公开(公告)号：CN100451841C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200610096000.1

申请日：2001-08-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺泽恒男 ,  田中稔彦 ,  宫崎浩 ,  长谷川升雄 ,  森和孝

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70425 ,  G03F1/00 ,  G03F1/56 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  Y10S438/944 ,  Y10S438/946 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，该制造方法到半导体衬底上的晶体管结构的制造为止是公共的，在布线加工中分成多个种类来制造多种产品，其特征在于，包括下列步骤：为了对上述多种产品形成公共结构的图形，使用将金属膜作为曝光不透明膜的第一光掩膜，在形成于上述半导体衬底上的第一感光膜上进行曝光的步骤；为了在上述多种产品上形成按每个种类而不同的图形，使用将有机感光树脂膜作为曝光不透明膜的孔或布线图形用的第二光掩膜，在形成在上述半导体衬底上的第二感光膜上进行曝光的步骤。由此，改善了半导体集成电路器件的生产率。

公开(公告)号：CN1295749C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN03105193.6

申请日：2001-08-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺泽恒男 ,  田中稔彦 ,  宫崎浩 ,  长谷川升雄 ,  森和孝

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/82 ,  H01L21/50

CPC classification number: G03F7/70425 ,  G03F1/00 ,  G03F1/56 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  Y10S438/944 ,  Y10S438/946 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造半导体集成电路器件的方法，它包含对写入了图形的光掩模进行照明，并经由曝光光学系统反复执行投影曝光，从而将所述图形印制到半导体衬底上，顺序形成预定的图形的步骤，当每个光掩模所需的曝光处理数目大于预定数目时，使用以金属膜作为不透明元件的光掩模，而当每个光掩模所需的曝光处理数目小于预定数目时，使用以含有机感光树脂膜的有机材料作为不透明元件的光掩模。由此，改善了半导体集成电路器件的产率。

公开(公告)号：CN1440517A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN01812451.8

申请日：2001-06-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川升雄 ,  冈田让二 ,  田中稔彦 ,  森和孝 ,  宫崎浩

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/56 ,  G03F1/70 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/707 ,  H01L21/0274 ,  Y10S438/942 ,  Y10S438/945 ,  Y10S438/948 ,  Y10S438/95

Abstract: 为了缩短半导体集成电路器件的开发和制造周期，在用曝光工艺将集成电路图形转移到晶片上时，采用了一种光掩模PM1，除了由金属组成的遮光图形之外，它还部分地配备有由抗蚀剂膜组成的遮光图形3a。

公开(公告)号：CN1516236A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03105193.6

申请日：2001-08-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺泽恒男 ,  田中稔彦 ,  宫崎浩 ,  长谷川升雄 ,  森和孝

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/82 ,  H01L21/50

CPC classification number: G03F7/70425 ,  G03F1/00 ,  G03F1/56 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  Y10S438/944 ,  Y10S438/946 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造半导体集成电路器件的方法，它包含对写入了图形的光掩模进行照明，并经由曝光光学系统反复执行投影曝光，从而将所述图形印制到半导体衬底上，顺序形成预定的图形的步骤，当每个光掩模所需的曝光处理数目大于预定数目时，使用以金属膜作为不透明元件的光掩模，而当每个光掩模所需的曝光处理数目小于预定数目时，使用以含有机感光树脂膜的有机材料作为不透明元件的光掩模。由此，改善了半导体集成电路器件的产率。

公开(公告)号：CN1386300A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN01802217.0

申请日：2001-08-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺泽恒男 ,  田中稔彦 ,  宫崎浩 ,  长谷川升雄 ,  森和孝

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F1/08 ,  H01L27/10 ,  H01L21/3205

CPC classification number: G03F7/70425 ,  G03F1/00 ,  G03F1/56 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  Y10S438/944 ,  Y10S438/946 ,  H01L2924/00

Abstract: 改善了半导体集成电路器件的产率。根据光掩模被使用多少次,恰当地使用具有由金属组成的不透明图形的光掩模以及具有由抗蚀剂膜组成的不透明图形的光掩模,从而执行曝光处理。

公开(公告)号：CN1350321A

公开(公告)日：2002-05-22

申请号：CN01143332.9

申请日：2001-09-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 宫崎浩 ,  森和孝 ,  长谷川升雄 ,  寺泽恒男 ,  田中稔彦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  H01L21/82 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/56 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70616

Abstract: 提供一种半导体集成电路器件的制造方法,其中包括依据半导体集成电路器件的制造步骤,在曝光处理时,适当采用具有由金属制成的光阻挡图形的光掩模以及具有由抗蚀剂膜制成的光阻挡图形的另一光掩模。根据本发明,可以提高半导体集成电路器件的生产率。

公开(公告)号：CN100334687C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN01812451.8

申请日：2001-06-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川升雄 ,  冈田让二 ,  田中稔彦 ,  森和孝 ,  宫崎浩

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/08

CPC classification number: G03F1/56 ,  G03F1/70 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/707 ,  H01L21/0274 ,  Y10S438/942 ,  Y10S438/945 ,  Y10S438/948 ,  Y10S438/95

Abstract: 为了缩短半导体集成电路器件的开发和制造周期，在用曝光工艺将集成电路图形转移到晶片上时，采用了一种光掩模PM1，除了由金属组成的遮光图形之外，它还部分地配备有由抗蚀剂膜组成的遮光图形3a。

公开(公告)号：CN1945438A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610096000.1

申请日：2001-08-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺泽恒男 ,  田中稔彦 ,  宫崎浩 ,  长谷川升雄 ,  森和孝

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70425 ,  G03F1/00 ,  G03F1/56 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  Y10S438/944 ,  Y10S438/946 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，到半导体衬底上的晶体管结构的制造为止是相同的工艺，在布线加工中分成多个种类来制造多种产品，其特征在于，包括下列步骤：为了对上述多种产品形成公共结构的图形，使用将金属膜作为曝光不透明膜的第一光掩膜，在形成于上述半导体衬底上的第一感光膜上进行曝光的步骤；为了在上述多种产品上形成按每个种类而不同的图形，使用将有机感光树脂膜作为曝光不透明膜的孔或布线图形用的第二光掩膜，在形成在上述半导体衬底上的第二感光膜上进行曝光的步骤。由此，改善了半导体集成电路器件的生产率。

公开(公告)号：CN1182568C

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN01802217.0

申请日：2001-08-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺泽恒男 ,  田中稔彦 ,  宫崎浩 ,  长谷川升雄 ,  森和孝

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F1/08 ,  H01L27/10 ,  H01L21/3205

CPC classification number: G03F7/70425 ,  G03F1/00 ,  G03F1/56 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  Y10S438/944 ,  Y10S438/946 ,  H01L2924/00

Abstract: 改善了半导体集成电路器件的产率。根据光掩模被使用多少次，恰当地使用具有由金属组成的不透明图形的光掩模以及具有由抗蚀剂膜组成的不透明图形的光掩模，从而执行曝光处理。

公开(公告)号：CN1347144A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN01125214.6

申请日：2001-08-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野正树 ,  浜本正人 ,  若原笃志 ,  高桥英行 ,  日下田惠一 ,  楠贡 ,  森和孝

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/82

CPC classification number: G01R31/3004

Abstract: 提供一种借助于打算的高度集成和高速度的实现能够得到高度可靠的半导体器件的制造方法。在诸过程期间,在一个包括一个CMOS静态型电路的希望电路形成在半导体衬底上直到产品装运之后,进行:一种第一操作,把一个预定输入信号供给到电路,并且检索与它对应的一个第一输出信号;和一种第二操作,给出增大构成CMOS静态型电路的MOSFET的导通电阻值的一种操作条件,并且检索与该条件对应的一个第二输出信号;及一个测试步骤,通过从第二输出信号变化的第一输出信号确定失效。