表面安装的正温度系数热敏电阻器及制造方法

    公开(公告)号:CN1235237C

    公开(公告)日:2006-01-04

    申请号:CN02107592.1

    申请日:2002-03-18

    CPC classification number: H01C1/144 H01C1/1406 H05K3/3426 Y02P70/613

    Abstract: 一种表面安装的正温度系数热敏电阻器,包括:平板形正温度系数热敏电阻元件,在正温度系数热敏电阻器的相应两个主表面上的一对电极,一对具有垂直于电极的通孔的金属端子,每个端子都在其一个端部区域具有与相应电极连接的切口,金属端子包括具有低热电率的金属板,和将相应金属端子的端部区域连接至相应电极最外层的焊锡。金属端子在短的时间周期内快速而均匀被焊接至电极。

    热敏电阻
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102956335A

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201210269699.2

    申请日:2012-07-31

    Inventor: 胜木隆与

    Abstract: 本发明提供能够抑制产生裂纹的长方体形热敏电阻。热敏电阻基体12具有彼此相对的2个端面S1,S2,为长方体形。外部电阻14a,14b分别设置在端面S1,S2上。外部电极14a,14b分别含有Cr层、Ni/Cu层、Ag层和Sn层。Cr层与热敏电阻基体12欧姆接触。Ni/Cu层设置在Cr层上。Ag层设置在Ni/Cu层上,具有0.7μm以上2μm以下的平均厚度。对热敏电阻基体12、外部电极14a、14b实施倒角加工。

    芯片型半导体陶瓷电子元器件

    公开(公告)号:CN101925968B

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN200980103802.2

    申请日:2009-01-23

    CPC classification number: H01C1/142 H01C7/02 H01C7/04 H01C7/10

    Abstract: 本发明提供一种芯片型半导体陶瓷电子元器件,其具有:由半导体陶瓷形成的陶瓷胚体、形成于陶瓷胚体的两个端面上的第1外部电极、及以覆盖第1外部电极的表面及陶瓷胚体的一部分侧面的方式延伸的第2外部电极,且电阻值的偏差较小,热冲击引起的电阻变化较小,基板安装良好。其特征在于,将陶瓷胚体的转角部的曲率半径设为R(μm),将第1外部电极层中与陶瓷胚体接触的层的自陶瓷胚体的端面起的最大厚度设为y(μm),且将第2外部电极中与陶瓷胚体的侧面接触的层的自所述陶瓷胚体的转角部的顶点起的最小厚度设为x(μm)时,满足20≤R≤50,且0.5≤x≤1.1时,满足-0.4x+0.6≤y≤0.4,1.1≤x≤9.0时,满足-0.0076x+0.16836≤y≤0.4。

    芯片型半导体陶瓷电子元器件

    公开(公告)号:CN101925968A

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:CN200980103802.2

    申请日:2009-01-23

    CPC classification number: H01C1/142 H01C7/02 H01C7/04 H01C7/10

    Abstract: 本发明提供一种芯片型半导体陶瓷电子元器件,其具有:由半导体陶瓷形成的陶瓷胚体、形成于陶瓷胚体的两个端面上的第1外部电极、及以覆盖第1外部电极的表面及陶瓷坯体的一部分侧面的方式延伸的第2外部电极,且电阻值的偏差较小,热冲击引起的电阻变化较小,基板安装良好。其特征在于,将陶瓷坯体的转角部的曲率半径设为R(μm),将第1外部电极层中与陶瓷坯体接触的层的自陶瓷坯体的端面起的最大厚度设为y(μm),且将第2外部电极中与陶瓷坯体的侧面接触的层的自所述陶瓷坯体的转角部的顶点起的最小厚度设为x(μm)时,满足20≤R≤50,且0.5≤x≤1.1时,满足-0.4x+0.6≤y≤0.4,1.1≤x≤9.0时,满足-0.0076x+0.16836≤y≤0.4。

    半导体瓷器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1065219C

    公开(公告)日:2001-05-02

    申请号:CN96106935.X

    申请日:1996-06-22

    Abstract: 本发明提供一种即使施加以高电压也难以发生瓷器破坏、对冲击电流的破坏特性优良的半导体瓷器及其制造方法。该方法的步骤是:称量BaCO3、SrCO3、Pb3O4、CaCO3、TiO2、Er2O3、MnCO3和SiO2,使其形成(Ba0.0536Pb0.08Sr0.20Ca0.18Er0.04)TiO3+0.0004Mn+0.02SiO2的组成。经混合、脱水。干燥后,在1360℃假烧2小时,将所得的假烧粉末与黏合剂混合后,制成直径18mm、厚3.6mm的形成体,在1360℃烧成1小时,在表1所示的条件下冷却,从而获得半导体瓷器。

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