公开(公告)号：CN1412824A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN01143387.6

申请日：1995-06-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 德永尚文 ,  奥平定之 ,  水谷巽 ,  田子一农 ,  数见秀之 ,  吉冈健

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/76802

Abstract: 为了在LSI制造中实现高选择比和高精度的刻蚀，在对半导体衬底上的薄膜进行干法刻蚀时，借助于使等离子体中激发到亚稳态的惰性气体与碳氟气体相互作用并选择性地获得所需的分解物的方法，精确地控制了反应气体分解物的组分。

公开(公告)号：CN1143366C

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN95107166.1

申请日：1995-06-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 德永尚文 ,  奥平定之 ,  水谷巽 ,  田子一农 ,  数见秀之 ,  吉冈健

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/76802

Abstract: 为了在LSI制造中实现高选择比和高精度的刻蚀，在对半导体衬底上的薄膜进行干法刻蚀时，借助于使等离子体中激发到亚稳态的惰性气体与碳氟气体相互作用并选择性地获得所需的分解物的方法，精确地控制了反应气体分解物的组分。

公开(公告)号：CN1185030A

公开(公告)日：1998-06-17

申请号：CN97122955.4

申请日：1997-11-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 数见秀之 ,  手束勉 ,  西尾良司 ,  荒井雅嗣 ,  吉冈健 ,  坪根恒彦 ,  土居昭 ,  枝村学 ,  前田贤治 ,  金井三郎

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/321

Abstract: 向一天线1馈加由射频电源10产生的射频电力,从而产生等离子体。前述天线的一端通过一可变电容器9接地。一法拉第屏蔽8与地电绝缘,同时前述可变电容器的电容被确定为这样一个值:可使前述天线两端的电压绝对值相等而相位相反,以在等离子体发生之后减少前述室壁的部分磨损。在激发前述等离子体6的时刻,前述电容器9的电容被调到与前述最小化真空室壁磨损的值相比更大或更小的值。

公开(公告)号：CN1128899A

公开(公告)日：1996-08-14

申请号：CN95107166.1

申请日：1995-06-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 德永尚文 ,  奥平定之 ,  水谷巽 ,  田子一农 ,  数见秀之 ,  吉冈健

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/76802

Abstract: 为了在LSI制造中实现高选择比和高精度的刻蚀，在对半导体衬底上的薄膜进行干法刻蚀时，借助于使等离子体中激发到亚稳态的惰性气体与碳氟气体相互作用并选择性地获得所需的分解物的方法，精确地控制了反应气体分解物的组分。