公开(公告)号：CN1093106C

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN98121544.0

申请日：1998-10-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川瀬洋一 ,  中山晃庆 ,  上野哲 ,  石川辉伸 ,  新见秀明

IPC: C04B35/50 ,  H01C7/04

CPC classification number: C04B35/50 ,  H01C7/043

Abstract: 公开了一种半导体陶瓷，其常数B在升高温度下保持在约4000K或更高以减少电能损耗，常数B在低温下降至低于4000K以避免电阻不必要的增加；以及使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件。所述半导体陶瓷由氧化钴镧作为主组分，至少一种Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu和Zn的氧化物作为次要组分形成。所述半导体陶瓷元件是用该半导体陶瓷和形成于其上的电极来制造。

公开(公告)号：CN115734945B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202180046555.8

申请日：2021-08-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 石川辉伸

IPC: C01G49/00 ,  H01F1/37 ,  H01F1/34

Abstract: ～2.6mol％、Si：0mol％～2.6mol％、Ti：0mol％本发明的软磁性组合物是以W型六方晶铁氧 ～2.6mol％、Al：0mol％～2.6mol％、Ga：0mol％体为主相的具有以下金属元素比例的氧化物，矫 ～2.6mol％、Mo：0mol％～2.6mol％、Nb+Ta：顽力Hcj为100kA/m以下。Ba+Sr+Na+K+La+Bi： 0mol％～2.6mol％、Sb：0mol％～2.6mol％、W：4.7mol％～5.8mol％、Ba：0mol％～5.8mol％、 0mol％～2.6mol％、V：0mol％～2.6mol％、Li：Sr：0mol％～5.8mol％、Na：0mol％～5.2mol％、 0mol％～2.6mol％。K：0mol％～5.2mol％、La：0mol％～2.1mol％、Bi：0mol％～1.0mol％、Ca：0.2mol％～5.0mol％、Fe：67.4mol％～84.5mol％、Me(II)＝Co+Cu+Mg+Mn+Ni+Zn：9.4mol％～18.1mol％、Meh(II)＝Mg+Mn+Ni+Zn：7.8mol％～17.1mol％、Cu：0mol％～1.6mol％、Mg：0mol％～17.1mol％、Mn：0mol％～17.1mol％、Ni：0mol％～17.1mol％、Zn：0mol％～17.1mol％、Co：0mol％～2.6mol％、定义为Me(I)＝Na+K+Li、Me(II)＝Co+Cu+Mg+Mn+Ni+Zn、Me(IV)＝Ge+Si+Sn+Ti+Zr+Hf、Me(V)＝Mo+Nb+Ta+Sb+W+V、D＝Me(I)+Me(II)－Me(IV)－2×Me(V)时，D：7.8mol％～11.6mol％、M2d＝In+(56)对比文件JP 2000223307 A,2000.08.11CN 1217812 A,1999.05.26CN 1767087 A,2006.05.03JP S63260110 A,1988.10.27JP 2016171264 A,2016.09.23JP 2003002656 A,2003.01.08

公开(公告)号：CN1397958A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02106671.X

申请日：1998-10-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中山晃庆 ,  石川辉伸 ,  新见秀明 ,  浦原良一 ,  坂部行雄

IPC: H01C7/04 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/96 ,  H01B1/08 ,  H01C7/043 ,  H01C7/045 ,  H01C17/06533

Abstract: 公开了一种具有负电阻－温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分；选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分；以及B的氧化物。该组合物的烧结密度高，由其制得的半导体陶瓷元件可用于防止骤增电流、用于延迟电动机启动，或者用于与温度补偿的晶体振荡器一起使用或用于温度补偿。

公开(公告)号：CN1172324C

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN02106671.X

申请日：1998-10-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中山晃庆 ,  石川辉伸 ,  新见秀明 ,  浦原良一 ,  坂部行雄

IPC: H01C7/04 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/96 ,  H01B1/08 ,  H01C7/043 ,  H01C7/045 ,  H01C17/06533

Abstract: 公开了一种具有负电阻-温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分；选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分；以及B的氧化物。该组合物的烧结密度高，由其制得的半导体陶瓷元件可用于防止骤增电流、用于延迟电动机启动，或者用于与温度补偿的晶体振荡器一起使用或用于温度补偿。

公开(公告)号：CN1215709A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98121544.0

申请日：1998-10-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川瀬洋一 ,  中山晃庆 ,  上野哲 ,  石川辉伸 ,  新见秀明

IPC: C04B35/32 ,  H01C7/04

CPC classification number: C04B35/50 ,  H01C7/043

Abstract: 公开了一种半导体陶瓷,其常数B在升高温度下保持在约4000K或更高以减少电能损耗,常数B在低温下降至低于4000K以避免电阻不必要的增加;以及使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件。所述半导体陶瓷由氧化钴镧作为主组分,至少一种La、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu和Zn的氧化物作为次要组分形成。所述半导体陶瓷元件是用该半导体陶瓷和形成于其上的电极来制造。

公开(公告)号：CN1215036A

公开(公告)日：1999-04-28

申请号：CN98120933.5

申请日：1998-10-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中山晃庆 ,  石川辉伸 ,  新见秀明 ,  浦原良一 ,  坂部行雄

IPC: C04B35/00 ,  H01C7/04

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/96 ,  H01B1/08 ,  H01C7/043 ,  H01C7/045 ,  H01C17/06533

Abstract: 公开了一种具有负电阻－温度特性的半导体陶瓷组合物,该组合物包括氧化钴镧作为主组分,以及选自Fe和Al元素的至少一种氧化物和选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分。通过控制添加剂的用量,可以得到室温时的电阻率约为10Ω·cm至100Ω·cm的半导体陶瓷组合物。由于在保持常规组合物特性的同时,室温电阻率能够增至常规组合物电阻率的数倍或更高,因此本发明的组合物可以广泛应用于控制强电流。

公开(公告)号：CN115734945A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202180046555.8

申请日：2021-08-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 石川辉伸

IPC: C01G49/00

Abstract: 本发明的软磁性组合物是以W型六方晶铁氧体为主相的具有以下金属元素比例的氧化物，矫顽力Hcj为100kA/m以下。Ba+Sr+Na+K+La+Bi：4.7mol％～5.8mol％、Ba：0mol％～5.8mol％、Sr：0mol％～5.8mol％、Na：0mol％～5.2mol％、K：0mol％～5.2mol％、La：0mol％～2.1mol％、Bi：0mol％～1.0mol％、Ca：0.2mol％～5.0mol％、Fe：67.4mol％～84.5mol％、Me(II)＝Co+Cu+Mg+Mn+Ni+Zn：9.4mol％～18.1mol％、Meh(II)＝Mg+Mn+Ni+Zn：7.8mol％～17.1mol％、Cu：0mol％～1.6mol％、Mg：0mol％～17.1mol％、Mn：0mol％～17.1mol％、Ni：0mol％～17.1mol％、Zn：0mol％～17.1mol％、Co：0mol％～2.6mol％、定义为Me(I)＝Na+K+Li、Me(II)＝Co+Cu+Mg+Mn+Ni+Zn、Me(IV)＝Ge+Si+Sn+Ti+Zr+Hf、Me(V)＝Mo+Nb+Ta+Sb+W+V、D＝Me(I)+Me(II)－Me(IV)－2×Me(V)时，D：7.8mol％～11.6mol％、M2d＝In+Sc+Sn+Zr+Hf：0mol％～7.8mol％、Sn：0mol％～7.8mol％、Zr+Hf：0mol％～7.8mol％、In：0mol％～7.8mol％、Sc：0mol％～7.8mol％、Ge：0mol％～2.6mol％、Si：0mol％～2.6mol％、Ti：0mol％～2.6mol％、Al：0mol％～2.6mol％、Ga：0mol％～2.6mol％、Mo：0mol％～2.6mol％、Nb+Ta：0mol％～2.6mol％、Sb：0mol％～2.6mol％、W：0mol％～2.6mol％、V：0mol％～2.6mol％、Li：0mol％～2.6mol％。

公开(公告)号：CN113302157A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202080009724.6

申请日：2020-01-29

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 石川辉伸

IPC: C01G49/00 ,  C04B35/26 ,  H01F1/34 ,  H01F27/255

Abstract: 本发明的软磁性组合物是以W型六方晶铁氧体为主相的具有以下的金属元素比例的氧化物，矫顽力Hcj为40kA/m以下。Ba+Sr+Na+K+La：4.7mol％～5.8mol％、Ba：0mol％～5.8mol％、Sr：0mol％～5.8mol％、Na：0mol％～5.2mol％、K：0mol％～5.2mol％、La：0mol％～2.1mol％、Ca：0.2mol％～5.0mol％、Fe：72.5mol％～86.0mol％、Li：0mol％～2.6mol％、Co：7.0mol％～15.5mol％，定义为Me(I)＝Li+Na+K、Me(II)＝Co+Cu+Mg+Mn+Ni+Zn、Me(IV)＝Ge+Si+Sn+Ti+Zr+Hf、Me(V)＝Mo+Nb+Ta+Sb+W+V、D＝Me(I)+Me(II)－Me(IV)－2×Me(V)时，D：7.0mol％～14.8mol％、Cu：0mol％～2.6mol％、Mg：0mol％～2.6mol％、Mn：0mol％～2.6mol％、Ni：0mol％～5.2mol％、Zn：0mol％～2.6mol％、Ge：0mol％～2.6mol％、Si：0mol％～2.6mol％、Ti：0mol％～2.6mol％、Sn：0mol％～5.2mol％、Zr+Hf：0mol％～5.2mol％、Al：0mol％～5.2mol％、Ga：0mol％～5.2mol％、In：0mol％～7.8mol％、Sc：0mol％～7.8mol％、Mo：0mol％～2.6mol％、Nb+Ta：0mol％～2.6mol％、Sb：0mol％～2.6mol％、W：0mol％～2.6mol％、V：0mol％～2.6mol％。

公开(公告)号：CN1091436C

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN98120933.5

申请日：1998-10-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中山晃庆 ,  石川辉伸 ,  新见秀明 ,  浦原良一 ,  坂部行雄

IPC: C04B35/00 ,  H01C7/04

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/96 ,  H01B1/08 ,  H01C7/043 ,  H01C7/045 ,  H01C17/06533

Abstract: 公开了一种具有负电阻-温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分，以及选自Fe和Al元素的至少一种氧化物和选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分。通过控制添加剂的用量，可以得到室温时的电阻率约为10Ω·cm至100Ω·cm的半导体陶瓷组合物。由于在保持常规组合物特性的同时，室温电阻率能够增至常规组合物电阻率的数倍或更高，因此本发明的组合物可以广泛应用于控制强电流。