公开(公告)号：CN100413075C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200410071440.2

申请日：2004-03-03

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺尾元康 ,  高浦则克 ,  黑土健三 ,  松岡秀行 ,  山内豪

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1213 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

Abstract: 提供一种存储装置，是由使用了存储元阵和选择晶体管的存储单元构成的相变存储装置，具有可在130度以上工作的高耐热性。作为该装置的结构，在记录层上使用Zn-Ge-Te的Zn或Cd等的含量≥25原子%、Ge的含量≥5原子%且≤25原子%、Te的含量≥40原子%的材料。这样，能够实现用于车载用途等有可能变为高温的用途中的存储装置。

公开(公告)号：CN1571160A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410071440.2

申请日：2004-03-03

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺尾元康 ,  高浦则克 ,  黑土健三 ,  松岡秀行 ,  山内豪

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1213 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

Abstract: 提供一种存储装置，是由使用了存储元件和选择晶体管的存储单元构成的相变存储装置，具有可在130度以上工作的高耐热性。作为该装置的结构，在记录层上使用Zn－Ge－Te的Zn或Cd等的含量≥25原子％、Ge的含量≥5原子％且≤25原子％、Te的含量≥40原子％的材料。这样，能够实现用于车载用途等有可能变为高温的用途中的存储装置。