公开(公告)号：CN1432856A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03101599.9

申请日：2003-01-15

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立器件工程株式会社

Inventor： 後藤順 ,  斉藤勝俊 ,  大倉理 ,  高嵜幸男 ,  山本昌直

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  G09F9/35

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/458

Abstract: 使用漏极源极充分活性化的具有多晶半导体层的晶体管的图象显示装置。容易控制LDD区域的杂质浓度。多晶半导体层在上面隔着绝缘膜形成栅电极，把该栅电极一侧的多晶半导体层作为漏极区域，把另一侧的多晶半导体层作为源极区域，在多晶半导体层的栅电极的下侧(特别是正下方)的区域上注入被活性化后的p型杂质，在多晶的半导体层的上述栅电极的下侧(特别是正下方)以外的区域上注入被活性化后的n型杂质。该多晶半导体层，其特征在于：在从栅电极下侧的区域至漏极区域以及源极区域的各区域上，随着从栅电极的下侧至漏极区域以及源极区域，被活性化的p型杂质的分布为逐渐减少。

公开(公告)号：CN1213338C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03101599.9

申请日：2003-01-15

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立器件工程株式会社

Inventor： 後藤順 ,  斉藤勝俊 ,  大倉理 ,  高嵜幸男 ,  山本昌直

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  G09F9/35

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/458

Abstract: 使用漏极源极充分活性化的具有多晶半导体层的晶体管的图象显示装置。容易控制LDD区域的杂质浓度。多晶半导体层在上面隔着绝缘膜形成栅电极，把该栅电极一侧的多晶半导体层作为漏极区域，把另一侧的多晶半导体层作为源极区域，在多晶半导体层的栅电极的下侧(特别是正下方)的区域上注入被活性化后的p型杂质，在多晶的半导体层的上述栅电极的下侧(特别是正下方)以外的区域上注入被活性化后的n型杂质。该多晶半导体层，其特征在于：在从栅电极下侧的区域至漏极区域以及源极区域的各区域上，随着从栅电极的下侧至漏极区域以及源极区域，被活性化的p型杂质的分布为逐渐减少。

公开(公告)号：CN1276470C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN02106426.1

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 武田一男 ,  斋藤雅和 ,  高嵜幸男 ,  阿部广伸 ,  大仓理 ,  木村嘉伸 ,  芝健夫

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明提供了一种多晶硅膜的制造方法，包括步骤：通过光照设置在衬底上的硅膜形成多晶硅膜，和选择衬底样品，所述衬底样品具有500nm或更大的面内平均粒径。根据本发明，能够稳定制造高性能的多晶硅TFT液晶显示器。

公开(公告)号：CN1409378A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02106426.1

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 武田一男 ,  斋藤雅和 ,  高嵜幸男 ,  阿部广伸 ,  大仓理 ,  木村嘉伸 ,  芝健夫

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明提供了一种多晶硅膜的制造方法，包括步骤：通过光照设置在衬底上的硅膜形成多晶硅膜，和选择衬底样品，所述衬底样品具有500nm或更大的面内平均粒径。根据本发明，能够稳定制造高性能的多晶硅TFT液晶显示器。