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公开(公告)号：CN1448968A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03108437.0
申请日：2003-03-31
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01F1/22 , H01F17/0013 , H01F17/045 , H01F2017/0026 , H03H7/0115 , H03H2001/0085 , H05K1/0306 , Y10T29/43
Abstract: 一种陶瓷电子部件及其制造方法，具备介电常数低且高强度的陶瓷烧结体并且能够在宽频率范围得到高阻抗特性，其特征在于，使用调配陶瓷原料、粘合剂、球状或粉体状且对所述粘合剂具有粘接性的孔隙形成材料的调配陶瓷原料，形成具有在内部配置有电极的构造的压型体，通过烧成该压型体来形成含有35～80vol％孔隙的陶瓷烧结体后，在陶瓷烧结体的孔隙内填充树脂或玻璃。
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公开(公告)号：CN1518012A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410001298.4
申请日：2004-01-06
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F2017/0026 , H01F2017/065 , H03H2001/0085 , H03H2001/0092
Abstract: 一种噪声滤波器，包括层压体，所述层压体包括磁层、线路导体和接地导体，一个线路导体和一个接地导体交替设置在所述磁层间各接合面上。电信号被施加到线路导体而接地导体接地时，通过利用磁层的磁损，高频噪声被衰减了。
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公开(公告)号：CN1138341C
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN99123870.2
申请日：1999-11-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H7/075
CPC classification number: H04B15/00 , H01F17/045 , H01F2017/048 , H01F2017/065 , H03H2001/0092 , H05K1/0233
Abstract: 一个杂波抑制装置包括：包括一个铁氧体在内的磁体，延伸穿过该磁体的一个螺旋导线，设置在该磁体的表面的一对外部电极，以使电流流动通过该螺旋导线，以及一个接地电极，其至少覆盖在磁体的表面上的外部电极之间的磁体的主要部分。
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公开(公告)号：CN102232233A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200980148305.4
申请日：2009-10-27
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F3/10 , H01F3/14 , H01F17/0033 , H01F27/34 , H01F2017/0066
Abstract: 本发明提供一种电子部件。该电子部件具有下述直流重叠特性：在相对较小的直流电流流过线圈时，得到大的电感值，并且，在相对较大的直流电流流过线圈时，电感值也不会急剧下降。层叠体(12a)通过层叠磁性体层(16a～16k)而成。线圈(L)内置于层叠体(12a)，并且具有沿z轴向延伸的线圈轴(X)。层叠体(12a)包括：非磁性体层(17)，其具有比磁性体层(16a～16k)低的透磁率，并且以与线圈轴(X)交叉的方式与磁性体层(16a～16k)一同层叠；以及高透磁率部(19)，其具有比磁性体层(16a～16k)高的透磁率，并且，在线圈(L)的内部以贯通非磁性体层(17)的方式设置。
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公开(公告)号：CN1465131A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02802186.X
申请日：2002-06-12
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F27/2804 , H01F2017/0026 , H03H1/0007
Abstract: 一种有效用作下述噪声滤波器，该噪声滤波器能够防止噪声的共振，整体尺寸较小，价格较低，特别是用于信号频率大于100MHz的电子设备。在噪声滤波器中，在将磁性片叠置，并且对它们进行烧制而形成的叠层体内部，接地导体设置于最外层上，并且传送线路与接地导体按照交替地，夹持磁性片的方式设置。在该叠层体的外表面上，形成有与传送线路连接的信号用电极，以及与接地导体连接的接地用电极。由此，在将接地导体接地的状态，使信号通过传送线路，由此，可采用磁性片的热损耗，将高频的噪声衰减。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1252683A
公开(公告)日：2000-05-10
申请号：CN99121868.X
申请日：1999-10-21
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K1/0233 , H01L23/552 , H01L24/48 , H01L2224/05599 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/0401 , H01L2224/45099
Abstract: 一种辐射噪声抑制元件包括具有导体层的磁片,导体层粘结在电路板上的CPU的上侧。导体层位于磁片的表面上。磁片位于导体层和CPU之间。导体层通过一导体与电路板上的接地图形相连接地。
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公开(公告)号：CN102804292B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201080028775.X
申请日：2010-05-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 内田胜之
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F5/003 , H01F17/0013 , H01F17/0033 , H01F41/041 , H01F41/042 , H01F41/046 , H01F41/047 , H01F41/122 , H01F41/125 , H01F2017/0066 , H01F2027/2809 , Y10T29/49002 , Y10T29/4902 , Y10T29/49071 , Y10T29/49073 , Y10T29/49078
Abstract: 本发明提供一种可抑制围绕在各线圈导体周围的磁通导致产生磁饱和的电子元器件及其制造方法。准备具有第1Ni含有率的绝缘体层(19)。在绝缘体层(19)上形成线圈导体(18)。在绝缘体层(19)上除线圈导体(18)以外的部分上形成具有高于第1Ni含有率的第2Ni含有率的绝缘体层(16)。绝缘体层(16、19)及线圈导体(18)构成单位层(17)。层叠单位层(17)及绝缘体层(15)以获得层叠体(12)。之后，将层叠体(12)进行烧成。在将层叠体(12)进行烧成的工序之后，被绝缘体层(19)中的线圈导体(18)从z轴方向的两侧夹住的第1部分中的Ni含有率低于绝缘体层(19)中除第1部分以外的第2部分中的Ni含有率。
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公开(公告)号：CN1161880C
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN00124891.X
申请日：2000-09-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H7/09
CPC classification number: H03H7/1758 , H03H1/0007 , H03H7/0115
Abstract: 在此提供一种LC滤波器，其电容器具有小的残留电感，并且直到高频范围具有良好的衰减特性，在特定频率获得强的衰减，并且还用于大电流。通过把金属片形成为螺旋形而确定的两个线圈相串联，以便于在它们之间产生互感。并且放置一电容器极板，其具有一个形状，该形状从其轴向方向上看包含在所述线圈的形状中，在所述两个线圈的连接点的附近，以便于与该线圈的一部分相对，从而该线圈的部分作为电容器电极，并且所述电容器极板被置于所述磁体之中。
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公开(公告)号：CN1147212C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN99121868.X
申请日：1999-10-21
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K1/0233 , H01L23/552 , H01L24/48 , H01L2224/05599 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/0401 , H01L2224/45099
Abstract: 一种辐射噪声抑制元件包括具有导体层的磁片，导体层粘结在电路板上的CPU的上侧。导体层位于磁片的表面上。磁片位于导体层和CPU之间。导体层通过一导体与电路板上的接地图形相连接地。
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