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公开(公告)号：CN103906722A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280053002.6
申请日：2012-08-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01C7/02
CPC classification number: H01C7/008 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , H01C7/021 , H01C7/025 , H01C7/18
Abstract: 本发明提供一种室温附近的比电阻低且耐电压高的、具有正电阻温度特性的钛酸钡系陶瓷及使用其的PTC热敏电阻。该钛酸钡系陶瓷是以通式BaTiO3表示且具有正电阻温度特性的钛酸钡系半导体陶瓷，其中，将部分Ti位以Zr置换，且将Zr的含有比率设为0.14～0.88mol％的范围。所述钛酸钡系半导体陶瓷设为含有选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种稀土元素的组成。使用上述钛酸钡系半导体陶瓷作为具有正电阻温度特性的热敏电阻基体而构成PTC热敏电阻。
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公开(公告)号：CN102471164A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029535.1
申请日：2010-06-30
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B2235/3208 , C04B2235/3258 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , H01C17/06533
Abstract: 本发明提供具有稳定的PTC特性、2倍点高、使用温度范围宽的半导体陶瓷以及正特性热敏电阻。本发明的半导体陶瓷以具有用通式AmBO3表示的钙钛矿型结构的BamTiO3系组合物为主成分，100摩尔％Ti中，0.05摩尔％以上0.3摩尔％以下的范围内的Ti被作为半导体化剂的W置换，主要由Ba占据的A位置与主要由Ti占据的B位置之比m为0.99≤m≤1.002，实测烧结密度为理论烧结密度的70％以上90％以下。正特性热敏电阻，其零件主体部用该半导体陶瓷形成。
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公开(公告)号：CN104428847B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201380036109.4
申请日：2013-07-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02 , C04B35/468
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/468 , C04B2235/3224 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , H01C1/012 , H01C7/008 , H01C7/021
Abstract: 层叠型PTC热敏电阻元件包括：陶瓷基体，其包含多个陶瓷层；多个内部电极，其形成于陶瓷基体内；及外部电极，其与内部电极电性导通，且形成于陶瓷基体的表面上。陶瓷基体的平均瓷器粒径为0.3[μm]以上、1.2[μm]以下。另外，陶瓷基体的相对密度的下限值为70[％]，且若将平均瓷器粒径设为d，则其上限值为‑6.43d+97.83[％]。
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公开(公告)号：CN104428847A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380036109.4
申请日：2013-07-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02 , C04B35/468
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/468 , C04B2235/3224 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , H01C1/012 , H01C7/008 , H01C7/021
Abstract: 层叠型PTC热敏电阻元件包括：陶瓷基体，其包含多个陶瓷层；多个内部电极，其形成于陶瓷基体内；及外部电极，其与内部电极电性导通，且形成于陶瓷基体的表面上。陶瓷基体的平均瓷器粒径为0.3[μm]以上、1.2[μm]以下。另外，陶瓷基体的相对密度的下限值为70[％]，且若将平均瓷器粒径设为d，则其上限值为-6.43d+97.83[％]。
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