公开(公告)号：CN1269193C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN03136744.5

申请日：2003-05-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 太田胜启 ,  富山宪世 ,  一濑晃之

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/10861 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105

Abstract: 为防止来自晶片周端部的尘埃，利用化学药剂，以比对其下的绝缘膜的腐蚀率高的腐蚀率除掉已成膜的半导体膜的至少背面全部和周端部，实现在表面的集成电路图形区形成半导体膜的半导体器件。借助于如此进行制作，可以避免来自晶片周边部的尘埃的课题，实现具有高可靠性的半导体器件。

公开(公告)号：CN1461046A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03136744.5

申请日：2003-05-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 太田胜启 ,  富山宪世 ,  一濑晃之

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/10861 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105

Abstract: 为防止来自晶片边沿部的尘埃，利用化学药剂，以比对其下的绝缘膜的腐蚀率高的腐蚀率除掉已成膜的半导体膜的至少背面全部和边沿部，实现在表面的集成电路图形区形成半导体膜的半导体器件。借助于如此进行制作，可以避免来自晶片周边部的尘埃的课题，实现具有高可靠性的半导体器件。