公开(公告)号：CN1068949C

公开(公告)日：2001-07-25

申请号：CN96102107.1

申请日：1996-02-02

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 佐野雅章 ,  北芳明 ,  鸣海俊一 ,  川边隆 ,  府山盛明 ,  高野公史 ,  山本久乃 ,  益田贤三

IPC: G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F41/26

Abstract: 本发明提供一种能获得高速率传输的高记录密度的磁盘存储系统，包括：磁盘；具有上磁芯和下磁芯的薄膜磁头，其中，至少所述薄膜磁头的所述上磁心由Ni-Fe合金制成，所述Ni-Fe合金具有38-60wt%的Ni和40-62wt%的Fe，且构成所述薄膜磁头的所述上磁芯的平均晶粒粒径小于50nm。本发明还提供一种高质量的薄膜磁头。

公开(公告)号：CN1140296A

公开(公告)日：1997-01-15

申请号：CN96102107.1

申请日：1996-02-02

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 佐野雅章 ,  北芳明 ,  鸣海俊一 ,  川边隆 ,  府山盛明 ,  高野公史 ,  山本久乃 ,  益田贤三

IPC: G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F41/26

Abstract: 在本发明中，具有大于1.5T的高饱和磁通密度和大于40μΩ·cm的电阻率的磁膜通过使用(40-60)Ni-Fe电镀方法并向(40-60)Ni-Fe加入Co，Mo，Cr，B，In，Pd等制造。从而可获得能够在高的频率范围进行充分记录的记录磁头，并获得带有高记录密度的磁盘存储系统，该系统具有高于15MB/s传输速率，高于45MHz的记录频率和高于4000rpm的磁盘旋转速度。