公开(公告)号：CN1261461A

公开(公告)日：2000-07-26

申请号：CN98806444.8

申请日：1998-06-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 吉田诚 ,  熊内隆宏 ,  只木芳隆 ,  浅野勇 ,  长谷川升雄 ,  川北惠三

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817

Abstract: 一种具有在每一个中都形成有构成存储单元的存储单元选择用MISFET(Qs)且由在半导体衬底(1)的主面的X方向上直线延伸的岛状的图形构成的有源区域(L)的DRAM,存储单元选择用MISFET(Qs)具有用恒定的宽度在半导体衬底(1)的主面的Y方向上延伸的栅极电极(7)(字线WL)。相邻的栅极电极(7)(字线WL)之间的间隔比栅极电极(7)的宽度窄。在每一存储单元选择用MISFET(Qs)上边形成的位线(BL)用恒定的宽度在半导体衬底(1)的主面的X方向上延伸。相邻的位线(BL)彼此间的间隔比位线的宽度宽。

公开(公告)号：CN1190848C

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN98806444.8

申请日：1998-06-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 吉田诚 ,  熊内隆宏 ,  只木芳隆 ,  浅野勇 ,  长谷川升雄 ,  川北惠三

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817

Abstract: 一种具有在每一个中都形成有构成存储单元的存储单元选择用MISFET(Qs)且由在半导体衬底(1)的主面的X方向上直线延伸的岛状的图形构成的有源区域(L)的DRAM，存储单元选择用MISFET(Qs)具有用恒定的宽度在半导体衬底(1)的主面的Y方向上延伸的栅极电极(7)(字线WL)。相邻的栅极电极(7)(字线WL)之间的间隔比栅极电极(7)的宽度窄。在每一存储单元选择用MISFET(Qs)上边形成的位线(BL)用恒定的宽度在半导体衬底(1)的主面的X方向上延伸。相邻的位线(BL)彼此间的间隔比位线的宽度宽。