公开(公告)号：CN1140296A

公开(公告)日：1997-01-15

申请号：CN96102107.1

申请日：1996-02-02

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 佐野雅章 ,  北芳明 ,  鸣海俊一 ,  川边隆 ,  府山盛明 ,  高野公史 ,  山本久乃 ,  益田贤三

IPC: G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F41/26

Abstract: 在本发明中，具有大于1.5T的高饱和磁通密度和大于40μΩ·cm的电阻率的磁膜通过使用(40-60)Ni-Fe电镀方法并向(40-60)Ni-Fe加入Co，Mo，Cr，B，In，Pd等制造。从而可获得能够在高的频率范围进行充分记录的记录磁头，并获得带有高记录密度的磁盘存储系统，该系统具有高于15MB/s传输速率，高于45MHz的记录频率和高于4000rpm的磁盘旋转速度。

公开(公告)号：CN1296894C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200410104673.8

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 工藤一惠 ,  冈田泰行 ,  府山盛明 ,  丸山洋治 ,  及川玄

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/313 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3146 ,  G11B5/3163 ,  Y10T29/49032

Abstract: 薄膜磁头的制造方法，该薄膜磁头具有下部磁极、与下部磁极相对设置的上部磁极和在上、下部磁极之间设置的磁间隙膜，其特征是在磁间隙膜上，由溅镀法成膜含有Co、Ni、Fe为10≤Co≤80重量%、0≤Ni≤25重量%和15≤Fe≤90重量%的第1磁性膜、而且在第1磁性膜上由电镀法成膜含有Co、Ni、Fe为10≤Co≤80重量%、0≤Ni≤25重量%和15≤Fe≤90重量%的第2磁性膜而形成的上部磁极。

公开(公告)号：CN1068949C

公开(公告)日：2001-07-25

申请号：CN96102107.1

申请日：1996-02-02

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 佐野雅章 ,  北芳明 ,  鸣海俊一 ,  川边隆 ,  府山盛明 ,  高野公史 ,  山本久乃 ,  益田贤三

IPC: G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F41/26

Abstract: 本发明提供一种能获得高速率传输的高记录密度的磁盘存储系统，包括：磁盘；具有上磁芯和下磁芯的薄膜磁头，其中，至少所述薄膜磁头的所述上磁心由Ni-Fe合金制成，所述Ni-Fe合金具有38-60wt%的Ni和40-62wt%的Fe，且构成所述薄膜磁头的所述上磁芯的平均晶粒粒径小于50nm。本发明还提供一种高质量的薄膜磁头。

公开(公告)号：CN1645479A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410104673.8

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 工藤一惠 ,  冈田泰行 ,  府山盛明 ,  丸山洋治 ,  及川玄

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/313 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3146 ,  G11B5/3163 ,  Y10T29/49032

Abstract: 薄膜磁头的制造方法，该薄膜磁头具有下部磁极、与下部磁极相对设置的上部磁极和在上、下部磁极之间设置的磁间隙膜，其特征是在磁间隙膜上，由溅镀法成膜含有Co、Ni、Fe为10≤Co≤80重量％、0≤Ni≤25重量％和15≤Fe≤90重量％的第1磁性膜、而且在第1磁性膜上由电镀法成膜含有Co、Ni、Fe为10≤Co≤80重量％、0≤Ni≤25重量％和15≤Fe≤90重量％的第2磁性膜而形成的上部磁极。

公开(公告)号：CN1420489A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02132218.X

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 工藤一惠 ,  冈田泰行 ,  府山盛明 ,  丸山洋治 ,  及川玄

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/313 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3146 ,  G11B5/3163 ,  Y10T29/49032

Abstract: 薄膜磁头，具有下部磁极、与下部磁极相对设置的上部磁极、以及在上下部磁极之间设置的磁间隙膜，上部磁极具有与磁间隙膜相对一侧由溅镀法成膜的第1磁性膜和在第1磁性膜上由电镀法成膜的第2磁性膜，而且第1磁性膜的饱和磁通密度比第2磁性膜的饱和磁通密度大。由上述构成的薄膜磁头，由于形成了安定的磁芯，所以可以产生较强的磁场。