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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1093847C
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN99124802.3
申请日：1999-11-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/462 , H01C7/02
CPC classification number: C04B35/465 , C04B35/4684
Abstract: 一种半导体陶瓷，它包含钛酸钡、钛酸铅、钛酸锶和钛酸钙作为主要组分，以氧化钐作为主要组分中的半导体形成剂，该陶瓷的晶粒平均直径为7-12μm。所述半导体陶瓷在室温下的电阻率不大于3.5Ω·cm，耐电压不低于50V/mm，电阻温度系数α10-100不小于9%/℃，而且电阻变动率较小。
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公开(公告)号：CN1247842A
公开(公告)日：2000-03-22
申请号：CN99110672.5
申请日：1999-07-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/46 , C04B35/468 , H01C7/02
Abstract: 一种用于PTC热敏电阻的陶瓷,所述电阻的室温电阻率为5Ω·cm或更小,静态可承受电压为60V/mm或更大,电阻温度系数为9%/℃,并具有小的电阻分散性。所述陶瓷含30—97摩尔%BaTiO3,1—50摩尔%PbTiO3,1—30摩尔%SrTiO3和1—25摩尔%CaTiO3主要成分,以及相对于100摩尔主要组分,含按Sm元素计0.1—0.3摩尔氧化钐,按Mn元素计0.01—0.03摩尔氧化锰和按硅元素计0—2.0摩尔氧化硅添加剂。
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公开(公告)号：CN1421041A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN01804489.1
申请日：2001-12-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/3296 , C04B2235/3418 , C04B2235/96 , H01C7/025 , H01C17/265
Abstract: 在具有正电阻温度特性且用作去磁热敏电阻元件的半导体陶瓷中，通过将电阻温度系数α调节在大约从10到17的范围内，电流特性缓慢变化而不增加元件尺寸。
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公开(公告)号：CN1093102C
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN99110672.5
申请日：1999-07-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/465 , C04B35/472 , H01C7/02
Abstract: 一种用于PTC热敏电阻的陶瓷，所述电阻的室温电阻率为5Ω·cm或更小，静态可承受电压为60V/mm或更大，电阻温度系数为9%/℃，并具有小的电阻分散性。所述陶瓷含30-97摩尔%BaTiO3，1-50摩尔%PbTiO3，1-30摩尔%SrTiO3和1-25摩尔%CaTiO3主要成分，以及相对于100摩尔主要组分，含按Sm元素计0.1-0.3摩尔氧化钐，按Mn元素计0.01-0.03摩尔氧化锰和按硅元素计0-2.0摩尔氧化硅添加剂。
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公开(公告)号：CN1253925A
公开(公告)日：2000-05-24
申请号：CN99124802.3
申请日：1999-11-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/462 , H01C7/02
CPC classification number: C04B35/465 , C04B35/4684
Abstract: 一种半导体陶瓷,它包含钛酸钡、钛酸铅、钛酸锶和钛酸钙作为主要组分,以氧化钐作为主要组分中的半导体形成剂,该陶瓷的晶粒平均直径为7—12μm。所述半导体陶瓷在室温下的电阻率不大于3.5Ω·cm,耐电压不低于50V/mm,电阻温度系数α10-100不小于9%/℃,而且电阻变动率较小。
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