公开(公告)号：CN1292932A

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：CN98814032.2

申请日：1998-09-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 岩崎贵之 ,  八尾勉 ,  小野濑秀胜 ,  大野俊之

IPC: H01L29/80 ,  H02M1/08

CPC classification number: H02M7/003 ,  H01L29/7722

Abstract: 根据本发明的静电感应晶体管包括能带间隙大于硅的半导体衬底,半导体衬底具有连接栅电极的第一栅极区,和设置在将变为漏极区的第一半导体区内的第二栅极区,第一栅极区接触变为源极区的第二半导体区。根据本发明,可以提高静电感应晶体管的关断特性。

公开(公告)号：CN105453242B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201380078836.7

申请日：2013-08-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 木村嘉伸 ,  津野夏规 ,  太田洋也 ,  山田廉一 ,  滨村浩孝 ,  大野俊之 ,  冲野泰之 ,  毛利友纪

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01R31/265 ,  H01L22/20 ,  H01L22/24

Abstract: 在本发明的半导体检查装置的半导体检查方法中，选择入射能量和负电位来进行控制，向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子，取得第一检查图像，通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理，判别包含在第一检查图像中的宏观缺陷、层叠缺陷、基面位错和贯通位错。另外，选择入射能量和正电位来进行控制，向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子，取得第二检查图像，通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理，判别包含在第二检查图像中的点形状图形的贯通螺旋位错。

公开(公告)号：CN105453242A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201380078836.7

申请日：2013-08-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 木村嘉伸 ,  津野夏规 ,  太田洋也 ,  山田廉一 ,  滨村浩孝 ,  大野俊之 ,  冲野泰之 ,  毛利友纪

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01R31/265 ,  H01L22/20 ,  H01L22/24

Abstract: 在本发明的半导体检查装置的半导体检查方法中，选择入射能量和负电位来进行控制，向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子，取得第一检查图像，通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理，判别包含在第一检查图像中的宏观缺陷、层叠缺陷、基面位错和贯通位错。另外，选择入射能量和正电位来进行控制，向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子，取得第二检查图像，通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理，判别包含在第二检查图像中的点形状图形的贯通螺旋位错。

公开(公告)号：CN1286805A

公开(公告)日：2001-03-07

申请号：CN98813915.4

申请日：1998-03-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大野俊之 ,  岩崎贵之 ,  八尾勉

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本半导体开关器件包括具有第一导电类型的六角形对称碳化硅单晶和具有与第一导电类型相反的第二导电类型并位于碳化硅单晶内的半导体区域。在第一导电类型的碳化硅单晶和第二导电类型的半导体区域之间形成pn结。pn结果面包括从碳化硅单晶表面开始沿着深度方向延伸的界面,而延伸的界面包括与碳化硅单晶(1120)取向平行或大致与之平行的晶面。因此减小漏电流。