭合为跑道状的方式产生从溅射面泄漏的磁场(Mf)，在维持周边磁铁的姿态的状态下，根据中央磁铁的靶侧极性，使中央磁铁的两端部分分别移位到周边磁铁的彼此不同的直线部侧。
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公开(公告)号：CN112334591B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201980042545.X
申请日：2019-12-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在真空处理时从配置在放电空间的防附着构件产生的微粒的技术。本发明的防附着构件(30)具有：框状的防附着主体构件(10)；以及框状的保持构件(20)，其在使防附着主体构件(10)紧贴在真空槽(6)内的放电空间(9)侧的状态下保持防附着主体构件(10)。防附着主体构件(10)从背面(20R)被多个支撑螺栓(23)固定，所述背面(20R)是保持构件(20)的放电空间(9)侧的面的相反侧的面，支撑螺栓(23)构成为各自的顶端部不从防附着主体构件(10)的放电空间(9)侧的面即表面(10F)向放电空间(9)侧露出。
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公开(公告)号：CN112041627A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980029651.4
申请日：2019-08-26
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种具有不发生由热伸长带来的损伤的反射器装置的真空加热装置。将被行列配置的多个单位反射板（31）通过固定装置（21）和保持装置（11a～11d）分别安装于真空槽（17）的安装面（19）。如果在各单位反射板（31）被照射红外线，则随着保持装置（11a～11d）的变形部（64）的变形，各单位反射板（31）以固定装置（21）的安装场所为中心而热伸长。通过热伸长，向各单位反射板（31）附加的力被缓和，防止了各单位反射板（31）被安装于安装面（19）的部位的损伤。
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公开(公告)号：CN111417741A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201980006240.3
申请日：2019-06-28
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供了能够在利用磁控管溅射进行成膜时抑制在溅射靶材的外周部中非腐蚀区域的发生的技术。本发明是在真空中利用磁控管溅射法对一个成膜对象物进行成膜的溅射成膜装置。在本发明中，具有：磁控管发生用的磁石装置10，相对于一个溅射靶材7配置在与溅射面7a相反侧，在放电时在沿着该溅射靶材7的溅射面7a的方向上移动；内侧屏蔽部21，接近配置在溅射靶材7的外周部的周围，被设为浮动电位；以及外侧屏蔽部22，设置在该内侧屏蔽部21的周围，被设为接地电位，由导电性材料构成。
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公开(公告)号：CN110088887B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201880005600.3
申请日：2018-11-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , C23C14/50 , H01L21/285 , H02N13/00
Abstract: 一边使电介质的吸附对象物竖立设置一边使导电性薄膜生长。在吸附板14的上部设置的第一区域21配置第一正负电极31、41，在旋转轴线10和第一区域21之间设置的第二区域配置与第一正负电极31、41相比宽度广且间隔也广的第二正负电极32、42。一边向第一正负电极31、41施加第一电压而利用梯度力吸附电介质的吸附对象物一边使吸附板14从横向设置姿势变为竖立设置姿势，一边向第二正负电极32、42施加第二电压一边在吸附对象物8的表面使导电性薄膜生长。吸附对象物8持续被吸附，因此，不会从吸附板14脱落。在利用静电力开始吸附之后，当向吸附对象物和吸附板14之间导入热介质气体时，能够进行吸附对象物的温度控制。
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