公开(公告)号：CN1347144A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN01125214.6

申请日：2001-08-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野正树 ,  浜本正人 ,  若原笃志 ,  高桥英行 ,  日下田惠一 ,  楠贡 ,  森和孝

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/82

CPC classification number: G01R31/3004

Abstract: 提供一种借助于打算的高度集成和高速度的实现能够得到高度可靠的半导体器件的制造方法。在诸过程期间,在一个包括一个CMOS静态型电路的希望电路形成在半导体衬底上直到产品装运之后,进行:一种第一操作,把一个预定输入信号供给到电路,并且检索与它对应的一个第一输出信号;和一种第二操作,给出增大构成CMOS静态型电路的MOSFET的导通电阻值的一种操作条件,并且检索与该条件对应的一个第二输出信号;及一个测试步骤,通过从第二输出信号变化的第一输出信号确定失效。