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公开(公告)号：CN102668376B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201080052988.6
申请日：2010-11-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 伊藤是清
CPC classification number: H01L41/053 , H01L41/18 , H01L41/313 , H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/02007 , H03H9/02574 , H03H9/05 , H03H2003/021 , Y10T29/42 , Y10T29/49126 , Y10T156/1153
Abstract: 本发明提供一种即使在压电薄膜与支撑体之间设置用于接合的中间层，谐振特性也不会劣化的压电设备及压电设备的制造方法。在注入氢离子在压电单晶基板(1)内形成离子注入部分之后，在压电单晶基板(1)的背面(12)形成金属制的中间层(32)。然后，经由该中间层(32)对压电单晶基板(1)与支撑体(30)进行接合。将形成了离子注入部分的复合压电体(2)、或者对压电单晶基板(1)进行了加热分离的复合压电基板(3)以450℃至700℃进行加热，使中间层的金属氧化来使导电性降低。这样，通过形成金属的中间层，从而能够使压电基板与支撑体可靠地贴紧，而且由于使中间层的金属氧化，因此能够使中间层的导电性降低，能够提供一种谐振特性良好的压电设备。
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公开(公告)号：CN102668376A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080052988.6
申请日：2010-11-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 伊藤是清
CPC classification number: H01L41/053 , H01L41/18 , H01L41/313 , H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/02007 , H03H9/02574 , H03H9/05 , H03H2003/021 , Y10T29/42 , Y10T29/49126 , Y10T156/1153
Abstract: 本发明提供一种即使在压电薄膜与支撑体之间设置用于接合的中间层，谐振特性也不会劣化的压电设备及压电设备的制造方法。在注入氢离子在压电单晶基板(1)内形成离子注入部分之后，在压电单晶基板(1)的背面(12)形成金属制的中间层(32)。然后，经由该中间层(32)对压电单晶基板(1)与支撑体(30)进行接合。将形成了离子注入部分的复合压电体(2)、或者对压电单晶基板(1)进行了加热分离的复合压电基板(3)以450℃至700℃进行加热，使中间层的金属氧化来使导电性降低。这样，通过形成金属的中间层，从而能够使压电基板与支撑体可靠地贴紧，而且由于使中间层的金属氧化，因此能够使中间层的导电性降低，能够提供一种谐振特性良好的压电设备。
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公开(公告)号：CN113574694A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080021614.1
申请日：2020-01-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 磁阻元件(10)具备包含第一单位元件(13)的第一元件部(11)和包含第二单位元件(14)的第二元件部(12)，第一元件部(11)与第二元件部(12)串联连接，第一单位元件(13)包含磁化被固定在面内方向上的规定的方向的第一参考层以及被磁化为旋涡状的第一自由层，第二元件部(12)包含磁化被固定在面内方向上的规定的方向的第二参考层以及被磁化为旋涡状的第二自由层，第一参考层中的被固定的磁化所朝向的方向与第二参考层中的被固定的磁化所朝向的方向为相反的方向。
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公开(公告)号：CN105814794B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201480066958.9
申请日：2014-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供能有效果地抑制横模脉动的弹性波装置。在弹性波装置(1)中，在压电薄膜上层叠IDT电极(11～14)，IDT电极(11)具有多条第1电极指(11c)、多条第2电极指(11d)，将第1电极指(11c)的前端彼此或第2电极指(11d)的前端彼此连结的线相对于弹性波传播方向倾斜，成倾斜角度(v)，该倾斜角度(v)为0.4°以上、10°以下。
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公开(公告)号：CN118382899A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202280081586.1
申请日：2022-11-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 伊藤是清
Abstract: 作为半导体装置的一个实施方式的电容器(1)具备：基板(10)、设置于基板(10)上的第一电极层(22)、设置于第一电极层(22)上的电介质膜(23)、设置于电介质膜(23)上的第二电极层(24)、覆盖第一电极层(22)以及第二电极层(24)的保护层(26)以及贯通保护层(26)的外部电极(27)，电介质膜(23)由硅氧化物构成，电介质膜(23)所含有的硅氧化物的三元环结构与四元环结构的比率为0.46以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117280433A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202280033507.X
申请日：2022-05-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/30
Abstract: 作为半导体装置的一个实施方式的电容器(1)具备：基板(10)、设置在基板(10)上的第一电极层(22)、设置在第一电极层(22)上覆盖第一电极层(22)的端部的介电膜(23)、设置在介电膜(23)上的第二电极层(24)、设置在介电膜(23)和第二电极层(24)上的耐湿膜(25)、设置在耐湿膜(25)上的保护层(26)、以及贯通保护层(26)的外部电极(27)。第二电极层(24)的侧面(24c)的至少一部分具有随着从第一主面(24a)朝向第二主面(24b)而向内侧倾斜的锥形。
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公开(公告)号：CN117242539A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280032990.X
申请日：2022-05-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33
Abstract: 作为半导体装置的一个实施方式的电容器(1)具备基板(10)、电路层(20)、第一树脂体(30)。第一树脂体(30)在从厚度方向(T)的俯视时分别设置在基板(10)的端部与第一外部电极(27)之间、以及基板(10)的端部与第二外部电极(28)之间，在厚度方向(T)上，第一树脂体(30)的与基板(10)相反的一侧的前端位于比第一外部电极(27)以及第二外部电极(28)的与基板(10)相反的一侧的前端高的位置，在从与厚度方向(T)垂直的方向的剖面观察时，第一树脂体(30)的第一外部电极(27)或者第二外部电极(28)侧的侧面从基板(10)侧朝向与基板(10)相反的一侧接近第一树脂体(30)的基板(10)的端部侧的侧面，并且第一树脂体(30)的基板(10)的端部侧的侧面相对于基板(10)的第一主面(10a)立起。
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公开(公告)号：CN117242537A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280032222.4
申请日：2022-05-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33
Abstract: 作为半导体装置的一个实施方式的电容器(1)具备基板(10)、电路层(20)以及第一树脂体(30)。电路层(20)具有：设置于基板(10)侧的第一电极层(22)、与第一电极层(22)对置地设置的第二电极层(24)、在厚度方向(T)上设置在第一电极层(22)与第二电极层(24)之间的电介质层(23)、被引出到电路层(20)的与基板(10)相反侧的表面的第一外部电极(27)、以及被引出到电路层(20)的与基板(10)相反侧的表面并与第一外部电极(27)分离设置的第二外部电极(28)。在从厚度方向(T)的俯视时，第一树脂体(30)设置于基板(10)的四角，在厚度方向(T)上，第一树脂体(30)的与基板(10)相反侧的前端处于比第一外部电极(27)以及第二外部电极(28)的与基板(10)相反侧的前端高的位置。
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公开(公告)号：CN117397030A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280033513.5
申请日：2022-05-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/04
Abstract: 本发明提供无源电子部件用的支承基板、无源电子部件、半导体装置、匹配电路以及滤波电路。无源电子部件用的支承基板(1)具备：半导体基板(10)、设置在半导体基板(10)上，相对于半导体基板(10)，结晶缺陷的密度高的电荷捕获层(11)、以及设置在电荷捕获层(11)上的绝缘层(21)。绝缘层(21)由硅氮化物构成，绝缘层(21)中含有的N相对于Si和N的总量的原子浓度比为45atom％以下。或者，绝缘层(21)包含设置在电荷捕获层(11)上的第一绝缘层(21A)和设置在第一绝缘层(21A)上的第二绝缘层(21B)，在第一绝缘层(21A)和第二绝缘层(21B)中内部的固定电荷的极性相反，第一绝缘层(21A)的厚度为0.5nm以上且3nm以下。
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公开(公告)号：CN113574694B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202080021614.1
申请日：2020-01-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 磁阻元件(10)具备包含第一单位元件(13)的第一元件部(11)和包含第二单位元件(14)的第二元件部(12)，第一元件部(11)与第二元件部定在面内方向上的规定的方向的第一参考层以及被磁化为旋涡状的第一自由层，第二单位元件(14)包含磁化被固定在面内方向上的规定的方向的第二参考层以及被磁化为旋涡状的第二自由层，第一参考层中的被固定的磁化所朝向的方向与第二参考层中的被固定的磁化所朝向的方向为相反的方向。(12)串联连接，第一单位元件(13)包含磁化被固
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