公开(公告)号：CN1215709A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98121544.0

申请日：1998-10-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川瀬洋一 ,  中山晃庆 ,  上野哲 ,  石川辉伸 ,  新见秀明

IPC: C04B35/32 ,  H01C7/04

CPC classification number: C04B35/50 ,  H01C7/043

Abstract: 公开了一种半导体陶瓷,其常数B在升高温度下保持在约4000K或更高以减少电能损耗,常数B在低温下降至低于4000K以避免电阻不必要的增加;以及使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件。所述半导体陶瓷由氧化钴镧作为主组分,至少一种La、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu和Zn的氧化物作为次要组分形成。所述半导体陶瓷元件是用该半导体陶瓷和形成于其上的电极来制造。

公开(公告)号：CN1228397A

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：CN99103602.6

申请日：1999-03-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 新见秀明 ,  川本光俊 ,  中山晃庆 ,  上野哲 ,  浦原良一

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01C7/02

CPC classification number: H01C7/025

Abstract: 本发明提供了一种以钛酸钡为基的半导体陶瓷,它呈现优良的PTC特性,可在低于1000℃的温度烧结。本发明也提供了由该陶瓷制得的电子元件。所述的半导体陶瓷包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡:氧化硼,选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物;以及(可任选的)选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的至少一种金属的氧化物;所掺入的氧化硼的数量,按硼原子计算,满足以下关系:0.005≤B/β≤0.50和1.0≤B/(α－β)≤4.0其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素原子的总数,β表示半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑原子的总数。

公开(公告)号：CN1093106C

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN98121544.0

申请日：1998-10-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川瀬洋一 ,  中山晃庆 ,  上野哲 ,  石川辉伸 ,  新见秀明

IPC: C04B35/50 ,  H01C7/04

CPC classification number: C04B35/50 ,  H01C7/043

Abstract: 公开了一种半导体陶瓷，其常数B在升高温度下保持在约4000K或更高以减少电能损耗，常数B在低温下降至低于4000K以避免电阻不必要的增加；以及使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件。所述半导体陶瓷由氧化钴镧作为主组分，至少一种Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu和Zn的氧化物作为次要组分形成。所述半导体陶瓷元件是用该半导体陶瓷和形成于其上的电极来制造。

公开(公告)号：CN1087720C

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN99103602.6

申请日：1999-03-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 新见秀明 ,  川本光俊 ,  中山晃庆 ,  上野哲 ,  浦原良一

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01C7/02

CPC classification number: H01C7/025

Abstract: 本发明提供了一种以钛酸钡为基的半导体陶瓷，它呈现优良的PTC特性，可在低于1000℃的温度烧结。本发明也提供了由该陶瓷制得的电子元件。所述的半导体陶瓷包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡：氧化硼，选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物；以及(可任选的)选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的至少一种金属的氧化物；所掺入的氧化硼的数量，按硼原子计算，满足以下关系：0.005≤B/β≤0.50和1.0≤B/(α-β)≤4.0其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素原子的总数，β表示半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑原子的总数。