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公开(公告)号：CN1212467A
公开(公告)日：1999-03-31
申请号：CN98119535.0
申请日：1994-11-18
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/10817 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体存储器件,包括半导体存储单元阵列和外围电路,各阵列包括多个具有开关晶体管和信息存储元的存储单元以及与开关晶体管的源区或漏区电连接的位线,上述外围电路包括与其中的半导体区电连接的布线,该半导体区的导电类型与上述源区和漏区的相反,在位线和与其相连的源区或漏区之间设有由导电类型与源区或漏区相同的掺杂硅构成的位线连接元件,以实现位线与源、漏区之间的电连接,上述布线由形成位线的同一金属钨层构成。
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公开(公告)号：CN1303693C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410045922.0
申请日：1994-11-18
IPC: H01L27/108 , H01L27/04 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/10817 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体存储器件，具有存储单元阵列部分和外围电路部分，存储单元阵列包括多个具有开关晶体管和电容器的存储单元，外围电路包括具有栅、源和漏的MISFET，还包括：形成在存储单元阵列的衬底主表面上、起开关晶体管的栅极作用的字线导体；形成在外围电路的衬底主表面上、起MISFET的栅极作用的栅导体；形成在各字线导体两侧的第一半导体区；形成在外围电路中的第二半导体区；形成在字线导体和栅导体之上具有露出第一半导体区的通孔的隔离膜；由多晶硅膜构成、形成在各通孔中却不延伸到隔离膜之上的位线连接元件；形成在隔离膜之上、由钨膜构成的位线导体，以及形成在外围电路中的隔离膜之上、与MISFET的源和漏之一电连接、由钨膜构成的布线。
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公开(公告)号：CN1261461A
公开(公告)日：2000-07-26
申请号：CN98806444.8
申请日：1998-06-18
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/10817
Abstract: 一种具有在每一个中都形成有构成存储单元的存储单元选择用MISFET(Qs)且由在半导体衬底(1)的主面的X方向上直线延伸的岛状的图形构成的有源区域(L)的DRAM,存储单元选择用MISFET(Qs)具有用恒定的宽度在半导体衬底(1)的主面的Y方向上延伸的栅极电极(7)(字线WL)。相邻的栅极电极(7)(字线WL)之间的间隔比栅极电极(7)的宽度窄。在每一存储单元选择用MISFET(Qs)上边形成的位线(BL)用恒定的宽度在半导体衬底(1)的主面的X方向上延伸。相邻的位线(BL)彼此间的间隔比位线的宽度宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1043389C
公开(公告)日：1999-05-12
申请号：CN94118924.4
申请日：1994-11-18
IPC: H01L27/108 , H01L27/10
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/10817 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体存储器件，具有衬底、字线和位线导体、以及位于字线和位线导体交点处的存储单元。相邻两单元构成一存储单元对单位结构，两相邻单元的晶体管的第一半导体区在其交界处结合成单一的区且经由位线连接件连接到一位线导体，晶体管的栅极分别连接到相邻的字线导体，晶体管的第二半导体区连接到各信息储存电容器。形成在一位线导体下的存储单元对单位结构串相对于形成在该位线导体两边的位线导体之下的存储单元对单位结构串进行位移。
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公开(公告)号：CN1540761A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410045922.0
申请日：1994-11-18
IPC: H01L27/108 , H01L27/04 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/10817 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体存储器件，具有存储单元阵列部分和外围电路部分，存储单元阵列包括多个具有开关晶体管和信息存储元的存储单元，外围电路包括具有栅、源和漏的MISFET，还包括：形成在存储单元阵列的衬底主表面上、起开关晶体管的栅极作用的字线导体；形成在外围电路的衬底主表面上、起MISFET的栅极作用的栅导体；形成在各字线导体两侧的第一半导体区；形成在外围电路中的第二半导体区；形成在字线导体和栅导体之上具有露出第一半导体区的通孔的隔离膜；由多晶硅膜构成、形成在各通孔中却不延伸到隔离膜之上的位线连接元件；形成在隔离膜之上、由钨膜构成的位线导体，以及形成在外围电路中的隔离膜之上与MISFET的源和漏之一电连接，由钨膜构成的布线。
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公开(公告)号：CN1158710C
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN98119535.0
申请日：1994-11-18
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/10817 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体存储器件，包括半导体存储单元阵列和外围电路，各阵列包括多个具有开关晶体管和信息存储元的存储单元以及与开关晶体管的源区或漏区电连接的位线，上述外围电路包括与其中的半导体区电连接的布线，该半导体区的导电类型与上述源区和漏区的相反，在位线和与其相连的源区或漏区之间设有由导电类型与源区或漏区相同的掺杂硅构成的位线连接元件，以实现位线与源、漏区之间的电连接，上述布线由形成位线的同一金属钨层构成。
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公开(公告)号：CN1190848C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN98806444.8
申请日：1998-06-18
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/10817
Abstract: 一种具有在每一个中都形成有构成存储单元的存储单元选择用MISFET(Qs)且由在半导体衬底(1)的主面的X方向上直线延伸的岛状的图形构成的有源区域(L)的DRAM，存储单元选择用MISFET(Qs)具有用恒定的宽度在半导体衬底(1)的主面的Y方向上延伸的栅极电极(7)(字线WL)。相邻的栅极电极(7)(字线WL)之间的间隔比栅极电极(7)的宽度窄。在每一存储单元选择用MISFET(Qs)上边形成的位线(BL)用恒定的宽度在半导体衬底(1)的主面的X方向上延伸。相邻的位线(BL)彼此间的间隔比位线的宽度宽。
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公开(公告)号：CN1112291A
公开(公告)日：1995-11-22
申请号：CN94118924.4
申请日：1994-11-18
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/10817 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体存储器件，具有衬底、字线和位线导体、以及位于字线和位线导体交点处的存储单元。相邻两单元构成一存储单元对单位结构，两相邻单元的晶体管的第一半导体区在其交界处结合成单一的区且经由位线连接件连接到一位线导体，晶体管的栅极分别连接到相邻的字线导体，晶体管的第二半导体区连接到各信息储存电容器。形成在一位线导体下的存储单元对单位结构串相对于形成在该位线导体两边的位线导体之下的存储单元对单位结构串进行位移。
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