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公开(公告)号：CN1065219C
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN96106935.X
申请日：1996-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01L31/0264 , H01B1/08 , H01C7/02
Abstract: 本发明提供一种即使施加以高电压也难以发生瓷器破坏、对冲击电流的破坏特性优良的半导体瓷器及其制造方法。该方法的步骤是：称量BaCO3、SrCO3、Pb3O4、CaCO3、TiO2、Er2O3、MnCO3和SiO2，使其形成(Ba0.0536Pb0.08Sr0.20Ca0.18Er0.04)TiO3+0.0004Mn+0.02SiO2的组成。经混合、脱水。干燥后，在1360℃假烧2小时，将所得的假烧粉末与黏合剂混合后，制成直径18mm、厚3.6mm的形成体，在1360℃烧成1小时，在表1所示的条件下冷却，从而获得半导体瓷器。
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