公开(公告)号：CN1645479A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410104673.8

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 工藤一惠 ,  冈田泰行 ,  府山盛明 ,  丸山洋治 ,  及川玄

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/313 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3146 ,  G11B5/3163 ,  Y10T29/49032

Abstract: 薄膜磁头的制造方法，该薄膜磁头具有下部磁极、与下部磁极相对设置的上部磁极和在上、下部磁极之间设置的磁间隙膜，其特征是在磁间隙膜上，由溅镀法成膜含有Co、Ni、Fe为10≤Co≤80重量％、0≤Ni≤25重量％和15≤Fe≤90重量％的第1磁性膜、而且在第1磁性膜上由电镀法成膜含有Co、Ni、Fe为10≤Co≤80重量％、0≤Ni≤25重量％和15≤Fe≤90重量％的第2磁性膜而形成的上部磁极。

公开(公告)号：CN1420489A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02132218.X

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 工藤一惠 ,  冈田泰行 ,  府山盛明 ,  丸山洋治 ,  及川玄

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/313 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3146 ,  G11B5/3163 ,  Y10T29/49032

Abstract: 薄膜磁头，具有下部磁极、与下部磁极相对设置的上部磁极、以及在上下部磁极之间设置的磁间隙膜，上部磁极具有与磁间隙膜相对一侧由溅镀法成膜的第1磁性膜和在第1磁性膜上由电镀法成膜的第2磁性膜，而且第1磁性膜的饱和磁通密度比第2磁性膜的饱和磁通密度大。由上述构成的薄膜磁头，由于形成了安定的磁芯，所以可以产生较强的磁场。

公开(公告)号：CN1296894C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200410104673.8

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 工藤一惠 ,  冈田泰行 ,  府山盛明 ,  丸山洋治 ,  及川玄

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/313 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3146 ,  G11B5/3163 ,  Y10T29/49032

Abstract: 薄膜磁头的制造方法，该薄膜磁头具有下部磁极、与下部磁极相对设置的上部磁极和在上、下部磁极之间设置的磁间隙膜，其特征是在磁间隙膜上，由溅镀法成膜含有Co、Ni、Fe为10≤Co≤80重量%、0≤Ni≤25重量%和15≤Fe≤90重量%的第1磁性膜、而且在第1磁性膜上由电镀法成膜含有Co、Ni、Fe为10≤Co≤80重量%、0≤Ni≤25重量%和15≤Fe≤90重量%的第2磁性膜而形成的上部磁极。