公开(公告)号：CN112041954B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201980028595.2

申请日：2019-04-10

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 原田真臣 ,  竹内雅树 ,  香川武史 ,  松原弘

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供电容器集合体，具有多个电容器(100)以及保持多个电容器(100)的保持体(300)。多个电容器(100)分别包含半导体基板、第一电极层、电介质层、第二电极层以及外部电极。多个电容器(100)包含第一电容器(100F)与第二电容器(100S)。第二电容器(100S)关于第一电极层、第二电极层以及外部电极的至少1个具有与第一电容器(100F)不同的形状。

公开(公告)号：CN110959188A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201880048521.0

申请日：2018-07-11

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 原田真臣 ,  泉谷淳子 ,  香川武史 ,  松原弘

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04

Abstract: 本发明的目的在于提供抑制保护层电容，且即使在高温时、高湿度时也具有较高的Q值的电容器。本发明的一侧面所涉及的电容器具备：基板；下部电极，形成在基板上；介电膜，形成在下部电极上；上部电极，形成在介电膜上的局部；保护层，覆盖下部电极以及上部电极；以及外部电极，贯通保护层，在从上方观察电容器的俯视时，外部电极仅形成在被上部电极的周缘划定的区域内。

公开(公告)号：CN117280433A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202280033507.X

申请日：2022-05-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 原田真臣 ,  伊藤是清 ,  香川武史 ,  今村勇太

IPC: H01G4/30

Abstract: 作为半导体装置的一个实施方式的电容器(1)具备：基板(10)、设置在基板(10)上的第一电极层(22)、设置在第一电极层(22)上覆盖第一电极层(22)的端部的介电膜(23)、设置在介电膜(23)上的第二电极层(24)、设置在介电膜(23)和第二电极层(24)上的耐湿膜(25)、设置在耐湿膜(25)上的保护层(26)、以及贯通保护层(26)的外部电极(27)。第二电极层(24)的侧面(24c)的至少一部分具有随着从第一主面(24a)朝向第二主面(24b)而向内侧倾斜的锥形。

公开(公告)号：CN117242539A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280032990.X

申请日：2022-05-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 今村勇太 ,  原田真臣 ,  香川武史 ,  伊藤是清

IPC: H01G4/33

Abstract: 作为半导体装置的一个实施方式的电容器(1)具备基板(10)、电路层(20)、第一树脂体(30)。第一树脂体(30)在从厚度方向(T)的俯视时分别设置在基板(10)的端部与第一外部电极(27)之间、以及基板(10)的端部与第二外部电极(28)之间，在厚度方向(T)上，第一树脂体(30)的与基板(10)相反的一侧的前端位于比第一外部电极(27)以及第二外部电极(28)的与基板(10)相反的一侧的前端高的位置，在从与厚度方向(T)垂直的方向的剖面观察时，第一树脂体(30)的第一外部电极(27)或者第二外部电极(28)侧的侧面从基板(10)侧朝向与基板(10)相反的一侧接近第一树脂体(30)的基板(10)的端部侧的侧面，并且第一树脂体(30)的基板(10)的端部侧的侧面相对于基板(10)的第一主面(10a)立起。

公开(公告)号：CN114981904A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180009644.5

申请日：2021-01-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 香川武史 ,  原田真臣 ,  松原弘

IPC: H01G4/30

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及电容装置。半导体装置1具备：半导体基板10，具有在厚度方向T上对置的第一主面10a以及第二主面10b；以及电路层20，设置于半导体基板10的第一主面10a上，电路层20具有：第一电极层22，设置于半导体基板10侧；第二电极层24，与第一电极层22对置设置；电介质层23，在剖面中设置于第一电极层22与第二电极层24之间；以及第一外部电极27，经由未设置有电介质层23的第一区域电连接于第一电极层22，电介质层23的第一区域侧的端部23a(23b)在第一电极层22侧的面与第一电极层22接触，在电介质层23中，端部23a(23b)的厚度方向T上的尺寸Ta(Tb)比位于第一电极层22与第二电极层24之间的电极间部23c的厚度方向T上的尺寸Tc小。

公开(公告)号：CN112041954A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201980028595.2

申请日：2019-04-10

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 原田真臣 ,  竹内雅树 ,  香川武史 ,  松原弘

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供电容器集合体，具有多个电容器(100)以及保持多个电容器(100)的保持体(300)。多个电容器(100)分别包含半导体基板、第一电极层、电介质层、第二电极层以及外部电极。多个电容器(100)包含第一电容器(100F)与第二电容器(100S)。第二电容器(100S)关于第一电极层、第二电极层以及外部电极的至少1个具有与第一电容器(100F)不同的形状。

公开(公告)号：CN117223074A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202280032262.9

申请日：2022-05-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 香川武史 ,  月田祐树

IPC: H01G4/30

Abstract: 作为半导体装置的一个实施方式的电容器(1)具备：基板(10)，其具有在厚度方向上相对的第一主面(10a)以及第二主面(10b)；绝缘膜(21)，其设置在基板(10)的第一主面(10a)上；第一电极层(22)，其设置在绝缘膜(21)上；介电膜(23)，其设置在第一电极层(22)上；第二电极层(24)，其设置在介电膜(23)上；耐湿膜(25)，其设置在介电膜(23)以及第二电极层(24)上；保护层(26)，其设置在耐湿膜(25)上；以及外部电极(27)，其贯通保护层(26)。在基板(10)的第一主面(10a)，在从厚度方向的俯视时在比第一电极层(22)靠外侧的位置形成有阶梯差(31)。

公开(公告)号：CN110800098B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201880042663.6

申请日：2018-07-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 香川武史 ,  泉谷淳子 ,  原田真臣 ,  松原弘 ,  石田宣博

IPC: H01L21/822 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  H01L27/04

Abstract: 薄膜电容器(100)具备：下部电极(120)；介电膜(130)；上部电极(140)；第1保护膜(151)，其分别形成有使上部电极(140)开口的第1贯通孔(CH11)和使下部电极(120)开口的第2贯通孔(CH12)且具有第1上表面(150A)；第2保护膜(152)，其具有处于比第1保护膜151的第1上表面150A高的位置的第2上表面(150B)；第1端子电极(161)，其通过第1贯通孔(CH11)而与上部电极(140)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置；以及第2端子电极(162)，其通过第2贯通孔(CH12)而与下部电极(120)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置。

公开(公告)号：CN115088071A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202180014437.9

申请日：2021-02-16

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 松原弘 ,  原田真臣 ,  香川武史

IPC: H01L27/04 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  H01L21/822

Abstract: 半导体装置(1)具备：半导体基板(10)，具有在厚度方向(T)上相对的第一主面(10a)以及第二主面(10b)；电路层(20)，设置在半导体基板(10)的第一主面(10a)上；以及第一树脂体(30)，设置在电路层(20)的与半导体基板(10)相反侧的表面上，电路层(20)具有：设置在半导体基板(10)侧的第一电极层(22)、与第一电极层(22)对置地设置的第二电极层(24)、在厚度方向(T)上设置在第一电极层(22)与第二电极层(24)之间的电介质层(23)、与第一电极层(22)电连接并被引出到电路层(20)的与半导体基板(10)相反侧的表面的第一外部电极(27)、以及与第二电极层(24)电连接并被引出到电路层(20)的与半导体基板(10)相反侧的表面的第二外部电极(28)，在俯视时，第一树脂体(30)设置在第一外部电极(27)与第二外部电极(28)之间，在剖面观察时，第一树脂体(30)的与半导体基板(10)相反侧的前端位于比第一外部电极(27)以及第二外部电极(28)的与半导体基板(10)相反侧的前端高的位置。

公开(公告)号：CN114981965A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180009347.0

申请日：2021-01-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 原田真臣 ,  香川武史 ,  松原弘 ,  安达永纯

IPC: H01L27/04 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  H01L21/60 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，具备：半导体基板，具有在厚度方向上对置的第一主面及第二主面、在与厚度方向正交的长度方向上对置的第一端面及第二端面；和电路层，设置于半导体基板的第一主面，其特征在于，半导体基板在长度方向上的第二外部电极侧的端面亦即第一端面侧具有在半导体基板上未设置有电路层的第一端部区域，在第一端部区域设置有第一露出部，该第一露出部是除了半导体基板的第一主面以外在第一主面与第一端面之间露出的部分，在与半导体基板的厚度方向以及长度方向平行的方向上切断半导体基板的剖切面中，通过将在第一主面上设置有电路层的部分中的半导体基板以厚度方向的中央为界进行2分割的分割线沿厚度方向对第一端部区域进行了2分割时，作为第一主面侧的区域的第一区域的面积小于作为第二主面侧的区域的第二区域的面积。