公开(公告)号：CN1269193C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN03136744.5

申请日：2003-05-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 太田胜启 ,  富山宪世 ,  一濑晃之

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/10861 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105

Abstract: 为防止来自晶片周端部的尘埃，利用化学药剂，以比对其下的绝缘膜的腐蚀率高的腐蚀率除掉已成膜的半导体膜的至少背面全部和周端部，实现在表面的集成电路图形区形成半导体膜的半导体器件。借助于如此进行制作，可以避免来自晶片周边部的尘埃的课题，实现具有高可靠性的半导体器件。

公开(公告)号：CN1038625C

公开(公告)日：1998-06-03

申请号：CN94100510.0

申请日：1994-01-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 齐藤昭男 ,  太田胜启 ,  伊藤晴夫 ,  冈齐

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/24

Abstract: 本发明的目的在于提供氟酸水溶液或在氟酸+氟化铵混合水溶液中防止杂质附着的技术。通过向氢氟酸水溶液或氟酸+氟化铵混合水溶液等的氢氟酸系的腐蚀溶液中添加可以降低杂质和基板ζ电位的物质，特别是以低于临界胶束浓度的浓度添加阴离子表面活性剂，可以防止或降低混合水溶液中的杂质附着。可以提高半导体器件等的电子元件的成品率。

公开(公告)号：CN1091859A

公开(公告)日：1994-09-07

申请号：CN94100510.0

申请日：1994-01-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 齐藤昭男 ,  太田胜启 ,  伊藤晴夫 ,  冈齐

IPC: H01L21/306

Abstract: 本发明的目的在于提供氟酸水溶液或在氟酸+氟化铵混合水溶液中防止杂质附着的技术。通过向氢氟酸水溶液或氟酸+氟化铵混合水溶液等的氢氟酸系的腐蚀溶液中添加可以降低杂质和基板ζ电位的物质，特别是以低于临界胶束浓度的浓度添加阴离子表面活性剂，可以防止或降低混合水溶液中的杂质附着。可以提高半导体装置等的电子元件的产率。

公开(公告)号：CN1461046A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03136744.5

申请日：2003-05-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 太田胜启 ,  富山宪世 ,  一濑晃之

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/10861 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105

Abstract: 为防止来自晶片边沿部的尘埃，利用化学药剂，以比对其下的绝缘膜的腐蚀率高的腐蚀率除掉已成膜的半导体膜的至少背面全部和边沿部，实现在表面的集成电路图形区形成半导体膜的半导体器件。借助于如此进行制作，可以避免来自晶片周边部的尘埃的课题，实现具有高可靠性的半导体器件。