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公开(公告)号:CN1247842A
公开(公告)日:2000-03-22
申请号:CN99110672.5
申请日:1999-07-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/46 , C04B35/468 , H01C7/02
Abstract: 一种用于PTC热敏电阻的陶瓷,所述电阻的室温电阻率为5Ω·cm或更小,静态可承受电压为60V/mm或更大,电阻温度系数为9%/℃,并具有小的电阻分散性。所述陶瓷含30—97摩尔%BaTiO3,1—50摩尔%PbTiO3,1—30摩尔%SrTiO3和1—25摩尔%CaTiO3主要成分,以及相对于100摩尔主要组分,含按Sm元素计0.1—0.3摩尔氧化钐,按Mn元素计0.01—0.03摩尔氧化锰和按硅元素计0—2.0摩尔氧化硅添加剂。
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公开(公告)号:CN1093102C
公开(公告)日:2002-10-23
申请号:CN99110672.5
申请日:1999-07-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/465 , C04B35/472 , H01C7/02
Abstract: 一种用于PTC热敏电阻的陶瓷,所述电阻的室温电阻率为5Ω·cm或更小,静态可承受电压为60V/mm或更大,电阻温度系数为9%/℃,并具有小的电阻分散性。所述陶瓷含30-97摩尔%BaTiO3,1-50摩尔%PbTiO3,1-30摩尔%SrTiO3和1-25摩尔%CaTiO3主要成分,以及相对于100摩尔主要组分,含按Sm元素计0.1-0.3摩尔氧化钐,按Mn元素计0.01-0.03摩尔氧化锰和按硅元素计0-2.0摩尔氧化硅添加剂。
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公开(公告)号:CN1253925A
公开(公告)日:2000-05-24
申请号:CN99124802.3
申请日:1999-11-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/462 , H01C7/02
CPC classification number: C04B35/465 , C04B35/4684
Abstract: 一种半导体陶瓷,它包含钛酸钡、钛酸铅、钛酸锶和钛酸钙作为主要组分,以氧化钐作为主要组分中的半导体形成剂,该陶瓷的晶粒平均直径为7—12μm。所述半导体陶瓷在室温下的电阻率不大于3.5Ω·cm,耐电压不低于50V/mm,电阻温度系数α10-100不小于9%/℃,而且电阻变动率较小。
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公开(公告)号:CN1093847C
公开(公告)日:2002-11-06
申请号:CN99124802.3
申请日:1999-11-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/462 , H01C7/02
CPC classification number: C04B35/465 , C04B35/4684
Abstract: 一种半导体陶瓷,它包含钛酸钡、钛酸铅、钛酸锶和钛酸钙作为主要组分,以氧化钐作为主要组分中的半导体形成剂,该陶瓷的晶粒平均直径为7-12μm。所述半导体陶瓷在室温下的电阻率不大于3.5Ω·cm,耐电压不低于50V/mm,电阻温度系数α10-100不小于9%/℃,而且电阻变动率较小。
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公开(公告)号:CN1087096C
公开(公告)日:2002-07-03
申请号:CN97111440.4
申请日:1997-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C1/1406 , H01C7/02
Abstract: 本发明提供一种正向温度特性热敏电阻器元件,它包括:具有正向温度特性的平面型陶瓷部件,所述陶瓷部件包含主表面,所述主表面上带有包围中央部分的边缘部分,所述陶瓷部件在边缘的厚度大于中央的厚度,既可渐渐减小也可呈阶梯状方式减小,以及位于所述主表面上的电极,上层电极的表面积小于底层电极,底层电极主要是Ni,上层电极主要是Ag。
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公开(公告)号:CN1171603A
公开(公告)日:1998-01-28
申请号:CN97111440.4
申请日:1997-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C1/1406 , H01C7/02
Abstract: 本发明提供一种正向温度特性热敏电阻元件,它包括:具有正向温度特性的平面型陶瓷部件,所述陶瓷部件包含主表面,所述主表面上带有包围中央部分的边缘部分,所述陶瓷部件在边缘的厚度大于中央的厚度,既可渐渐减小也可呈阶梯状方式减小,以及位于所述主表面上的电极,上层电极的表面积小于底层电极,底层电极主要是Ni,上层电极主要是Ag。
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