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公开(公告)号：CN1229630C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN02147069.3
申请日：2002-10-29
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社日立汽车工程
CPC classification number: G01F1/692 , G01F1/6845 , Y10T29/49002 , Y10T29/49007 , Y10T29/4902
Abstract: 一种能够降低时效变化的气体流量计，包括形成的含有腔室的半导体基材和在半导体基材腔室以上通过绝缘膜形成的热元件。该热元件是在高浓度下杂质掺杂的硅(Si)半导体薄膜。在硅(Si)半导体薄膜以上和以下形成作为屏蔽层的化学计量稳定的氮化硅(Si3N4)薄膜，它在热元件的生热温度范围中较少渗透和较少吸收氢气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1447098A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN02147069.3
申请日：2002-10-29
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社日立汽车工程
CPC classification number: G01F1/692 , G01F1/6845 , Y10T29/49002 , Y10T29/49007 , Y10T29/4902
Abstract: 一种能够降低时效变化的气体流量计，包括形成的含有腔室的半导体基材和在半导体基材腔室以上通过绝缘膜形成的热元件。该热元件是在高浓度下杂质掺杂的硅(Si)半导体薄膜。在硅(Si)半导体薄膜以上和以下形成作为屏蔽层的化学计量稳定的氮化硅(Si3N4)薄膜，它在热元件的生热温度范围中较少渗透和较少吸收氢气。
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公开(公告)号：CN100470209C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610100749.9
申请日：2006-07-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G01F1/68
CPC classification number: G01F1/692 , G01F1/6845 , G01F1/698
Abstract: 实现一种不会使电路或者传感器的构造复杂化，且可以减轻发热电阻体的污损，减少因老化而导致的测定误差的热式流量测量装置。薄壁部(7)形成于半导体基板(2)上，在该薄壁部(7)配置有发热电阻体(10)、和感温电阻体(13)的一部分。感温电阻体(13)是在电桥电路中位于与发热电阻体(10)对角的位置的电阻，并被配置于接受发热电阻体(10)的热影响的位置。由此可以使发热电阻体(10)的加热温度具有流量依存性，可以使因老化而导致的测定误差减少。
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公开(公告)号：CN100497912C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510087591.1
申请日：2005-07-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立汽车技术有限公司
CPC classification number: G01F1/699 , G01F1/6842 , G01F1/692
Abstract: 一种流量传感器，是在单晶硅基板上形成薄膜部并在该薄膜部上形成多晶硅的感应电阻器的流量传感器；通常，在薄膜部变化时，电阻值发生变化。因该电阻值变化会导致流量传感器的输出异常。尤其是由于输出异常容易发生在低流量区域，所以作为降低燃料消耗的目的，在发动机进行低怠速化时，上述输出异常就成为问题。因此，为了解决上述的问题，本发明通过将形成在薄膜部的温感电阻器的图案的长方向和短方向的关系设成最佳的构成，使得即使薄膜部变形而导致温感电阻器的电阻值发生变化，流量传感器的输出也难以变化。
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公开(公告)号：CN1892188A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610100749.9
申请日：2006-07-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G01F1/68
CPC classification number: G01F1/692 , G01F1/6845 , G01F1/698
Abstract: 实现一种不会使电路或者传感器的构造复杂化，且可以减轻发热电阻体的污损，减少因老化而导致的测定误差的热式流量测量装置。薄壁部(7)形成于半导体基板(2)上，在该薄壁部(7)配置有发热电阻体(10)、和感温电阻体(13)的一部分。感温电阻体(13)是在电桥电路中位于与发热电阻体(10)对角的位置的电阻，并被配置于接受发热电阻体(10)的热影响的位置。由此可以使发热电阻体(10)的加热温度具有流量依存性，可以使因老化而导致的测定误差减少。
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公开(公告)号：CN1755332A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510087591.1
申请日：2005-07-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立汽车技术有限公司
CPC classification number: G01F1/699 , G01F1/6842 , G01F1/692
Abstract: 一种流量传感器，是在单晶硅基板上形成薄膜部并在该薄膜部上形成多晶硅的感应电阻器的流量传感器；通常，在薄膜部变化时，电阻值发生变化。因该电阻值变化会导致流量传感器的输出异常。尤其是由于输出异常容易发生在低流量区域，所以作为降低燃料消耗的目的，在发动机进行低怠速化时，上述输出异常就成为问题。因此，为了解决上述的问题，本发明通过将形成在薄膜部的温感电阻器的图案的长方向和短方向的关系设成最佳的构成，使得即使薄膜部变形而导致温感电阻器的电阻值发生变化，流量传感器的输出也难以变化。
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