公开(公告)号：CN1140296A

公开(公告)日：1997-01-15

申请号：CN96102107.1

申请日：1996-02-02

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 佐野雅章 ,  北芳明 ,  鸣海俊一 ,  川边隆 ,  府山盛明 ,  高野公史 ,  山本久乃 ,  益田贤三

IPC: G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F41/26

Abstract: 在本发明中，具有大于1.5T的高饱和磁通密度和大于40μΩ·cm的电阻率的磁膜通过使用(40-60)Ni-Fe电镀方法并向(40-60)Ni-Fe加入Co，Mo，Cr，B，In，Pd等制造。从而可获得能够在高的频率范围进行充分记录的记录磁头，并获得带有高记录密度的磁盘存储系统，该系统具有高于15MB/s传输速率，高于45MHz的记录频率和高于4000rpm的磁盘旋转速度。

公开(公告)号：CN85101430A

公开(公告)日：1987-01-10

申请号：CN85101430

申请日：1985-04-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 峰村哲郎 ,  安藤寿 ,  生田勲 ,  北芳明

IPC: G11B7/00 ,  G11B7/24

Abstract: 所披露的是一种信息记录与重现装置，它使用一种金属或合金作为记录介质，该金属或合金在固体状态下的结晶组织具有处于至少两个温度领域的不同金相，并可通过加热及淬火引起金相转变。由于金相转变使光谱反射率发生变化。从而可对信号、字母、图形、符号等信息予以清晰的记录以及消除。利用激光之类的光能，很容易施行重新写入。

公开(公告)号：CN1068949C

公开(公告)日：2001-07-25

申请号：CN96102107.1

申请日：1996-02-02

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 佐野雅章 ,  北芳明 ,  鸣海俊一 ,  川边隆 ,  府山盛明 ,  高野公史 ,  山本久乃 ,  益田贤三

IPC: G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F41/26

Abstract: 本发明提供一种能获得高速率传输的高记录密度的磁盘存储系统，包括：磁盘；具有上磁芯和下磁芯的薄膜磁头，其中，至少所述薄膜磁头的所述上磁心由Ni-Fe合金制成，所述Ni-Fe合金具有38-60wt%的Ni和40-62wt%的Fe，且构成所述薄膜磁头的所述上磁芯的平均晶粒粒径小于50nm。本发明还提供一种高质量的薄膜磁头。

公开(公告)号：CN1013527B

公开(公告)日：1991-08-14

申请号：CN85101430

申请日：1985-04-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 峰村哲郎 ,  安藤寿 ,  生田勋 ,  北芳明

IPC: G11B7/00 ,  G11B7/24

Abstract: 所披露的是一种信息记录与重现装置，它使用一种金属或合金作为记录介质，该金属或合金在固体状态下的结晶组织具有处于至少两个温度领域的不同金相，并可通过加热及淬火引起金相转变，由于金相转变使光谱反射率发生变化，从而可对信号、字母、图形、符号等信息予以清晰的记录以及消除，利用激光之类的光能，很容易施行重新写入。