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公开(公告)号:CN1003026B
公开(公告)日:1989-01-04
申请号:CN86102472
申请日:1986-04-09
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L23/427 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体堆由层叠和紧固在一起的GTO可控硅,冷却件和接线导体构成。半导体堆配置在冷却器内,并充以氟利昂液。冷凝器配置在冷却器上面,通过连通管与冷却器连接构成冷却装置。每个冷却件在GTO可控硅和接线导体之间配置并有许多小孔,氟利昂液在小孔内裱可控硅产生的热所沸腾变成氟利昂蒸汽趋向接线导体。每个接线导体在它与冷却器接触的表面上有许多纵向缝隙。氟利昂蒸汽沿缝隙向上流动以提高致冷剂冷却循环效率。
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公开(公告)号:CN86102472A
公开(公告)日:1986-10-15
申请号:CN86102472
申请日:1986-04-09
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/44
CPC classification number: H01L23/427 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体堆由层叠和紧固在一起的GTO可控硅,冷却件和导体构成。半导体堆配置在冷却器内,该冷却器充满了氟利昂液。冷凝器配置在冷却器的上面,通过连通管与冷却器连接,构成一种冷却装置。每个冷却件在GTO可控硅和导体之间有许多小孔,在小孔之间配置了冷却件。氟利昂液在小孔内被GTO可控硅上产生的热量汽化变成氟利昂汽化物趋向导体。每个导体在它与冷却器接触的表面上有许多纵向槽。氟利昂汽化物流沿着槽向上流动,提高了氟利昂致冷剂的冷却循环效率。
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